STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROMSTM32L使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看，其不适用于被反复修改的数据存储使用，一般作为配置参数，其修改次数往往是比较少量的。

    STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址，操作共用同一个读写电路，所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于FLASH的一切访问和操作都将暂停，只有当EEPROM的操作完成后，才继续执行后续代码，在这期间只有EEPROM的读写电路工作，CPU处于挂起状态。

    读操作，和FLASH以及内存一样，EEPROM的数据读取直接用总线读周期读出即可，不需要进行额外操作和设置。

1. #define EEPROM_BASE_ADDR    0x08080000   
   6 t8 m+ g& f, O; I) u; x1 L
2. #define EEPROM_BYTE_SIZE    0x0FFF

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    以上定义EEPROM区的起始位置和大小，给定偏移量之后，可以按字节/半字/字/双字方式读出，但要注意的是最好偏移地址都按四字节对齐，以免产生总线访问错误或是取不正确：

1. /*------------------------------------------------------------
   ; @! ^1 o9 h# K. {
2. Func: EEPROM数据按字节读出
   % y# u1 t2 o% m( d
3. Note:
   
4. -------------------------------------------------------------*/  
   8 L) x# S1 _4 ?
5. void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
   
6. {  
   $ t7 F) \, t+ V) i' l$ t' |* ]
7.     uint8 *wAddr;  
   
8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   : f$ |5 c# f4 T
9.     while(Length--){  
   
10.         *Buffer++=*wAddr++;  
    ( g+ c& [( u( L; Q6 U$ Z
11.     }     
    
12. }  

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1. /*------------------------------------------------------------
   ) ]3 L9 e4 S7 z) o
2. Func: EEPROM数据读出
   
3. Note:
   
4. -------------------------------------------------------------*/  
   
5. void EEPROM_ReadWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
   
6. {  
   
7.     uint32 *wAddr;  
   
8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   
9.     while(Length--){  
   
10.         *Buffer++=*wAddr++;  
    ' J+ W; v1 h. O$ P
11.     }     
    . ~! v2 j+ s5 Y, [  S" V7 E
12. }

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    以上方法使用字节和字方式读出，在后面方法中，在一个字的存储空间内只使用了16个位，另16位不用，这样以避免产生对齐问题。

    EEPROM的编程比读操作要复杂的多，本质上来说，擦除操作和写入操作是一样的，擦除只是在相应的地方写入0x00000000，但在STM32L的实现上，根据其手册说明貌似把这种擦除和写入区分开了，当写入0x00或0x0000或0x00000000时，自动执行一次擦除操作，在值为非0时，才执行一次所谓的写入操作。数据的写入过程先要对EEPROM进行解锁，这通过对特殊寄存器写入特殊序列实现，然后在写入之前进行擦除操作，其擦除是按字/ 双字/页进行的，推荐使用页擦除方式进行，先把参数读到内存，并修改，再进行页擦除，最后将参数写回，这种方式比较通用，否则很容易出现地址对齐或长度问题。在数据擦除完成之后，即可进行写入，每写一字节/半字/双字，都需要判断其是否写入完成，这和内部高压擦写电路有关，只有在上次操作完成之后再进行其它操作才有意义。最后，对EEPROM进行加锁，以保护数据。

    下是手册给出的解锁命令码：

1. #define PEKEY1  0x89ABCDEF      //FLASH_PEKEYR  
   - x& Y1 g  B3 i: d2 p
2. #define PEKEY2  0x02030405      //FLASH_PEKEYR

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    以下分别实现按字节和字方式写入：   

1. /*------------------------------------------------------------
   4 t) E# K. d! M) A4 J" E
2. Func: EEPROM数据按字节写入
   
3. Note:
   
4. -------------------------------------------------------------*/  
   0 b( |( X. {8 H$ A9 k8 s$ l
5. void EEPROM_WriteBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
   6 F7 I: F4 g1 k+ N
6. {  
   " z8 @+ _% }2 x8 {! y$ l1 c9 o
7.     uint8 *wAddr;  
   0 b$ r# q2 G  e% P! K( j
8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   6 m: a- ~, v# L* ?$ j
9.     DIS_INT  
   ( D1 z% W0 e( i% p. F$ B
10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
    7 k! S9 b- N6 Y4 [% V0 A
11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
    
12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
    : m- s' g3 @' \* x, l% A, T
13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
    
14.     while(Length--){  
    
15.         *wAddr++=*Buffer++;  
    ( ?6 t+ u+ e% I
16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
    
17.     }  
    
18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
    
19.     EN_INT  
    & a* t* Y/ r9 C" S) _" k3 f% ^
20. }

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1. /*------------------------------------------------------------
   
2. Func: EEPROM数据按字写入
   4 W$ ]& d+ E* F. @8 K
3. Note: 字当半字用
   8 ?3 a2 W. @; z# o* z+ z5 a
4. -------------------------------------------------------------*/  
   9 [' B1 X4 _, ]# ]
5. void EEPROM_WriteWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
   
6. {  
   
7.     uint32 *wAddr;  
   - [- x: j. _, l
8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   8 X' K0 L$ }2 C3 A5 T( B' f: w3 |
9.     DIS_INT  
   
10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
    ) I. x$ \" g2 x0 S( T
11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
    9 t9 |7 y0 u; x* A+ \. W0 A# H5 g
12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
    2 j; c) Z0 I1 G5 S, |1 G
13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
    - S% z2 P. _9 P3 v$ z
14.     while(Length--){  
    - c6 e" d/ ^" q; u, q* K0 Z. J& _
15.         *wAddr++=*Buffer++;  
    
16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
    
17.     }  
    
18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
    ; q( S1 W% S+ W
19.     EN_INT  
    
20. }

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: p# \6 Z( Q- C; A0 v    以上代码中，在写入数据之前先关闭系统中断DIS_INT，写入完成之后打开系统中断EN_INT，这样避免在执行写操作的过程中被中断过程所打断，引起CPU异常或锁死，在在使用中一定要注意。在MDK环境中，两个可以这样定义：

1. #define EN_INT          __enable_irq();     //系统开全局中断  
   4 R6 I7 z+ [# Z, s3 H# g
2. #define DIS_INT         __disable_irq();    //系统关全局中断

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