编译环境：我用的是(Keil)MDK4.7.2   
) d$ k" W4 L' V9 @- u1 _/ Vstm32库版本：我用的是3.5.0
一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍，不懂得地方请查阅有关资料。
　　对STM32 内部FLASH进行编程操作，需要遵循以下流程：
　　FLASH解锁
　　清除相关标志位
" `8 U+ A4 a  A6 T; K4 J: h　　擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便，即物理实现方便)
　　写入FLASH
　　锁定FLASH
实例：
$ V  P/ b7 P- Q; u#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小
* J, t; I: M$ h1 Z1 l% c( V#define WRITE_START_ADDR   ((uint32_t)0x08008000)//写入的起始地址
1 R# R) A9 M  Z* O4 S/ h+ n) w#define WRITE_END_ADDR      ((uint32_t)0x0800C000)//结束地址
uint32_t EraseCounter = 0x00, Address = 0x00;//擦除计数，写入地址
' e% {# p2 s. i" Kuint32_t Data = 0x3210ABCD;//要写入的数据
uint32_t NbrOfPage = 0x00;//记录要擦除的页数
9 r  {1 u4 ]: ~volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;/*FLASH擦除完成标志*/
4 A3 ]: y& e1 u" x, O% rvoid main()
{
  /*解锁FLASH*/
　FLASH_Unlock();
  /*计算需要擦除FLASH页的个数 */
　NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;
  /* 清除所有挂起标志位 */
% a/ R- c; J! \, Q0 j　 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);        
4 `6 s7 f; l" ]% \; H& `  /* 擦除FLASH 页*/
% S, S( n  U3 E: f: K7 a　for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
　　  {
1 x# v7 v8 }% T5 ~" s, r　　    FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
　　  }
  /* 写入FLASH  */
　Address = WRITE_START_ADDR;
　while((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
1 E7 O3 x1 v1 u; D2 a# u8 x% `　　  {
　　    FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
　　    Address = Address + 4;
　　  }
/* 锁定FLASH  */
　FLASH_Lock();
}
二、FLASH 擦除（以及防止误擦除程序代码）
7 W7 z8 Q: g' V% U- y1、擦除函数
FLASH_Status FLASH_ErasePage(u32 Page_Address)只要（）里面的数是flash第xx页中对应的任何一个地址！就是擦除xx页全部内容！
) @  d( w: @/ Q* }
防止误擦除有用程序代码的方法
, S4 c6 A1 K* F& s. H# g( Z. P方法一：首先要计算程序代码有多少，把FLASH存取地址设置在程序代码以外的地方，这样就不会破坏用户程序。原则上从0x0800 0000 + 0x1000 以后的FLASH空间都可以作为存储使用。如果代码量占了 0x3000， 那么存储在 0x0800 0000+ 0x4000 以后的空间就不会破坏程序了。
9 _" E1 ?: l( U! T% p5 |
3 R& U/ x, G1 i& s- ^  J1 o方法二：先在程序中定义一个const 类型的常量数组，并指定其存储位置（方便找到写入、读取位置），这样编译器就会分配你指定的空间将常量数组存入FLASH中。当你做擦除。读写操作时，只要在这个常量数组所在的地址范围就好。
7 c$ L. l* \1 a2 Y) x
, X) F5 }! L, h8 p2 x) v　　const uint8_t table[10] __at(0x08010000) = {0x55} ;
　　MDK3.03A开始就支持关键字 __at() 。
　　需要加#include <absacc.h>
" o. P, h0 z+ q+ t) c4 H
1 r7 D8 w# \8 a& i# f2 I方法三：在程序中定义一个const 类型的常量数组，无需指定其存储位置。只要定义一个32位的变量存储这个数组的FLASH区地址就行。
! m8 W2 t4 ~3 f9 j- i2 `
$ I9 `, g: |8 ~. `# l2 x4 n1 J　　uint32_t address;//STM32的地址是32位的
. s3 ~# x2 a* X5 B　　const uint8_t imageBuffer[1024] = {0,1,2,3,4,5,6,7};
: ~8 g8 ~  e. \　　address = (uint32_t) imageBuffer;/*用强制类型转换的方式，可以把FLASH中存储的imageBuffer[1024]的地址读到RAM中的变量address 里，方便找到写入、读取位置*/
1 d1 _" }' ^3 \# M: [
方法四：利用写保护的方式（没研究明白）

