STM32相关的底层结构

aimejia · 2018-05-22T03:08:18+00:00

本帖最后由 aimejia 于 2018-5-22 11:13 编辑 7 j# l" E8 d( q6 I7 D+ [* g4 t% { 9 M; U5 }/ F$ [9 s 1.芯片结构组成图：' l# w! o/ k6 {+ ^6 Y+ l l2 z$ C# O$ U" D. {( R0 q 5 g% ]9 X; Y# I6 v: k8 [' `2.STM32内部结构： 2 j' h) f D( a- R/ V- ~2 {: A% E4 Y" R' L( @ 3.Cortex-M3模块结构图： % K. z3 Z6 p. t5 V: ]) _2 m6 y, L" @% R! T6 p5 k1 u1 z. p 2 A& P1 E, i d4 B ) ]3 z, M# e. `4 t2 v$ Z. ` 4.STM3210X内部结构： 6 Z8 v0 i: N( O7 V% O7 l) _1 L6 e 4 k1 J! n6 Q, f0 Z桥： 9 K F: \) _1 z s+ F9 I/ L- ^ ! B3 P8 ^; o% i% _) i+ R# i + J; O7 ^. E u. U / T' V7 U; b" {) K/ y 四个主动单元 : " I6 g/ N0 x6 o2 K- R! y M3内核的ICode总线(I-bus)、DCode总线(D-bus)、系统总线(S-bus)、DMA(DMA1、DMA2、以太网DMA) ! z! }: D7 Q4 T9 u' h: A: M) o0 q1 o& Q" W) q9 C 四个被动单元 :1 Y l% P- A9 V/ k& g0 ^2 e$ h. u 内部SRAM、内部闪存、FSMC、AHB到APB桥 + F8 M0 @: R* k4 a3 }; {- V2 l! O( _6 i7 _) m3 y ICode总线 : 8 Q- L' S: u c 将M3内核的指令总线与FLASH指令接口相连，用于指令预取 % r# N8 K/ j0 G* h4 B3 v4 A, {3 N& ?4 | DCode总线: % ^$ t1 J7 H7 h4 h( k8 y 将M3内核的数据总线与FLASH数据接口相连，常量加载和调试 5 I0 K4 J# o# a: V/ u- `7 n) o0 M! J: s/ T 系统总线 : : h: n; |/ b8 j3 M 将M3内核的系统总线与总线矩阵相连，协调内核与DMA访问 6 t9 A$ f6 X) {% A& Q, I % i8 L1 V$ i' d; o0 b4 {DMA总线: ! V8 \. e& l' [5 D; {* m& R 将DMA的AHB主控接口与总线矩阵相连，协调CPU的DCode和DMA到SRAM、闪存、外设的访问/ M1 ^8 z: q( X& p / B& |# H6 M! } 总线矩阵:4 F/ \. K4 {/ s1 q! F/ _8 q/ p 协调内核系统总线和DMA主控总线间的访问仲裁，仲裁采用轮换算法& Q( f* k3 \# y8 ^5 d: |6 @. z 包含DCode、系统总线、DMA1和DMA2总线、被动单元 : M# m3 h! f- _' J& y8 M! p 6 }* E( C4 R1 Q7 x' v# Q T AHB到APB桥 :' N: g: W. z' y. N' R 两个AHB/APB桥在AHB和两个APB总线间提供同步连接 7 n' V. V9 f6 ^. Q4 Q% r2 k8 m$ n* e APB1速度限于36MHz，APB2全速最高72MHz; {! \. U% p; j$ s/ s 5 \/ M! ]; [7 |4 R 9 g& G( F" s* N( m一、时钟结构(时钟和复位模块，如参考上半部分所示) & g9 L) D5 }! T# h' k' q , h6 m# R. r2 h6 z$ J$ {* T系统复位后，所有外设全部关闭，但 SRAM 和 FLASH接口（FLITF）除外。 " q, m( f* z8 x$ v( Y使用外设之前需打开该外设时钟，设置 RCC——AHBENR 寄存器。 F0 W% z0 W! p+ ~: V * M W, j( ^- v' ^7 S, o3 d, d 1 ~# d/ |4 O+ b' g8 @7 q- y0 ?" W# O * x" Z* f, j9 m 二、存储结构：（参考上半部分） ( h5 O- B9 n* ]4 _8 L+ l' Y. T( o*存储组织：; o8 W: h! z- E Cortex-M3的存储系统采用统一编址方式，小端方式 4GB 的线性地址空间内，: \+ H( U+ {# a0 X f 寻址空间被分成 8 个主块 block0-block7 ，每块512MB。 ; c" h4 B& H; n& x9 [9 L4 k, o' R# w( G/ i: U4 } 片内Flash：从 0x00000000开始（严格来讲是从0x08000000开始，到0x0800x xxxx结束，程序就烧到里面。）