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原帖作者：tuoxie ' I @+ d! O F; c9 b: V 最近新使用STM32F101RC这款芯片开发产品。发现一掉电RTC就没了。芯片手册看了好几遍，厂家电话也打了无数个就是不知道为什么。Vbat这根线直连电池，示波器看了半天，掉电过程中Vbat上一点扰动都没有。后来还是俺们领导经验足，让直接拔Vdd上的电源，结果RTC存住了。试验时我用24V的开关电源给板子供电，24V电源掉电是个缓慢掉电的过程，我们感觉是缓慢掉电使芯片不稳定，丢失RTC 我把这个情况和厂家的技术支持赵工说了一下，这哥们人真不错。他说他也重现了这个现象，他发现进掉电中断后while(1)，可以保持RTC不丢。接下来就是波澜壮阔的进PVD中断的过程。 感谢赵工的代码和本网站中几位兄弟的文章（这也是我开这个博的原因），很快找到了进中断的代码：3 X. A: e. f' w, C' s; ?4 M* z //==================PVD=================================== EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16 ); EXTI_InitStructure.EXTI_Mode = EXTI_Mode_Interrupt;# L" T4 x6 H z: X6 Q$ C4 T EXTI_InitStructure.EXTI_Line = EXTI_Line16;3 y# V. ]& Y" K% n8 B( s( S; w EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger = EXTI_Trigger_Rising; EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd = ENABLE;/ G. O$ }) A1 r5 R0 o5 \* k/ A- G, l EXTI_Init(&EXTI_InitStructure); 6 j1 K- i( C4 } NVIC_ClearIRQChannelPendingBit(PVD_IRQChannel);, v4 B2 l9 Z' p0 C' u NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PVD_IRQChannel;8 R/ {+ }: o# B" p, V2 w p NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 8;& s8 D b% }$ B% I6 d/ \ NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0;, u0 Y9 Y- H, h/ w, L9 A //NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;; @+ v: e" k$ l& o1 ~* g6 i4 Z NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);; x* H; x! H7 d. U PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V9);. F: }- z7 L$ V1 r PWR_PVDCmd(ENABLE); 这里要多说一句，杠掉的代码有人加，有人不加，事实上不加也行的。不知道其中区别，请高人指教。0 E. H& _7 h+ J# D3 C 一试当然是没反应咯，从2.9V设到2.2V，连个毛都没有试出来。这掉电试验比较难做，插不了jtag，因为jtag会给芯片供电的，所以必须拔掉。瞪大着眼睛看LED，希望他亮一下，真的没有-_-。7 d, W5 S/ {. c" j2 D, J( L' F1 j 我决定看看寄存器里的东西对不对，真被我猜对了，PWR里面都没设进去，一查时钟忘记开了，所以RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR | RCC_APB1Periph_BKP, ENABLE);这句话不能忘记了。! W. P0 F% K- g$ d- Z. c2 Q 再一试，进去了！但是不是掉电，而是上电！只要PWR_PVDCmd(ENABLE);一完，立马进中断，但是掉电时不进。以为是中断没清，但是我真的清了。通过jtag一看，PVDO一直是1。难道Rising和Falling搞错了？我把电压在2.3V到3.3V瞎调，什么都没进去。没办法，再打电话给赵工，他说他那边都是正常的。只能自己死磕了。: w+ S! K. F- Z1 K2 R- `7 [ 改成2.2V，没戏，2.8V，没戏，试个2.5V，有了！！再联系赵工，他说Vdda也参与比较的，一查我们的电路，Vdda连着稳压的2.5V……+ I" H. t Z* i 但是，虽然PVD中断进去了，但是RTC还是丢失，我们把Vdda连接到3.3V后，设成2.9V，OK了。% i/ W/ ~" A% [) F3 k! q6 s+ m" n 总结一下：' c- D1 n/ ]- q4 C$ n 1、要确认寄存器是否写成功了，这芯片里面有好多时钟，用一个开一个，为了省电。但是我们的产品省Flash，省Ram，就是不用省电-_- 2、Vdd和Vdda都要参与比较，这个居然忽视了，惭愧，惭愧9 g' N1 C! _6 V/ A 遗留问题：2 b% \% ^6 R; S' [ 如果在2.5V才进PVD中断，RTC还是丢了；但是2.9V进PVD中断，RTC能保存。就是说2.9V到2.5V芯片有稳定到不稳定的过程。这个还不知道为什么，能不能通过软件方法搞定，要有请高人了。电压我用示波器看了一下，挺正常的，不能说瞬间掉电，但是也挺快的，要再研究研究 |
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RE:关于STM32F进掉电中断的问题
前阵子看到有人想要掉电瞬间写flash的...真是够疯狂的...) \0 d0 Q. V8 _
这个不懂哈~等高手回答~
回复:关于STM32F进掉电中断的问题
在PVD中断写Flash很正常，可以先在中断外擦除芯片，在中断里写就行了，Flash的操作大部分时间是在擦除上，我试了一下擦除一页（大存储的2K）需要21.9ms，然而写100个半字节数据只需5~6ms。在供电处接个电容就OK了
“可以先在中断外擦除芯片” 请问这个怎么做的啊？