/ H# {* G, m+ V0 |7 j* G6 U! h三、FLASH写入
　　FLASH的写入地址必须是偶数（FLASH机制决定的FLASH写入的时候只能是偶数地址写入，必须写入半字或字，也就是2个字节或是4字节的内容）
3 Z5 y! k% b) ]" W


四、FLASH 读取方法
! a( E9 j6 p$ M7 n　　*(uint32_t *)0x8000000;//读一个字
　　*(uint8_t *)0x8000000;//读一个字节;
. a1 O  ^1 e; g; H　　*(uint16_t *)0x8000000;//读半字;  
  a" T5 p. A8 \　　举例：
! G- d( x4 p, U$ Z　　uint8_t data;
; G: f9 s+ I2 J6 c( k　　data = *(uint8_t *)0x8000000;//就是读取FLASH中地址0x8000000处的数据
五、几个有用的子函数
/*
5 Y9 g: H9 j5 J功能：向指定地址写入数据
参数说明：addr 写入的FLASH页的地址
          p    被写入变量的地址（数组中的必须是uint8_t类型，元素个数必须是偶数）
1 x1 p+ }# ]# t+ j0 S/ }          Byte_Num 被写入变量的字节数（必须是偶数）
- S( K' j, z7 D+ Z6 l7 G2 ^*/
  \- G% l, }+ b( u- }/ B" G9 p# E　　void FLASH_WriteByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
1 V: B$ h+ P2 J% C　　{
2 _! D3 U# c; g: }! d　　        uint32_t HalfWord;
　　        Byte_Num = Byte_Num/2;
. M$ x& k7 H* N* G4 ~　　        FLASH_Unlock();
　　        FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
3 `* F& R$ v* C( v" h+ ^　　        FLASH_ErasePage(addr);
　　        while(Byte_Num --)
1 N) M" @/ y' ~2 x/ i　　        {
- F. L* ^; T* h7 D　　                HalfWord=*(p++);
　　                HalfWord|=*(p++)<<8;
　　                FLASH_ProgramHalfWord(addr, HalfWord);
　　                addr += 2;
3 Z$ A9 K1 {* k! U7 V( [　　        }
2 v+ B& y/ t. Q4 W: m( G　　        FLASH_Lock();
' b/ t6 b" Z: W: R　　}
4 E7 D. M6 P: v1 h4 Y0 X0 Z　　例：
　　uint8_t data[100];
　　FLASH_WriteByte(0x8000000 , data , 100);/*数组data的数据被写入FLASH中*/
" _% ~" Q( h0 y* s! ^# h; [/*
功能：从指定地址读取数据
/ f# x+ w- V! R# D. A2 ?. I& s参数说明：addr 从FLASH中读取的地址
          p    读取后要存入变量的地址（数组中的必须是uint8_t类型）
          Byte_Num 要读出的字节数
*/
0 q/ e7 w. T: Y1 H　　void FLASH_ReadByte(uint32_t addr , uint8_t *p , uint16_t Byte_Num)
　　{
6 r$ v: L2 Z* n/ z! m5 _+ U　　  while(Byte_Num--)
. D! C  e0 H1 Q1 h2 d　　  {
' O( H4 e4 \5 O% _* A) l0 w5 l6 \1 Q　　   *(p++)=*((uint8_t*)addr++);
　　  }
　　}
　　例：
　　uint8_t data[101];
) F  L  q# O/ A4 l' ]( ?1 N　　FLASH_ReadByte(0x8000001 , data , 101);/*FLASH中的数据被读入数组data中*/
: z/ F6 k8 q& l4 G2 t
* |* |! X- G) w/ N. N. Q- Q

好长啊