; L4 S3 C& w) O 片内SRAM：从 0x20000000开始（用来保存程序运行时产生的临时数据的随机存储器，运行时变量，堆栈的存放的地方） 8 A8 t+ g2 i8 Y+ d& B, C- ?, V 包括： 5 g, G% ] H& s- K 代码空间 ; M6 Y; f2 ^- Y# U. Q+ e6 } 数据空间 5 K. G: y n" f0 a. {' T7 W2 u 位段、位段别名 $ f. }7 ?- v# C8 Z3 H$ I& d 寄存器 # J" `$ g7 [9 l3 y8 D! k5 ] 片上外设 + a* t. V+ u7 I, u- R 外部存储器 . U6 h" Z1 j5 U, b3 S* o: ] 外部外设 6 |0 N: `: u/ {0 \# e 拓展延伸：e2prom ，存储掉电需要保存的数据；fsmc总线还可以扩展nor 和nand；* `; T( {8 A. a8 ^ 9 B K! j: a8 p, }) M( e; b0 t4 [+ N3 ?5 Q ( E) h1 ~1 q: D1 h+ a! v b2 n $ i4 l8 K9 i4 b2 s * v: P9 s8 G9 [- s9 m1 h+ d3 \9 p+ V- K! Z. M; Z- \/ g$ `! w* l " L A5 ]0 d1 I! o6 \* T M9 d5 Y" s" n) G6 v+ o* K *FLASH： # a$ C' G- d. R% d9 S+ q. N! T由 Main Block 和 Information Block组成 - e! J/ `- p1 ~( ] Main Block：/ r; o: d/ C( I& {3 }; ^ 存放用户程序，最高512KB 地址范围：0x0800 0000 – 0x0807 FFFF - `% w% q: J4 J2 `! l ^% [ 小容量：16K-32K，最大4Kx64bit，共32x1K页7 d% W7 V+ p- h; @ 中容量：64K-128K，最大16Kx64bit，共128x1K页 5 N9 s( F1 d& P' Y. q: \! L 大容量：256K-512K，最大64Kx64bit，共256x2K页 * D G! K+ K8 N 小容量：16K-32K，最大4Kx64bit，共32x1K页 ( _6 n1 J$ B/ B% s8 A& s 互联型：最大32Kx64bit，共128x2K页1 F5 u- x, B; m/ l3 K ( Q( [( }* T3 y( G. ~; P: u$ ` Information Block： 8 }5 r# f) {$ k1 j System Memory 2KB：0x1FFF F000 – 0x1FFF F7FF ISP Bootloader程序 1 _. ]* g( w, F! m2 E" ~ Option Bytes 16B：0x1FFF F800 – 0x1FFF F80F( @1 ^5 P; ]1 `9 J7 W4 x 6 Z" E2 a& O* R0 g# N4 e , B! {3 m. _" D; Z0 k4 N9 l; o0 n, m6 A& } *SRAM： # I: k5 g- t8 w6 v |9 G 最大64KB ! ]! e& h9 ?$ L2 j 地址范围：0x2000 0000 – 0x2000 FFFF+ L/ K0 M7 J8 d ; A+ @$ p, T! L *片上外设地址映射： # j( _* D% c8 R* h3 ?9 K & h) L/ m* X# E" q- {/ F3 U( D. X 7 i& ]: x$ V- @; _0 w; N1 A" y" o & F' j8 T ~- [6 e * J4 J: k- h! S+ U 3 x8 e: G! e; {% f! {* t! ?! l2 U6 v2 u6 \' z / h+ |4 ^1 [; k, X' c4 b7 C ' Q2 g* d' Q5 a- O- }*位段(bit-band)、位段别名： 6 v- k# v8 y4 }: M M3存储空间中包括两个位段区，该区域即可字操作，又可位操作1 a# t! _* s6 y' r, I* q/ B SRAM最低1MB空间： 0x2000 0000 – 0x200F FFFF % L( y, _8 c5 f, }$ L3 w! C' x 外设最低1MB空间：0x4000 0000 – 0x400F FFFF 1 p) m- m- }6 j" Q+ H a.为方便位段区的操作，安排了两个32M的位段别名区 0 ?0 c" `& g, S7 ?8 \6 W b.位段区中每一位映射位段别名区中的一个字4 D! ~* a+ [( | G) v$ L2 k) C c.