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stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样 它们的共同点: 1,统一排地址:但地址不一样 2,编程方法和的函数一样 1,先HAL_FLASH_Unlock();开锁写 2,Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32);写 其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32); 3,HAL_FLASH_Lock();锁住写5 ?! A( S& B7 @) m% ?8 P8 g5 ~ 3,擦出方法和函数一样/ a5 j: d1 o, Y3 W5 d# |( b4 C2 \# x1 y HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError) 4,读方法和函数一样 Read_eeprom_int32(uint16_t addr) 不同点: 地址不一样: EEPROM:0x08080000开始的2K字节 FLASH: 0x08000000开始的空间(大小型号决定), 其中你想用的FLASH空间。 & I9 Q& w N/ A0 R- s 2 L) L/ _& G# }$ u4 P9 }$ B |
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STM32L0_hal_flash.c等几个文件里都找不到。
那两个不是库里面的,应该是自己写的