STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROMSTM32L使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看，其不适用于被反复修改的数据存储使用，一般作为配置参数，其修改次数往往是比较少量的。

    STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址，操作共用同一个读写电路，所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于FLASH的一切访问和操作都将暂停，只有当EEPROM的操作完成后，才继续执行后续代码，在这期间只有EEPROM的读写电路工作，CPU处于挂起状态。

    读操作，和FLASH以及内存一样，EEPROM的数据读取直接用总线读周期读出即可，不需要进行额外操作和设置。

1. #define EEPROM_BASE_ADDR    0x08080000   
   6 {6 v* f  }  j2 H/ |
2. #define EEPROM_BYTE_SIZE    0x0FFF

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    以上定义EEPROM区的起始位置和大小，给定偏移量之后，可以按字节/半字/字/双字方式读出，但要注意的是最好偏移地址都按四字节对齐，以免产生总线访问错误或是取不正确：

1. /*------------------------------------------------------------
   3 L1 y  ^) p3 |# Y$ H& N& F1 z
2. Func: EEPROM数据按字节读出
   
3. Note:
   , m9 b) s9 C2 y/ X6 W
4. -------------------------------------------------------------*/  
   
5. void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
   " |* }- T1 k& a5 v# j
6. {  
   
7.     uint8 *wAddr;  
   ' g8 D3 \3 X3 @) ?: G% X5 a
8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   
9.     while(Length--){  
   
10.         *Buffer++=*wAddr++;  
    
11.     }     
    
12. }  

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1. /*------------------------------------------------------------
   ! Y" M/ A0 C  }. t# f
2. Func: EEPROM数据读出
   7 f) m6 a( f. _8 F/ a
3. Note:
   
4. -------------------------------------------------------------*/  
   
5. void EEPROM_ReadWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
   7 a* {+ G, ~$ V: f8 F! ]
6. {  
   6 S5 k0 t/ Y( g* U( e0 W# |
7.     uint32 *wAddr;  
     ^7 Z- c" `+ g) c
8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   
9.     while(Length--){  
   9 F0 R. b3 _/ L) d. @! d' a
10.         *Buffer++=*wAddr++;  
    
11.     }     
    # V+ ?- F: V* o/ N1 J
12. }

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    以上方法使用字节和字方式读出，在后面方法中，在一个字的存储空间内只使用了16个位，另16位不用，这样以避免产生对齐问题。

    EEPROM的编程比读操作要复杂的多，本质上来说，擦除操作和写入操作是一样的，擦除只是在相应的地方写入0x00000000，但在STM32L的实现上，根据其手册说明貌似把这种擦除和写入区分开了，当写入0x00或0x0000或0x00000000时，自动执行一次擦除操作，在值为非0时，才执行一次所谓的写入操作。数据的写入过程先要对EEPROM进行解锁，这通过对特殊寄存器写入特殊序列实现，然后在写入之前进行擦除操作，其擦除是按字/ 双字/页进行的，推荐使用页擦除方式进行，先把参数读到内存，并修改，再进行页擦除，最后将参数写回，这种方式比较通用，否则很容易出现地址对齐或长度问题。在数据擦除完成之后，即可进行写入，每写一字节/半字/双字，都需要判断其是否写入完成，这和内部高压擦写电路有关，只有在上次操作完成之后再进行其它操作才有意义。最后，对EEPROM进行加锁，以保护数据。

    下是手册给出的解锁命令码：

1. #define PEKEY1  0x89ABCDEF      //FLASH_PEKEYR  
   & Z; m0 ~  u& D6 Z& }, W
2. #define PEKEY2  0x02030405      //FLASH_PEKEYR

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    以下分别实现按字节和字方式写入：   

1. /*------------------------------------------------------------
   . ?* E) c6 Q4 P# A4 O$ n
2. Func: EEPROM数据按字节写入
   # O, I/ [- x8 ~* B0 r1 I! b6 E
3. Note:
   : L4 ~0 d2 G1 a: q% A0 V0 J& h
4. -------------------------------------------------------------*/  
   
5. void EEPROM_WriteBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
   
6. {  
   
7.     uint8 *wAddr;  
   
8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   
9.     DIS_INT  
   " Y- b" h" n) l/ B7 [/ H" H9 d& t- m
10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
    ) K6 X4 {$ \0 J+ C; L& V( z6 e
11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
    
12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
    & m. Q) \9 u! C: `
13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
    
14.     while(Length--){  
    ! Z- N% X% ~  P9 z3 W. M  G& t
15.         *wAddr++=*Buffer++;  
    
16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
    
17.     }  
    ) v; D' J1 |- E( w7 f5 f1 |
18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
    
19.     EN_INT  
    
20. }

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1. /*------------------------------------------------------------
   
2. Func: EEPROM数据按字写入
   
3. Note: 字当半字用
   6 v$ e  s+ d9 N  X+ s! f. `
4. -------------------------------------------------------------*/  
   2 y, U8 v! d) l  y
5. void EEPROM_WriteWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
   
6. {  
   
7.     uint32 *wAddr;  
   5 f) w. C; a0 U! Y* G; M& v/ o
8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   : d, g9 }, \6 A/ Z
9.     DIS_INT  
   
10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
    - s5 Q- j. L9 b* }$ F" Q! T
11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
    5 a( a/ p; U9 y  b$ Y5 D  u
12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
    0 I  N  a$ A" V. m" j) b
13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
    $ d: e$ u' p# {, ]  ^  F
14.     while(Length--){  
    ' Q0 m3 ?% M; n% U- r
15.         *wAddr++=*Buffer++;  
      k: v6 @5 m: }4 ?/ L! s/ z6 \
16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
    6 M: C) D: A+ p) y! y1 Y0 K9 p
17.     }  
    7 y+ q7 @% e: ]4 z
18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
    1 G8 H4 S/ d3 N- A
19.     EN_INT  
    # G; P( S! i) B6 u" ?
20. }

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    以上代码中，在写入数据之前先关闭系统中断DIS_INT，写入完成之后打开系统中断EN_INT，这样避免在执行写操作的过程中被中断过程所打断，引起CPU异常或锁死，在在使用中一定要注意。在MDK环境中，两个可以这样定义：

1. #define EN_INT          __enable_irq();     //系统开全局中断  
   & R5 v% C) V: N2 x# y; B6 Q6 V
2. #define DIS_INT         __disable_irq();    //系统关全局中断

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/ ^' s* |3 s7 @5 p

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