通过对别名区中某个字的读写操作，可以实现对位段区中某一位的读写操作 ' _1 \1 j1 o/ [( K* K4 K: [ 别名区，2个32MB：7 F; U3 y) m+ z/ z5 ^. ^* G2 L% ~ SRAM：0x2200 0000 – 0x21FF FFFF ) v. s0 q- r; G3 W3 H8 [9 Q# D 外设：0x4200 0000 – 0x41FF FFFF - m6 Z9 j( L6 G 位段别名区中的字与位段区的位映射公式：5 K+ l& N+ D8 n1 l bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset x 32) + bit_number x 4 + Y9 m) e/ Z0 c: j% D5 ` 例如：SRAM位段区中地址0x20000300字节中位2% p/ ]+ c% V3 B 0x22006008 = 0x22000000 + (0x300 x 32) + (2 x 4): b" t, T. f* i! x) L 6 J) G' T: V( U1 V5 t 对别名区中某个字进行写操作：该字的第 0 位将影响位段区中对应的位$ l" V7 W" j$ H0 l, t+ G 对别名区中某个字进行读操作：若位段区中对应的位为 0 则读的结果为 0x0 ，若位段区中对应的位为 1 则读的结果为 0x1 # N/ u7 r t# K+ T PS: 对别名区的读写可以实现对位段区中每一位的原子操作，而且仅只需要一条指令即可实现4 a& y2 q& ?7 A$ k5 H& n+ ]1 m & ~; A. l4 M* ?7 h + h& _- W) Y# U" q2 R- E$ t6 T4 v/ ] *启动模式 : " Q W/ i/ ^( r: s) V7 i: c$ H STM32系统启动区：0x0000 0000 – 0x0007 FFFF，512KB # E3 @! K* x9 m3 x" h [* c 系统启动之后： CPU从位于0x0000 0000地址处的启动区开始执行代码9 O( P9 a: [% } 该区实际既无FLASH，也无SRAM，通过引导配置后，将实际引导区映射到启动区4 I* r, j R7 ?3 o+ x+ n 系统复位后，在SYSCLK第4个上升沿，BOOT管脚的状态被保存，用户通过设置BOOT1，BOOT0的引脚状态选择启动模式0 A/ X; X$ P9 x. w CPU从位于0x0000 0000地址处的启动区开始执行代码 , O+ n, G* G5 K8 D# i$ V" x 0x0000 0000 实际是SP & ~( I) O. S5 Z 0x0000 0004 是执行代码的地址 + N5 Y: x3 w8 s- b0 N 即使被映射到启动区，仍然可以在原存储空间访问相关存储器 * ?" ~4 n8 U w 从待机模式退出后，BOOT引脚状态被重新保存，待机时，BOOT管脚需保持3 H* P" F Q' {* {; T7 ^ Z+ i1 k6 f/ B+ Z& |& c/ \7 ~ STM32F10x通过配置 BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式2 ~* e A' l( S/ V M L8 F& q% @( s' y9 S9 x# Z5 F 4 q# {! q, _% M. {& Q1 ~ # e6 U6 T+ P( f q, ] 三、片上外设: u+ a8 F |3 a' q' n% {' j5 l STM32F10x外设 $ K/ f( ~2 n' L6 a3 C- k& C* d- _& A' h 9 |+ ^6 Y* m6 `/ B4 t g 7 D# ]3 q n: b' H9 Q4 b! {STM32F103xx增强型大容量外设 ' ?/ @9 e8 ~4 J5 k, N - h. K* [; g U1 p) B$ E $ H# f* a# f+ a p4 i( p6 `) }+ b2 A + K" o3 t5 \( V) G- }四、GPIO结构 ; U. U# Y- l1 C1 H- U% z9 i) L' o1 r% Z0 Z, x/ Q& V) R 共?(5) x 16个I/O口: - t. a# H; t' Y! U PA0 ～ PA15 ) e# `: V$ g) Z% P PB0 ～ PB15 6 e% `- y: e8 _8 v5 | PC0 ～ PC15 2 y2 _/ Z, j6 m6 ` ^ PD0 ～ PD15 + w5 w6 \! B' o6 U0 U5 Q PE0 ～ PE155 ~8 }( j) V7 F% o1 r2 k ' h' F4 J8 t+ i: m/ H+ r. w / U* \- ^, {4 X- G 3.3V与5V兼容:' M& m: D, N; U+ }9 D2 ~ 1 T {" F/ o+ {2 f# ~ PA8 ～ PA15 % C' h! u x4 H# ?& w PB2 ～ PB4、 PB6 ～PB15 " x0 F* j, n$ W w PC6 ～ PC12 # S9 ]- w& u% @) ~; p5 V: ? PD0 ～ PD15 , A1 n. l/ a @4 T5 \ PE0 ～ PE15 / x d+ I, p! N( W0 s0 }% m( L8 G8 ^6 o7 G# Y' e/ ^ 仅支持3.3V:# ?' q( W, M0 k ( ~' v0 ]7 g, f% K/ o" u PA0 ～ PA7，兼做 ADC_IN0 ～ ADC_IN7 # \$ u4 ?