原帖作者：tuoxie

最近新使用STM32F101RC这款芯片开发产品。发现一掉电RTC就没了。芯片手册看了好几遍，厂家电话也打了无数个就是不知道为什么。Vbat这根线直连电池，示波器看了半天，掉电过程中Vbat上一点扰动都没有。后来还是俺们领导经验足，让直接拔Vdd上的电源，结果RTC存住了。试验时我用24V的开关电源给板子供电，24V电源掉电是个缓慢掉电的过程，我们感觉是缓慢掉电使芯片不稳定，丢失RTC
; k, \4 I, l& K3 B3 n我把这个情况和厂家的技术支持赵工说了一下，这哥们人真不错。他说他也重现了这个现象，他发现进掉电中断后while(1)，可以保持RTC不丢。接下来就是波澜壮阔的进PVD中断的过程。
感谢赵工的代码和本网站中几位兄弟的文章（这也是我开这个博的原因），很快找到了进中断的代码：
  //==================PVD===================================
  EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16 );
  EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;
6 R" ^( W$ T9 \, S0 J( z4 g  EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line16;
- U; p" s2 Q1 M# c  G% Y- H  EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Rising;
  EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;
9 }' \) S7 Q+ ~+ ?8 I8 ?  EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);
6 \+ t4 |, g) ]+ [  
# @  b; T/ J, z' a% U  K  NVIC_ClearIRQChannelPendingBit(PVD_IRQChannel);
  NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PVD_IRQChannel;
  NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 8;
) ^5 l- U% K2 E  NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0;
: E3 e. k2 h* H9 r1 G& m2 A+ f  //NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;
  NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);
4 W' x, V1 J% o# {3 G+ j  PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V9);
* A6 r. }& P0 X) [0 W8 C  PWR_PVDCmd(ENABLE);
( a# o! W" j6 v: h  Y$ x+ l这里要多说一句，杠掉的代码有人加，有人不加，事实上不加也行的。不知道其中区别，请高人指教。
" b8 Z; U9 l! p一试当然是没反应咯，从2.9V设到2.2V，连个毛都没有试出来。这掉电试验比较难做，插不了jtag，因为jtag会给芯片供电的，所以必须拔掉。瞪大着眼睛看LED，希望他亮一下，真的没有-_-。
0 x# h1 m5 e3 z2 A9 A1 O7 Z$ N我决定看看寄存器里的东西对不对，真被我猜对了，PWR里面都没设进去，一查时钟忘记开了，所以RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR | RCC_APB1Periph_BKP, ENABLE);这句话不能忘记了。
再一试，进去了！但是不是掉电，而是上电！只要PWR_PVDCmd(ENABLE);一完，立马进中断，但是掉电时不进。以为是中断没清，但是我真的清了。通过jtag一看，PVDO一直是1。难道Rising和Falling搞错了？我把电压在2.3V到3.3V瞎调，什么都没进去。没办法，再打电话给赵工，他说他那边都是正常的。只能自己死磕了。
: ?  k! g9 l$ F* b改成2.2V，没戏，2.8V，没戏，试个2.5V，有了！！再联系赵工，他说Vdda也参与比较的，一查我们的电路，Vdda连着稳压的2.5V……
5 p( i4 d! X7 |! J. V但是，虽然PVD中断进去了，但是RTC还是丢失，我们把Vdda连接到3.3V后，设成2.9V，OK了。
总结一下：
" A7 `) H5 x5 W7 i1、要确认寄存器是否写成功了，这芯片里面有好多时钟，用一个开一个，为了省电。但是我们的产品省Flash，省Ram，就是不用省电-_-
2、Vdd和Vdda都要参与比较，这个居然忽视了，惭愧，惭愧
遗留问题：
* Z& `4 J# E! f+ N1 Q如果在2.5V才进PVD中断，RTC还是丢了；但是2.9V进PVD中断，RTC能保存。就是说2.9V到2.5V芯片有稳定到不稳定的过程。这个还不知道为什么，能不能通过软件方法搞定，要有请高人了。电压我用示波器看了一下，挺正常的，不能说瞬间掉电，但是也挺快的，要再研究研究

我的103ZET6的RTC没有这个问题，跑得很好~
3 m1 b- {+ }) {8 V& ]. A0 F前阵子看到有人想要掉电瞬间写flash的...真是够疯狂的...
1 A' G" d+ D9 w/ ]# T' C这个不懂哈~等高手回答~

1000uF电容，PVD检测，掉电瞬间写FLASH，没有问题，我写了几十个字节数据，时间很充裕。

学习了

wolaiye945 发表于 2009-2-9 22:13
6 w5 o/ I% e  n$ z4 B0 Y# U1 \5 `我的103ZET6的RTC没有这个问题，跑得很好~
前阵子看到有人想要掉电瞬间写flash的...真是够疯狂的...
这个不 ...

8 P6 ^. I2 G5 I% T4 h在PVD中断写Flash很正常，可以先在中断外擦除芯片，在中断里写就行了，Flash的操作大部分时间是在擦除上，我试了一下擦除一页（大存储的2K）需要21.9ms，然而写100个半字节数据只需5~6ms。在供电处接个电容就OK了

学习了！！！

那就地方iv 发表于 2015-9-22 13:32
5 C# e% e# c3 v, K( L在PVD中断写Flash很正常，可以先在中断外擦除芯片，在中断里写就行了，Flash的操作大部分时间是在擦除上 ...

“可以先在中断外擦除芯片” 请问这个怎么做的啊？