STM32L系列单片机内部提供了EEPROM存储区域，但实质上，其FLASH也是EEPROM类型，只不过有一块区域被开放出来专门用作EEPROM操作而已。STM32L的EEPROMSTM32L使用寿命设计为100000次擦写以上，容量为2K-4K，这对于一般设备的参数存储来说是非常理想的。但从EEPROM使用方式看，其不适用于被反复修改的数据存储使用，一般作为配置参数，其修改次数往往是比较少量的。

    STM32L的EEPROM和FLASH是统一编址，操作共用同一个读写电路，所以在EEPROM读写的时候STM32L核对于FLASH的一切访问和操作都将暂停，只有当EEPROM的操作完成后，才继续执行后续代码，在这期间只有EEPROM的读写电路工作，CPU处于挂起状态。

    读操作，和FLASH以及内存一样，EEPROM的数据读取直接用总线读周期读出即可，不需要进行额外操作和设置。

1. #define EEPROM_BASE_ADDR    0x08080000   
   ( X) _( {5 f$ [$ |6 s( d
2. #define EEPROM_BYTE_SIZE    0x0FFF

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    以上定义EEPROM区的起始位置和大小，给定偏移量之后，可以按字节/半字/字/双字方式读出，但要注意的是最好偏移地址都按四字节对齐，以免产生总线访问错误或是取不正确：

1. /*------------------------------------------------------------
   8 N) u6 l: \' ?6 _
2. Func: EEPROM数据按字节读出
   5 p$ l: G! D4 B+ t* C
3. Note:
   - q+ q. I3 w4 T! {: O& U% f: _1 M. i
4. -------------------------------------------------------------*/  
   ) W, M4 |! V/ l
5. void EEPROM_ReadBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
   
6. {  
   
7.     uint8 *wAddr;  
   $ s5 E" u8 ]+ `. q# [* B
8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   7 R! L' o, I/ M0 p! x& Y: T
9.     while(Length--){  
   + D$ z+ v2 [$ O
10.         *Buffer++=*wAddr++;  
    
11.     }     
    
12. }  

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1. /*------------------------------------------------------------
   
2. Func: EEPROM数据读出
   
3. Note:
   ; J# s8 {" v! b
4. -------------------------------------------------------------*/  
   
5. void EEPROM_ReadWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
     K, y* {1 ?% R
6. {  
   
7.     uint32 *wAddr;  
   
8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   + u" Q/ T  l% W4 T4 ^6 B
9.     while(Length--){  
   
10.         *Buffer++=*wAddr++;  
    
11.     }     
    
12. }

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    以上方法使用字节和字方式读出，在后面方法中，在一个字的存储空间内只使用了16个位，另16位不用，这样以避免产生对齐问题。

    EEPROM的编程比读操作要复杂的多，本质上来说，擦除操作和写入操作是一样的，擦除只是在相应的地方写入0x00000000，但在STM32L的实现上，根据其手册说明貌似把这种擦除和写入区分开了，当写入0x00或0x0000或0x00000000时，自动执行一次擦除操作，在值为非0时，才执行一次所谓的写入操作。数据的写入过程先要对EEPROM进行解锁，这通过对特殊寄存器写入特殊序列实现，然后在写入之前进行擦除操作，其擦除是按字/ 双字/页进行的，推荐使用页擦除方式进行，先把参数读到内存，并修改，再进行页擦除，最后将参数写回，这种方式比较通用，否则很容易出现地址对齐或长度问题。在数据擦除完成之后，即可进行写入，每写一字节/半字/双字，都需要判断其是否写入完成，这和内部高压擦写电路有关，只有在上次操作完成之后再进行其它操作才有意义。最后，对EEPROM进行加锁，以保护数据。

    下是手册给出的解锁命令码：

1. #define PEKEY1  0x89ABCDEF      //FLASH_PEKEYR  
   ' I2 A$ \6 T$ h* k( S8 w. y
2. #define PEKEY2  0x02030405      //FLASH_PEKEYR

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    以下分别实现按字节和字方式写入：   

1. /*------------------------------------------------------------
   ! C+ L; e$ [) @) G/ Z
2. Func: EEPROM数据按字节写入
   
3. Note:
   
4. -------------------------------------------------------------*/  
   3 l% w4 @9 s/ \
5. void EEPROM_WriteBytes(uint16 Addr,uint8 *Buffer,uint16 Length)  
   + r2 D2 G& p, |4 B, q& ~. |+ H3 m
6. {  
   
7.     uint8 *wAddr;  
   % d: E* F- F0 p# G" C! }9 Q
8.     wAddr=(uint8 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   6 H& v8 z) y3 d; u* u! D
9.     DIS_INT  
     T0 }. S0 S9 d1 K! f5 r- p, ?
10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
    ! I  j% Y* Q+ {1 b  Z
11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
    ( G3 W0 ]( [1 a: V
12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
    0 U+ @( ?# G, k: ]& U3 B) ~+ v/ C
13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
    
14.     while(Length--){  
      E/ p3 i6 q" c8 A4 q# W
15.         *wAddr++=*Buffer++;  
    
16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
    
17.     }  
    6 O: w* t; `7 q. N" A9 f& r
18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
    ( ]7 m9 _7 ]8 G1 K) M" W
19.     EN_INT  
    : ~/ o( t0 J- \6 s+ O
20. }

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1. /*------------------------------------------------------------
   
2. Func: EEPROM数据按字写入
   
3. Note: 字当半字用
   
4. -------------------------------------------------------------*/  
   
5. void EEPROM_WriteWords(uint16 Addr,uint16 *Buffer,uint16 Length)  
   
6. {  
   
7.     uint32 *wAddr;  
   . [. o( e$ P4 h% ^$ [
8.     wAddr=(uint32 *)(EEPROM_BASE_ADDR+Addr);  
   
9.     DIS_INT  
   4 N/ u7 ~  A- n4 w) r3 o2 z
10.     FLASH->PEKEYR=PEKEY1;                //unlock  
    - z5 m/ F: g1 `+ L' N* z
11.     FLASH->PEKEYR=PEKEY2;  
    - V& O7 o$ o1 g
12.     while(FLASH->PECR&FLASH_PECR_PELOCK);  
    
13.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_FTDW;        //not fast write  
    
14.     while(Length--){  
    " _1 I7 ~- p: S+ T, P/ v/ y
15.         *wAddr++=*Buffer++;  
      \9 i0 n- O/ {" p* f9 O
16.         while(FLASH->SR&FLASH_SR_BSY);  
    5 P; e8 b) k/ t1 j: i7 Q
17.     }  
    
18.     FLASH->PECR|=FLASH_PECR_PELOCK;  
    
19.     EN_INT  
    
20. }

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. U; `6 C( o- F' t& Q    以上代码中，在写入数据之前先关闭系统中断DIS_INT，写入完成之后打开系统中断EN_INT，这样避免在执行写操作的过程中被中断过程所打断，引起CPU异常或锁死，在在使用中一定要注意。在MDK环境中，两个可以这样定义：

1. #define EN_INT          __enable_irq();     //系统开全局中断  
   + G* Q2 c. ?! f2 Q2 @& z" f
2. #define DIS_INT         __disable_irq();    //系统关全局中断

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. D+ f2 c1 ~% x

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