( c3 G2 p0 }/ }% w PB0 ～ PB1，兼做 ADC_IN8 ～ ADC_IN9 S, y8 E+ A8 i( J5 ?# {0 s2 e PB5 & Q! G1 E4 Y" t2 [" H PC0 ～ PC5，兼做 ADC_IN10 ～ ADC_IN15 ( m% S) k9 N) o0 @+ _ PC13 ～ PC15 w) p* I4 @) U2 {; R( j0 s | H B) e' M# c/ K# l; | * v. B- w1 e" T+ q9 a1 y7 _+ J! m, w/ V5 S, X6 [" u& j & `* f! J) N8 W4 O( Q1 X + I# b& e) v: T" [0 U* P4 i' p 2 s2 @) R& D- a0 v% z% z* K) z - B' y0 t' b+ H; E, k 6 F+ Z2 {3 M' C: l6 @ ' ~ A+ L; G8 H7 b0 `' n & ^- P: S: ?8 I* y ( [" A7 l! o) k6 Y引脚（48 64 ...） 6 i- O& M U' {开发工具 2 @9 f" @2 j+ ?2 h ; M, S6 j* @. A# _$ D 6 u8 J$ s1 z( U; X" v6 N( c STM32系列的优点; |0 Z3 X$ E! g& N$ e+ H 7 w! A0 w5 j' R1 o2 N9 g 先进的内核结构，STM32系列使用了ARM最新的、先进架构Cortex-M3内核) Z% _; a4 j9 d# q& g 优秀的功耗控制，STM32处理器具有三种低功耗模式 ; r3 n$ w% _9 p7 x' y 运行模式时使用高效的动态耗电机制，在Flash中以72MHz全速运行时，如果开启外部时钟，处理器仅耗电27mA 6 S) I8 v g" Y 待机状态时极低耗电，典型值2uA 8 ~$ W5 g* l E8 [ 电池供电时，提供低电压2.0～3.6V工作能力0 L# G3 i, R1 U! U9 e* t L 灵活的时钟控制机制，用户可以根据自己所需的耗电/性能要求进行合理优化% S. c( U1 [2 |5 n7 ^) M! m RTC可独立供电，外接纽扣电池供电3 R0 o2 m) u( y! L, w& v3 c( m + L% R9 d3 Z" _3 t性能出众而且功能创新的片上外设: d. n. t4 J1 L" j! ~ STM32 处理器片上外设的优势来源于双 APB 总线结构' ?! L! q) N6 h2 a 其中有一个高速 APB，速度可达CPU 的运行频率，连接到该总线上的外设能以更高的速度运行, z, j! M( _: Z% d+ f! j& d USB: 12Mbit/s + h) h$ o9 D p7 M- a& x USART: 4.5Mbit/s 5 Z' ?/ Z0 T+ ] PI: 18Mbit/s # w4 G* B& f2 h% V IIC: 400kHz % D) g. Y+ y% I* V GPIO: 18MHz翻转 3 }( N0 Y- q9 O, K3 Q PWM: 定时器72MHz输入 / ]. x9 R$ B; T0 c3 M 针对 MCU 应用中最常见的电机控制，STM32 对片上外围设备进行一些功能创新. l/ I+ ~9 Q) g5 |' G( B$ u4 C 内嵌适合三相无刷电机控制的定时器和ADC3 b E3 [4 F6 k& c" Q 高级PWM定时器提供：5 d% d4 m4 ]9 ^& S- n/ r, r 6路PWM输出 -> 死去产生 -> 边沿对齐和中心对齐波形 ; N7 Z0 z$ K/ ^ 编码器输入 -> 霍尔传感器 -> 完整的向量控制环紧急故障停机、6 g, ~7 s; f( Z' V5 H, o9 [& K 可与2路ADC同步、与其它定时器同步可编程防范机制可用于防止对寄存器的非法写入 ' j7 q+ e4 W) v" ~. K) B6 r0 p9 U, u 双通道ADC采样/保持，12位1uS，连续/独立模式，多触发源; P/ m* h# t& \ 等等$ G, H: R+ B. O6 Z / Y) v! a+ |- v# p1 d 6 Z" k7 |5 @8 ^; V) I4 h4 K; O! ~4 X% C/ v" B0 l" O) P0 ]& V/ u 转载自无穷山色) N% M! e2 X! `9 k 9 C. z3 E9 {# A+ ?$ R6 a0 k; e4 |! Y3 G; o ' _- f& |# s2 X. Z5 i 6 a7 l- ?6 h: Y ) |4 A! I$ L Q- b ; }6 _# t# n# l ~0 j" u9 p! _7 c1 [ 5 a+ a! D& Y. v& H0 z) o% s

