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M95xxx EEPROM介绍 " l0 T& a' n- R6 y; B6 U# D( B& w前言! Q s2 P: g" o+ a) R8 C( ? 以带标识页的M95M01-DF EEPROM为例, 介绍M95xxx系列EEPROM,包括内存组织、SPI接口时序、指令、读写时间、供电、写保护以及出厂参数等等。 & g8 W' ~, f1 o M95xxx EEPROM介绍3 e% s( E% ]" }2 S& j9 T * l9 d* m% S* R% |. r! i) x M95M01-DF特性介绍' J3 O( z/ n% {, f8 a4 e6 S • 访问接口:SPI • 时钟速率:16MHz8 |; W3 Z+ {# T& l& u' l' o, I •内存组织 ·1Mbit(128KByte): a' U# j! L& E0 ^) y0 h · 页大小:256字节( }" w+ q* i* Z: K( i • 写操作: ·页写时间5ms2 L/ V" `2 o9 i, c% J2 @/ y · 字节写时间5ms • 写保护设置: ·四分之一内存保护' e9 ~, r% p) P1 E& V1 L ·一半内存保护# Y. V! y& N! w+ c · 整个内存保护7 o. [3 _' e: e$ R • 供电: · 对于M95M01-R,1.8V~5.5V。 ·对于M95M01-DF,1.7V~5.5V。+ {: B8 L( t9 Q" L0 W • 工作温度范围:-40~+85摄氏度 • 400万次写周期 • 200年数据保存时间- i, D- V- A; v- t( t/ n, h6 l% d8 F •封装:SO8、TSSOP8、WLCSP9 i" T+ F/ F5 v1 J1 G: ^. q" U •Identification Page:256字节。Identification page用来存储应用程序的敏感数据,可以被永久锁存为只读模式。M95xx系列EEPROM分为带标识页和不带标识页的型号,根 据芯片编号来区分。 . c- w8 p6 N4 N0 Z+ I+ ]2 h( }9 U M95xx系列EEPROM命名规则, j+ F( `3 Q" T2 s; Q
内存组织7 a2 R& _/ v) \- p
0 ^ U6 K6 N, T" S( O 引脚框图和信号描述
; w8 f8 J x* t3 c( j1 l! e 信号描述: • 串行数据输出Q:该信号用来从设备移出串行数据,数据在时钟下降沿移出。 • 串行数据输入(D):该信号用来输入串行数据到设备,当时钟上升沿时,被写入的指令、地址和数据的值被锁存。 • 串行时钟(C):SPI通信的时钟。 • 芯片选择(S ):当输入信号为低时,设备被选择。 • 保持(HOLD ):HOLD 可以用来暂停串行通信,低电平有效。0 ^; V9 N% l8 h+ | • 写保护(W ):对内存进行写保护配置引脚,在通过写指令操作内存过程中,要维持该引脚的电平不变。 • 供电(VCC):供电引脚。/ v4 ]* C. M" u0 q$ I • 地(VSS):接地引脚。3 d5 e% |& N1 ] ( d2 W0 f# c5 c SPI时序 M95M01支持SPI接口访问,支持以下两种模式:+ M/ H/ @) J) M# _* K • CPOL = 0, CPHA = 02 ~7 }: I8 ]8 c9 T7 v • CPOL = 1, CPHA = 1 对于这两种模式,一种模式是输入数据在串行时钟的上升沿锁存,另外一种模式是输出数据在时钟的下降沿有效。时序图如下图所示:
指令, D/ y/ s/ C e. q K3 E 所有的命令在发送时需要高位在前,指令集如下表所示:
1 D+ [% H3 `) Q/ x- G 写使能指令WREN 通过WREN指令来使能写使能的WEL位。$ D& t7 n2 l6 T( `1 A4 u; B5 T, [* _& U& A
写禁止指令WRDI7 E* M% L m2 `/ y6 I2 V0 b 写禁止指令WRDI用来复位WEL位,该为设置位0时禁止写或写状态寄寄存器命令来访问EEPROM。
/ [' ]0 z. O5 s- ]3 ?$ I 读状态寄存器指令RDSR* c; X- m, G" Y4 b6 I' b4 E 读状态寄存器RDSR用来读状态寄存器,状态寄存器可以在任意时刻被读取,建议在发送一个新指令到EEPROM之前先检查写进度。状态寄存器地输出是连续的1个字节,从0到7位,如下图所示:
状态寄存器如下:* ]3 M' V! k- q1 } _1 Q" \+ l
• WIP位:写进度指示位,指示内存忙于在写周期中,该位为1则指示在写周期中忙,为0则空闲;6 A& ]5 V1 }( m& p! D • WEL位:该为设置为1时,内部的写使能开启;当设置为0时,内部的写使能禁止,此时任何的写或写状态寄存器指令被阻止访问。WEL位可以被以下几种情况复位: ·上电 · WRDI指令执行完成 ·WRSR指令执行完成' E* m. p* I5 z: E% e4 C ·WRITE指令执行完成 • BP1,BP0位:块保护位(BP1,BP0)是非易失的,它们两位决定软件写保护的区域大小。这两位由写状态寄存器命令WRSR来设置。" e* ~0 `- W! L7 ~' a •
