STM32 调试过程中的困惑

guanjianguo 提问时间：2008-12-24 11:16 /

我在使用STM32 调试过程中发现,若编译的文件 CODE 大于12K( DATA 大于2K) 后,就不能在RAM 中调试了,(经常全局变量出错,且还会进入hard fault异常处理), 在FLASH 中调试就正常, 我用STM32F103VB,120K FLASH,20K RAM. 请高手说明;
STM32 的FLASH 擦写次数,不同资料有不同说法, 有3000次，10000次, 100000次, 到底是多少?

赞收藏评论5 发布时间：2008-12-24 11:16

5个回答

萧星-96138 回答时间：2008-12-24 11:18:38

RE:STM32 调试过程中的困惑

关于ram的空间请楼主改一下ram.xcl文件的ram空间
flash擦写次数官方资料正常环境是10000次，当然在使用中可能会有出入。

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zangdianjun 回答时间：2008-12-24 11:20:12

RE:STM32 调试过程中的困惑

资料上好像是1000次！实际使用可能有差别，还达不到这个次数！

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萧星-96138 回答时间：2008-12-24 11:26:09

RE:STM32 调试过程中的困惑

最新的资料是10000次是正常环境下测试的。使用很多出现不到1000就不行了，很少。
还有一种情况就是在调试的时候你出现了误操作，使flash进入了保护状态，而不能下载程序了。解决办法：用isp（串口）下载一次程序，即可解决。
如果真的是flash次数限制，建议在ram中调试

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guanjianguo 回答时间：2008-12-24 13:54:50

RE:STM32 调试过程中的困惑

版主: lnkarm_ram.xcl 关于 RAM 大小的定义如下:
// Code and data in RAM
-DRAMSTART=0x20000000
-DRAMEND=0x20004FFF
-DROMSTART=RAMSTART
-DROMEND=RAMEND
4FFF 不就是 20K 吗,(20 X 1024),正是STM32F103VB,的 RAM 大小啊.

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guanjianguo 回答时间：2008-12-24 14:39:10

RE:STM32 调试过程中的困惑

上午我说的在FLASH 中可以正常工作,在RAM 中不能调试的问题, 按版主指点,修改 lnkarm_ram.xcl 中下面内容,就好了
// -D_CSTACK_SIZE=100  // 原内容
// -D_HEAP_SIZE=100 // 原内容
-D_CSTACK_SIZE=400    // 修改了
-D_HEAP_SIZE=200    // 修改了

不过我不明白这2个参数在堆栈中起什么作用,STM32不是满堆栈工作方式吗?  那不就是从0x20004FFF自动往下延伸的吗

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