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aimejia 发布时间：2018-5-22 11:08

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本帖最后由 aimejia 于 2018-5-22 11:13 编辑

1.芯片结构组成图：

5 g% ]9 X; Y# I6 v: k8 [' `2.STM32内部结构：

3.Cortex-M3模块结构图：

4.STM3210X内部结构：

桥：

四个主动单元 :
      M3内核的ICode总线(I-bus)、DCode总线(D-bus)、系统总线(S-bus)、DMA(DMA1、DMA2、以太网DMA)

四个被动单元 :
      内部SRAM、内部闪存、FSMC、AHB到APB桥

ICode总线 :
      将M3内核的指令总线与FLASH指令接口相连，用于指令预取

DCode总线:
      将M3内核的数据总线与FLASH数据接口相连，常量加载和调试

系统总线 :
      将M3内核的系统总线与总线矩阵相连，协调内核与DMA访问

DMA总线:
      将DMA的AHB主控接口与总线矩阵相连，协调CPU的DCode和DMA到SRAM、闪存、外设的访问

总线矩阵:
      协调内核系统总线和DMA主控总线间的访问仲裁，仲裁采用轮换算法
      包含DCode、系统总线、DMA1和DMA2总线、被动单元

AHB到APB桥 :
      两个AHB/APB桥在AHB和两个APB总线间提供同步连接
      APB1速度限于36MHz，APB2全速最高72MHz

一、时钟结构(时钟和复位模块，如参考上半部分所示)

系统复位后，所有外设全部关闭，但 SRAM 和 FLASH接口（FLITF）除外。
使用外设之前需打开该外设时钟，设置 RCC——AHBENR 寄存器。

二、存储结构 ：（参考上半部分）
*存储组织：
      Cortex-M3的存储系统采用统一编址方式，小端方式 4GB 的线性地址空间内，
　　　寻址空间被分成 8 个主块 block0-block7 ，每块512MB。

      片内Flash：从 0x00000000开始（严格来讲是从0x08000000开始，到0x0800x xxxx结束，程序就烧到里面。）
      片内SRAM：从 0x20000000开始（用来保存程序运行时产生的临时数据的随机存储器，运行时变量，堆栈的存放的地方）
      包括：
            代码空间
            数据空间
            位段、位段别名
            寄存器
            片上外设
            外部存储器
            外部外设
   拓展延伸：e2prom ，存储掉电需要保存的数据；fsmc总线还可以扩展nor 和nand；

