|
M95xxx EEPROM写保护 配置 前言" i5 D( w" Y- [7 V/ L 1 s& Z5 {3 l* u8 R! {" L1 j 以带标识页的M95M01-DF EEPROM为例, 介绍M95xxx系列EEPROM写保护和配置方法。, ]- l0 \# k3 m7 {) Y; X) g 0 i G+ X5 N( I5 u : L3 [- Y [3 t I. ` M95xxx EEPROM写保护介绍 引脚框图和信号描述) j4 |; ~$ N2 n0 I
信号描述: ● 串行数据输出Q:该信号用来从设备移出串行数据,数据在时钟下降沿移出。 ● 串行数据输入(D):该信号用来输入串行数据到设备,当时钟上升沿时,被写入的指令、地址和数据的值被锁存。( m% ~/ x2 l' E0 ]! `$ Z* E ● 串行时钟(C):SPI通信的时钟。( i; Y5 g4 I5 b# }2 Q ● 芯片选择(S ):当输入信号为低时,设备被选择。 ● 保持(HOLD ):HOLD 可以用来暂停串行通信,低电平有效。 ● 写保护(W ):对内存进行写保护配置引脚,在通过写指令操作内存过程中,要维持该引脚的电平不变。 ● 供电(VCC):供电引脚。1 U c c" t* \' S7 E9 ~ Z! f ● 地(VSS):接地引脚。" M" w6 g1 z0 I$ x# y M95xxx EEPROM指令 所有的命令在发送时需要高位在前,指令集如下表所示:
' I5 P4 C6 c3 W" M" L% ` WREN:通过WREN指令来使能写使能的WEL位。 WRDI:写禁止指令WRDI用来复位WEL位,该为设置位0时禁止写或写状态寄寄存器命令来访问EEPROM。 - M$ [* T; ?9 d3 X RDSR:读状态寄存器RDSR用来读状态寄存器,状态寄存器可以在任意时刻被读取,建议在发送一个新指令到EEPROM之前先检查写进度。状态寄存器地输出是连续的1个字节,从0到7位,状态寄存器如下:* E' l/ T( Q2 } l5 C. J3 B
● WIP位:写进度指示位,指示内存忙于在写周期中,该位为1则指示在写周期中忙,为0则空闲;: y- p. B! e+ e ● WEL位:该为设置为1时,内部的写使能开启;当设置为0时,内部的写使能禁止,此时任何的写或写状态寄存器指令被阻止访问。WEL位可以被以下几种情况复位:9 x% b7 h' M" E0 T6 ` • 上电 • WRDI指令执行完成1 z2 O4 y; y" R' r • WRSR指令执行完成' {( j: k" ^0 n, ~* N8 r • WRITE指令执行完成" C4 ?2 @, U# V+ f9 i3 u ● BP1,BP0位:块保护位(BP1,BP0)是非易失的,它们两位决定软件写保护的区域大小。这两位由写状态寄存器命令WRSR来设置。$ f t5 X! Z) I ●
● SRWD位:状态寄存器写禁止位(SRWD)位和硬件保护信号W 结合起来操作。8 }4 @# s7 ~' I! ` WRSR:写状态寄存器(WRSR)用来写一个新值到状态寄存器中,在写状态寄存器命令操作之前,需要先执行写使能WREN指令。写状态寄存器用来改变BP1,BP0,SRWD位的值,写状态寄存器不影响b6, b5, b4, b6(WEL), b0(WIP)的值,即b1(WEL)位是由写使能命令WREN来改变其值的,而b0(WIP)是状态位,不能修改。 5 y$ V" s3 s+ B4 k: t0 r READ:读内存指令,当前如果有写周期在执行中,是无法进行读内存操作的。有效的地址位是A16~A0,地址位A23~A17不用关心。: S) y3 |5 i) Z- v+ p( `0 r# w 3 E1 w6 U" y" E) X* T: R: i8 [( f WRITE:写内存指令,有以下几种情况,写内存指令是不被接受和执行的: ● 写使能位WEL没有被置1; ● 写周期在执行中; ● 在数据传输的最后一个位b0被锁存后,设备还没被取消选择,S 还未置高;, T6 v- @$ b/ y# K9 t ● 要访问的地址页在块保护的区域中。% U% E6 N4 J( V3 W RDID:读标识页指令,256字节的标识页是一个附加的页,能够被写和永久锁存为只读模式。读标识页的最大数量不能超过页边界,否则会读取到不可预测的数据。例如,从位置90开始读取标识页数据,读取的数量不能超过166,因为页边界时256字节。假如有写周期在执行中,那么读标识页指令不被接受和执行。+ b% Y. j H+ c4 g6 N WRID:写标识页指令,256字节的标识页能够被写和永久锁存为只读模式。# g! O+ g% E; Z* M 5 d& q% G. g) f1 { M95M01-DF写保护模式- c8 _( Q- c& |2 Y 8 P" {: T3 n2 v$ r: z. `" V4 } M95M01-DF写保护写保护设置范围如下: ● 四分之一内存保护 ● 一半内存保护 ● 整个内存保护8 R" W9 D: p' U+ k1 g/ Y ● 也可以对内存不保护。/ V4 W3 d. u% `9 ~: j* g M95M01-DF的保护状态分为软件保护和硬件保护模式。状态寄存器中的写禁止位SRWD,是配合写保护引脚W 一起使用的,它们一起决定的保护模式如下表所示:) }; E0 k4 h( L: f
