Exemple 1
2 ^. y  s. |- V3 E1 O% Z3 O
) w& C- V) d6 p本例展示了如何对STM32的FLASH写入数据。

在RESET以后，FLASH存储器的写/擦控制器（Flash memory Program/Erase Controller）是被锁住的，为了能够写入数据，首先要求对控制器解锁（FLASH_Unlock()）。

在写入数据前，程序首先擦除所有要编辑的页面。擦除程序首先计算需要的页面数目，然后通过不断调用FLASH_ErasePage函数进行逐页擦除。之后，程序不断调用FLASH_ProgramWord函数对FLASH写入数据。待整个过程完成以后，检查FLASH中的数据是否已被正确写入，检查结果放在变量MemoryProgramStatus中。
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Exemple 1

( y5 I' M# }( p" R本例展示了如何开启/关闭STM32 FLASH存储器的写保护功能。

打开写保护功能：
在程序中，取消“#define WriteProtection_Enable”前的注释符号，即可打开写保护功能。想要对一系列页面进行写保护的话，用户可以调用FLASH_EnableWriteProtection函数，通过设置该函数的参数，我们可以对任意页面进行写保护。在本例中，我们想要对24 — 31这八个页面进行保护，因此，参数为"FLASH_WRProt_Pages24to27 | FLASH_WRProt_Pages28to31"。

+ D9 r8 v4 }# A0 `为了对载入新的option byte 值，需要对系统进行复位，因此，我们调用函数 NVIC_GenerateSystemReset()。
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关闭写保护功能：
在程序中，取消“##define WriteProtection_Disable”前的注释符号，即可关闭写保护功能。为了关闭写保护，用户必须擦除小信息模块（small information block）。此操作可以通过调用函数FLASH_EraseOptionBytes来实现。

  ~/ y; M0 K* A+ z- \: l  L同样的，为了对载入新的option byte 值，需要对系统进行复位，因此，我们调用函数 NVIC_GenerateSystemReset()。
5 E3 u/ z1 {7 O  k
. W7 w- ^; |) \: i$ Y+ ^在本例中，程序将对被保护页面进行一次擦-写的操作，并在最后检查操作的完成情况，并把检查结果放在变量MemoryProgramStatus中。显然，如果打开了写保护功能，那么结果将是FAILED，如果没有，结果将是PASSED。

5 e/ b* m. S7 }Exemple 1

& y2 d, H' ^1 `7 n6 n, ^3 j5 v本例展示了如何通过设置GPIO BSRR寄存器（Port bit set/reset registe）和GPIO BRR寄存器 (Port bit reset register)来翻转IO的状态。

通过设置这两个寄存器，我们可以利用单比特操作（single atomic write access）来改变一个或者几个IO端口的状态。
( f2 f+ q6 x, V1 u
这个例子原本应用于STM32评估板(STM3210B-EVAL)，为了使本例能在EKSTM32F上运行，我们应当把使用端口PC.06 – PC.09改为使用PC.04 – PC.07。

0 ?: S8 A0 h6 U; y: w6 `$ cExemple 2

% W0 }) O0 O2 x( y本例展示了如何把JTAG专用管脚设置为标准的GPIO。

首先，关闭SWJ-DP，把SWJ-DP管脚设置为标准的push-pull输出。然后，循环地改变PA.13(JTMS/SWDAT), PA.14(JTCK/SWCLK), PA.15(JTDI), PB.03(JTDO) 和PB.04(JTRST)这五个管脚的状态。使与之相连的LED闪耀。在EKSTM32F板上，不存在这样的五个LED，要观察效果的话，需要自己连上去。

注意，一旦JTAG管脚被用作它用，将无法再使用debug工具。为了避免这个问题，程序将检查PB.09上的数据，它与一个按钮相连，当输入为低电平时，JTAG专用管脚被设为标准的IO。当输入为高电平时，这些管脚仍然用作JTAG。
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' p- a: L. S2 h* s9 k出处：barboon

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