STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROMSTM32L使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看，其不适用于被反复修改的数据存储使用，一般作为配置参数，其修改次数往往是比较少量的。

    STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址，操作共用同一个读写电路，所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于FLASH的一切访问和操作都将暂停，只有当EEPROM的操作完成后，才继续执行后续代码，在这期间只有EEPROM的读写电路工作，CPU处于挂起状态。

    读操作，和FLASH以及内存一样，EEPROM的数据读取直接用总线读周期读出即可，不需要进行额外操作和设置。

1. #define EEPROM_BASE_ADDR    0x08080000   
   1 C8 ^1 X+ g( e3 x: P
2. #define EEPROM_BYTE_SIZE    0x0FFF

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    以上定义EEPROM区的起始位置和大小，给定偏移量之后，可以按字节/半字/字/双字方式读出，但要注意的是最好偏移地址都按四字节对齐，以免产生总线访问错误或是取不正确：

1. /*------------------------------------------------------------
   ) p' w* ]5 }3 D. T9 v0 V( j8 [
2. Func: EEPROM数据按字节读出
   
3. Note:
   
4. -------------------------------------------------------------*/  
   
5. void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
   
6. {  
   1 q. `" j, W- g$ g+ \
7.     uint8 *wAddr;  
   
8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   
9.     while(Length--){  
   
10.         *Buffer++=*wAddr++;  
    4 K+ X8 a) W# }& m: I) K6 ?
11.     }     
    
12. }  

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1. /*------------------------------------------------------------
   
2. Func: EEPROM数据读出
   
3. Note:
   
4. -------------------------------------------------------------*/  
   & r2 _; U- t" Z* k$ G- _
5. void EEPROM_ReadWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
   ! `2 I4 L8 k3 O8 S/ W6 ^% _
6. {  
   0 v) `4 ]; A' G3 P9 x& t
7.     uint32 *wAddr;  
   ; o) r2 Y; j2 s* B) _
8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   & F, i. b" Y9 e( e6 d. Y1 v0 d" s
9.     while(Length--){  
   
10.         *Buffer++=*wAddr++;  
    
11.     }     
    ' J6 v' o9 B$ `
12. }

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    以上方法使用字节和字方式读出，在后面方法中，在一个字的存储空间内只使用了16个位，另16位不用，这样以避免产生对齐问题。

    EEPROM的编程比读操作要复杂的多，本质上来说，擦除操作和写入操作是一样的，擦除只是在相应的地方写入0x00000000，但在STM32L的实现上，根据其手册说明貌似把这种擦除和写入区分开了，当写入0x00或0x0000或0x00000000时，自动执行一次擦除操作，在值为非0时，才执行一次所谓的写入操作。数据的写入过程先要对EEPROM进行解锁，这通过对特殊寄存器写入特殊序列实现，然后在写入之前进行擦除操作，其擦除是按字/ 双字/页进行的，推荐使用页擦除方式进行，先把参数读到内存，并修改，再进行页擦除，最后将参数写回，这种方式比较通用，否则很容易出现地址对齐或长度问题。在数据擦除完成之后，即可进行写入，每写一字节/半字/双字，都需要判断其是否写入完成，这和内部高压擦写电路有关，只有在上次操作完成之后再进行其它操作才有意义。最后，对EEPROM进行加锁，以保护数据。

    下是手册给出的解锁命令码：

1. #define PEKEY1  0x89ABCDEF      //FLASH_PEKEYR  
   
2. #define PEKEY2  0x02030405      //FLASH_PEKEYR

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    以下分别实现按字节和字方式写入：   

1. /*------------------------------------------------------------
   - K% ^- Q+ g& D" D8 h: ^* c( I
2. Func: EEPROM数据按字节写入
   ; ?6 J- K4 H3 ^1 c$ S8 Q- n8 g3 W
3. Note:
   - b& D2 K: F7 D: }
4. -------------------------------------------------------------*/  
   
5. void EEPROM_WriteBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
   
6. {  
   
7.     uint8 *wAddr;  
   " R# B7 w8 A3 j
8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   # c0 O  v0 t" j6 d$ Z4 q- R
9.     DIS_INT  
   
10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
    
11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
    
12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
    ! @: f$ L1 P  f  k' l$ P
13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
    - s4 v3 A6 A2 v2 m6 c6 U/ a
14.     while(Length--){  
    
15.         *wAddr++=*Buffer++;  
    
16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
    
17.     }  
    
18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
    
19.     EN_INT  
    
20. }

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1. /*------------------------------------------------------------
   
2. Func: EEPROM数据按字写入
   7 R" u$ l: e& E* g. M* G
3. Note: 字当半字用
   9 e& l: h9 K0 o
4. -------------------------------------------------------------*/  
   ' `8 N, v' e" V  J: g
5. void EEPROM_WriteWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
   2 g! O% F" `* F8 E' j8 {
6. {  
   ; G- S% G. _( g& D
7.     uint32 *wAddr;  
   - v6 o) [- b3 y, f. [
8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   ; Y2 R1 D' m0 F5 _- D, [& S- ~& ]
9.     DIS_INT  
   
10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
    5 I0 N5 |& P- u; S2 e3 S
11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
    " u% d% d( ?* |8 F9 I) @. U( A9 b
12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
    / x4 R: g6 O2 G" w( d* B
13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
    
14.     while(Length--){  
    
15.         *wAddr++=*Buffer++;  
    
16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
    
17.     }  
    1 O* Q1 [6 d  l8 m
18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
    
19.     EN_INT  
    
20. }

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8 T6 P( u; V6 D& g    以上代码中，在写入数据之前先关闭系统中断DIS_INT，写入完成之后打开系统中断EN_INT，这样避免在执行写操作的过程中被中断过程所打断，引起CPU异常或锁死，在在使用中一定要注意。在MDK环境中，两个可以这样定义：

1. #define EN_INT          __enable_irq();     //系统开全局中断  
   : i1 g& L6 n/ f$ M& H: S/ z* O
2. #define DIS_INT         __disable_irq();    //系统关全局中断

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0 w5 l) O0 h: i  p

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