擦除后，可看到整页为65535.

然后进入HAL_FLASH_Program

最后在FLASH_Program_Fast(Address, (uint32_t)Data);下一步

仿真报错：

Break at address "0xfffffffe" with no debug information available, or outside of program code.

擦写流程都用的HAL_，地址用的擦除页的首地址。

出现的问题，大致查找了几天，可能比较少见吧。

楼主你好，从手册上看，这个系列的FLASH结构和烧录方式同F1等不太一样。 并不是FLASH保持FF就可以烧录了。 在手册中有描述，还是需要擦除。它的FAST PROGRAM 并不是通过节省擦除时间来提升速度的，而且还必须一次写256bytes 才行。 另外从库函数中看，应该使用HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data) 这个函数。 具体请参考手册和附图。 实测有效，并且跟编译器无关，用CUBEIDE很方便的。

非常感谢废鱼、xmshao、butterflyspring的作答。

昨天回家换了块板子已经调试成功。

不过，昨天我最后的回复，不知为何还没有审核通过，现重新整理一下：

（1）初用STM32CubelIDE和STM32G030系列的片子。先在产品上替换芯片打了个板子。

（2）MX很好用，初始化没有问题，外设功能都很好的启用。其他程序功能都很好的移植。

（3）最后有个掉电记忆功能，需要擦写flash，网上大致复制了段例程。然后就是各种调试不成功。

（4）抱着试一试的心情发帖求助。

（5）根据建议重新翻看库

HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);

defgroup FLASH_Type_Program FLASH Program Typedefine FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD FLASH_CR_PG / Program a double-word (64-bit) at a specified address

define FLASH_TYPEPROGRAM_FAST FLASH_CR_FSTPG Fast program a 32 row double-word (64-bit) at a specified address

（6）总结：第一次用库开发，多少有点不信任，半路总想着自己用寄存器写，不过也期望着与时俱进，也幸好有人热情回复，总算坚持下来。

TypeProgram：FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD或FLASH_TYPEPROGRAM_FAST

不知为何只有这两个可用，好像例程里还能用半字、字节之类的。（所以我眼神不好一开始把FAST当成32bit了。）

Address：写入的首地址。

Data：FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD时就是一个不大于64bit的数就行。

FLASH_TYPEPROGRAM_FAST时，可以写上一个数组的地址（64bit*32=256字节）。

除了基本的操作步驟、正確的參數外，注意做快速編程時將該FLASH_Program_Fast(）放在RAM裏執行。

楼主，你擦除的地址是不是程序内的地址？如果想要测试FLASH的使用，建议选择当前代码范围外的地址进行。

废鱼 发表于 2022-2-9 11:19
楼主，你擦除的地址是不是程序内的地址？如果想要测试FLASH的使用，建议选择当前代码范围外的地址进行 ...

[md]

应该不会吧，按网上别人的方法定位了倒数第2页的地址，放了一个数组占满了，以前用MDK时的习惯。擦写都在这一页地址。不过现在尝试用STM32CubelIDE和HAL库，遇到不少问题。

请问楼主是具体用的哪个型号？ 因为不同STM32系列或者同一系列不同容量之间都有一些差别。比如一次可以写入的字节数，DUBAL bank 等。 所以有具体型号和函数具体地址内容才好判断。另外，对于STM32在擦除或烧录程序空间时，接口电压升高，这时候去操作时通常无法保证正确返回数据，最好是在烧录结束后再去观察结果是否正确。

wjn 发表于 2022-2-9 11:35
![16443774411.jpg](data/attachment/forum/202202/09/113013fpb2zu229511jfbj.jpg?imageMogr2/auto- ...

[md]您好，说一下你用的芯片型号，我看一下FLASH的排列。eclipse有时候使用并不如keil好。我也经常会发生类似的问题。从提示上分析是不能找到断点的地址或者程序溢出导致。

butterflyspring 发表于 2022-2-9 11:40
请问楼主是具体用的哪个型号？ 因为不同STM32系列或者同一系列不同容量之间都有一些差别。比如一次可以写入 ...

这个是STM32G030F6P6，以前都是用寄存器写的，现在想偷个懒。直接用的STM32CubelIDE，自带STM32CubelMX的版本。

废鱼 发表于 2022-2-9 11:45</p>
<p>[md]您好，说一下你用的芯片型号，我看一下FLASH的排列。eclipse有时候使用并不如keil好。我也经常会 ...

[md]STM32G030F6P6。

好像是1个bank、16页，1页2K。我用的是倒数第2页。

是啊，看提示不明白出问题在哪了。前面仿真都正常，flash我通过定义的数组查看的，初始值、擦除后的值都正常，与估算的地址也对应。

wjn 发表于 2022-2-9 11:35
![16443774411.jpg](data/attachment/forum/202202/09/113013fpb2zu229511jfbj.jpg?imageMogr2/auto- ...

[md]cubeide功能很强大，但是就因为功能丰富，用起来很冗余，对新手不友好

xmshao 发表于 2022-2-9 11:59
除了基本的操作步驟、正確的參數外，注意做快速編程時將該FLASH_Program_Fast(）放在RAM裏執行。 ...

TypeProgram，FLASH_TYPEPROGRAM_FAST改为FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD仿真不会报错了。

HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);

之前在查找TypeProgram时，看到这些。

define TYPEPROGRAM_BYTE FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE

define TYPEPROGRAM_HALFWORD FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD

define TYPEPROGRAM_WORD FLASH_TYPEPROGRAM_WORD

define TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD

但只有FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD能用。

翻看库的时候，有注释说FLASH_TYPEPROGRAM_FAST是32位，FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD是64位。

虽然对为什么是FAST而不是WORD有些不解，但还是用了。

但是又出现问题，这个片子突然擦除不了了。所以，后面的写入无法验证，看了下仿真中检查返回值都正常。

换了个板子，同系列不同型号的，这段程序仿真正常了。。

写在最后：

一开始调试用的那个片子，不知道动了哪，我用的那一页，自编程擦除不了了。

但烧写正常。

（好在我从来不怀疑自己写的程序有问题，总有多块板子换着用，证明芯片没坏。）

谁知道是咋回事，怎么解决？

wjn 发表于 2022-2-10 10:53
[md]非常感谢废鱼、xmshao、butterflyspring的作答。

昨天回家换了块板子已经调试成功。

这个产品的FLASH结构有些变化，增加的ECC功能（目前很多认证需要这个）。所以它的存贮结构为64bit数据+8位ECC。 因此烧录时需要 double world （64bit）。 这一点在手册上FLASH章节有描述。所以库函数只有这个两个选项。
从参数上看，这两种烧录方式速度比以往的更快了，而且增加了ECC校验，简化了功能安全设计，是厂家提升的新功能。

butterflyspring 发表于 2022-2-9 17:20
楼主你好，从手册上看，这个系列的FLASH结构和烧录方式同F1等不太一样。 并不是FLASH保持FF就可以烧录了。  ...

你好，我采用展示的方法进行FLASH写操作，一进入HAL_FLASH_Program()函数就立刻报错