写状态寄存器WRSR对b6,b5,b4,b1,b0位没有影响, b6,b5,b4一直是0。& o2 g& A" v0 f1 T0 G 状态寄存器写禁止位SRWD在状态寄存器中的初始化状态为0,通过WREN命令设置了WEL位后,不管W 引脚的电平如何,都允许写状态寄存器WRSR。 当状态寄存器写禁止位SRWD被置1后,根据W 引脚的电平有以下两种情况:* C* A) r3 ]/ W3 ], E. N* o$ D. ~# U( ? ● 当W 引脚为高时,通过WREN命令设置了WEL位后,允许写状态寄存器WRSR。- d }0 Z! ]4 u0 L2 M3 b ● 当W 引脚为低时,不管是否通过WREN命令设置了WEL位,都不允许写状态寄存器WRSR。 内存中的数据,可以被设置为软保护(SPM),也可以设置为硬保护,其中软保护是通过设置块保护位BP1,BP0。以下两种情况发生时,将会进入硬件保护模式HSM:6 K1 T- i. n( I3 A# J ● W 引脚输入低电平后,置SRWD位为1; ● 置SRWD位为1后,W 引脚输入低电平。) Y8 X* u1 \) g 假如W 引脚一直为高,则硬件保护模式HSM不会被激活,此时只有软件保护模式SPM,使用状态寄存器中的BP1,PB0来设置要保护的内存区域。6 j C; K; h0 a+ q Q+ u1 O" _ 硬件保护模式$ r' p1 ?4 u, N5 A4 @1 Z2 z W 引脚输入低电平且SRWD位为1时,此时配置为硬件保护模式。进入硬件保护模式下不可修改保护位BP0和BP1的值,保护的范围由BP0和BP1的值决定。; J5 Y- _# i* z $ F6 u) b& O; K6 D; N% d# t 软件保护模式 W 引脚输入低电平和SRWD位的值具有如下组合时,可配置为软件保护模式。% P8 X0 s. M( c: ^& ]* T" ?( B
软件保护模式下可以修改保护位BP0和BP1的值来决定保护的内存范围。 上电状态 上电以后,EEPROM将会有如下状态:1 s" f Q( b+ ^ ● 待机模式;0 H. k' x! x- M& R0 z# ~7 g% t m ● 设备上电后,EEPROM是被取消选择的状态,需要S 下降沿来开启指令传输;" ]+ M( o' ]# Y% h7 l+ W ● 不在保持状态下; ● 写使能锁存位是复位为0的;3 m7 r* N6 U' c2 C/ P; D) J1 D ● 写进度位使复位为0的; 状态寄存器中的SRWD,BP1和BP0是断电后不会改变的,非易失的。 交货状态 整个内存区域和标识页的字节都设置为0xFF。状态寄存器写禁止位SRWD和块锁存位BP1、BP0都初始化为0。; E. C& O* Q) A! ^$ G* s$ q M95xxx EEPROM写保护配置 由于状态寄存器中的SRWD,BP1和BP0是断电后不会改变的,非易失的,所以无论是硬件保护还是软件保护,在配置硬件保护或者软件保护时,还需要考虑状态寄存器中的SRWD,BP1和BP0位的上电状态和出厂状态,以保证写保护软件能正常使用。以下是参考的硬件保护、软件保护、不保护的配置方法。( P5 \! d9 |+ {( {( L. w# A , _' z/ l9 F( f0 [9 E 硬件保护配置) u, W, \! H" D$ i- z W 引脚设置为高电平;% f# ^$ {: o+ c' m# k% E4 ] 通过WREN指令设置WEL位为1,使能写指令;2 u$ d: v2 ?5 J1 @; n8 {8 @$ c1 O 通过WRSR指令写入BP1,BP0的保护值; 通过WREN指令设置WEL位为1,使能写指令; 通过WRSR指令将SRWD位设置为高电平; W 引脚设置为低电平。 软件保护配置 W 引脚设置为高电平;/ \# p. ?, f1 h" Y/ _* g1 X 通过WREN指令设置WEL位为1,使能写指令;4 C% X1 z& R% Q" c5 h 通过WRSR指令写入BP1,BP0的保护值; : V' o# g6 j7 Z/ V# H/ b5 e 不保护配置 W 引脚设置为高电平;0 ?; @4 Q3 H7 C" M2 w- [ 通过WREN指令设置WEL位为1,使能写指令; 通过WRSR指令写入BP1,BP0的保护值为不保护的组合值00; 通过WREN指令设置WEL位为1,使能写指令;0 T, o0 ]& M, T( N; c 通过WRITE指令写入数据到EEPROM;3 c n$ b' U4 m! k8 R) c 以上WRITE命令执行完成后,如果还想写入数据则需要通过WREN指令设置WEL位为1,使能写指令,然后再通过WRITE指令写入数据。$ v3 G @0 w* w( P$ } ; K f: Q# _( \; N: f- T1 L3 | |- w 结论 通过对M95xxx系列EEPROM进行写保护介绍,能够快速指导用户编写HOST端对EEPROM内存保护的软件设计,帮助客户快速使用M95xxx系列EEPROM写保护功能,并提醒客户使用中应该从上电、出厂、运行状态考虑。8 E8 R6 x7 R& O8 E- K* I% M/ w v
M95xxx EEPROMåä¿æ¤é
ç½®.pdf
(570.02 KB, 下载次数: 54)
|
| 资料很好,谢谢分享 |
| 谢谢分享 |
微信公众号
手机版