• SRWD位:状态寄存器写禁止位(SRWD)位和硬件保护信号W 结合起来操作。+ W3 x* ]: _$ i7 A4 B / O1 B" H' J; [ 写状态寄存器指令WRSR 写状态寄存器(WRSR)用来写一个新值到状态寄存器中,在写状态寄存器命令操作之前,需要先执行写使能WREN指令。写状态寄存器用来改变BP1,BP0,SRWD位的值,写状态寄存器不影响b6, b5, b4, b1(WEL), b0(WIP)的值,即b1(WEL)位是由写使能命令WREN来改变其值的,而b0(WIP)是状态为,不能修改。
读内存指令 当前如果有写周期在执行中,是无法进行读内存操作的。有效的地址位是A16~A0,地址位A23~A17不用关心。
: o H$ `) i, ^0 S& ~9 K 写内存指令2 R6 c8 Y" R3 V+ p* A 字节写时序图如下:! ~/ |2 p" E9 }9 D$ B
页写时序图如下:2 ~; {7 w( N: `1 W; T3 }% m: l K
' F& b6 r& e$ k 有以下几种情况,写内存指令是不被接受和执行的: • 写使能位WEL没有被置1;; `3 X( y& O$ ? H5 R4 N9 u • 写周期在执行中; • 在数据传输的最后一个位b0被锁存后,设备还没被取消选择,S 还未置高; • 要访问的地址页在块保护的区域中。 读标识页指令6 U* @' s7 R; P S( s, t2 h 读标识页时序图如下:
256字节的标识页是一个附加的页,能够被写和永久锁存为只读模式。读标识页的最大数量不能超过页边界,否则会读取到不可预测的数据。例如,从位置90开始读取标识页数据,读取的数量不能超过166,因为页边界时256字节。. b0 l9 c3 ]+ C: s 假如有写周期在执行中,那么读标识页指令不被接受和执行。 写标识页指令 写标识页时序图如下所示:8 ^; S; X9 U" r6 T
256字节的标识页能够被写和永久锁存为只读模式。! Y G; E' e' [ A' o " C2 S0 J i4 e8 P' N 数据保护 状态寄存器中的写禁止位SRWD,是配合写保护引脚W 一起使用的,它们一起决定的保护模式如下表所示:
写状态寄存器WRSR对b6,b5,b4,b1,b0位没有影响, b6,b5,b4一直是0。 状态寄存器写禁止位SRWD在状态寄存器中的初始化状态为0,通过WREN命令设置了WEL位后,不管W 引脚的电平如何,都允许写状态寄存器WRSR。; c! |! v: r( o% Y5 b5 E 当状态寄存器写禁止位SRWD被置1后,根据W 引脚的电平有以下两种情况: • 当W 引脚为高时,通过WREN命令设置了WEL位后,允许写状态寄存器WRSR。6 u6 j8 ^" z) l' e • 当W 引脚为低时,不管是否通过WREN命令设置了WEL位,都不允许写状态寄存器WRSR。 内存中的数据,可以被设置为软保护(SPM),也可以设置为硬保护,其中软保护是通过设置块保护位BP1,BP0。以下两种情况发生时,将会进入硬件保护模式HSM:0 X* }0 l1 j1 k p# \ • W 引脚输入低电平后,置SRWD位为1; • 置SRWD位为1后,W 引脚输入低电平。2 Q0 J7 _+ f. d! e) |4 D- g 假如W 引脚一直为高,则硬件保护模式HSM不会被激活,此时只有软件保护模式SPM,使用状态寄存器中的BP1,PB0来设置要保护的内存区域。' H$ O1 Y/ C6 V( [8 z; C0 A 读锁状态 读锁状态时序图如下所示:
读锁状态指令用来检查标识页是否被锁或为只读模式,地址位A10必须为1,其它地址不用关心。锁存位是读取到的数据的最低位,该位为1则锁存被激活,该位为0则锁存未被激活。1 c9 W9 C; |3 `) b9 ] * X* V) ?4 y: y 锁状态查询 所状态指令时序图如下所示:
锁标识指令永久地锁存标识页为只读模式。该执行执行之前,先要执行写指令WREN。地址A10必须为1,其它地址位可以不关心。数据字节必须按照二进制的xxxx xx1x发送,x位的值不需关心。3 A; U6 L: J6 e 有以下几种情况会导致锁标识指令不被接受和执行:/ }6 p+ M2 |& E% a3 Q+ I$ @ • 写周期已经在进行中;" l9 a1 j" H& C$ z" I • 块保护位设置为(BP1,BP0) = (1,1) ;4 s+ y9 D+ n q3 C3 r • 数据传输边界时的S 上升沿出现。2 h6 ?% H! N" c9 L9 M 上电状态 上电以后,EEPROM将会有如下状态: x' T6 c* L2 s3 m • 待机模式;) M& v& s6 U& l, e' V4 j/ X • 设备上电后,EEPROM是被取消选择的状态,需要S 下降沿来开启指令传输; • 不在保持状态下; • 写使能锁存位是复位为0的;% h% V; a2 w7 w9 _ • 写进度位使复位为0的; 状态寄存器中的SRWD,BP1和BP0是断电后不会改变的,非易失的。 交货状态 整个内存区域和标识页的字节都设置为0xFF。状态寄存器写禁止位SRWD和块锁存位BP1、BP0都初始化为0。4 R8 \' ~/ v/ H; ?4 u 结论5 X% k0 o# R3 a# Y8 a 通过对M95xxx系列EEPROM进行介绍,能够快速指导用户如何使用HOST访问EEPROM内存和进行写保护设置,用户可以在设计产品过程中参考本文档进行软件设计,特别是写保护设计部分。' z0 I# V( G8 V# a3 y& Z } % _( I1 ~$ [3 ]3 d ; M- d$ u! k( s2 p2 l$ q+ O% G
M95xxx EEPROMä»ç».pdf
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