*FLASH：
由 Main Block 和 Information Block组成
         Main Block：
         存放用户程序，最高512KB          地址范围：0x0800 0000 – 0x0807 FFFF
         小容量：16K-32K，最大4Kx64bit，共32x1K页
         中容量：64K-128K，最大16Kx64bit，共128x1K页
         大容量：256K-512K，最大64Kx64bit，共256x2K页
         小容量：16K-32K，最大4Kx64bit，共32x1K页
         互联型：最大32Kx64bit，共128x2K页

      Information Block：
      System Memory 2KB：0x1FFF F000 – 0x1FFF F7FF ISP Bootloader程序
      Option Bytes 16B：0x1FFF F800 – 0x1FFF F80F

*SRAM：
最大64KB
地址范围：0x2000 0000 – 0x2000 FFFF

*片上外设地址映射：

*位段(bit-band)、位段别名：
  M3存储空间中包括两个位段区，该区域即可字操作，又可位操作
         SRAM最低1MB空间： 0x2000 0000 – 0x200F FFFF
         外设最低1MB空间：0x4000 0000 – 0x400F FFFF
  a.为方便位段区的操作，安排了两个32M的位段别名区
  b.位段区中每一位映射位段别名区中的一个字
  c.通过对别名区中某个字的读写操作，可以实现对位段区中某一位的读写操作
别名区，2个32MB：
      SRAM：0x2200 0000 – 0x21FF FFFF
      外设：0x4200 0000 – 0x41FF FFFF
  位段别名区中的字与位段区的位映射公式：
bit_word_addr =  bit_band_base + (byte_offset x 32) + bit_number x 4
例如：SRAM位段区中地址0x20000300字节中位2
         0x22006008 = 0x22000000 + (0x300 x 32) + (2 x 4)

对别名区中某个字进行写操作：该字的第 0 位将影响位段区中对应的位
对别名区中某个字进行读操作：若位段区中对应的位为 0 则读的结果为 0x0 ，若位段区中对应的位为 1 则读的结果为 0x1
PS: 对别名区的读写可以实现对位段区中每一位的原子操作，而且仅只需要一条指令即可实现

*启动模式 :
      STM32系统启动区：0x0000 0000 – 0x0007 FFFF，512KB
      系统启动之后： CPU从位于0x0000 0000地址处的启动区开始执行代码
      该区实际既无FLASH，也无SRAM，通过引导配置后，将实际引导区映射到启动区
      系统复位后，在SYSCLK第4个上升沿，BOOT管脚的状态被保存，用户通过设置BOOT1，BOOT0的引脚状态选择启动模式
      CPU从位于0x0000 0000地址处的启动区开始执行代码
               0x0000 0000 实际是SP
               0x0000 0004 是执行代码的地址
      即使被映射到启动区，仍然可以在原存储空间访问相关存储器
      从待机模式退出后，BOOT引脚状态被重新保存，待机时，BOOT管脚需保持

　　 STM32F10x通过配置 BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式

三、片上外设
STM32F10x外设

STM32F103xx增强型大容量外设

四、GPIO结构

共?(5) x 16个I/O口:
         PA0 ～ PA15
         PB0 ～ PB15
         PC0 ～ PC15
         PD0 ～ PD15
         PE0 ～ PE15

3.3V与5V兼容:

         PA8 ～ PA15
         PB2 ～ PB4、 PB6 ～PB15
         PC6 ～ PC12
         PD0 ～ PD15
         PE0 ～ PE15

仅支持3.3V:

      PA0 ～ PA7，兼做 ADC_IN0 ～ ADC_IN7
      PB0 ～ PB1，兼做 ADC_IN8 ～ ADC_IN9
      PB5
      PC0 ～ PC5，兼做 ADC_IN10 ～ ADC_IN15
      PC13 ～ PC15

引脚（48 64 ...）
开发工具

STM32系列的优点

   先进的内核结构，STM32系列使用了ARM最新的、先进架构Cortex-M3内核
         优秀的功耗控制，STM32处理器具有三种低功耗模式
               运行模式时使用高效的动态耗电机制，在Flash中以72MHz全速运行时，如果开启外部时钟，处理器仅耗电27mA
                  待机状态时极低耗电，典型值2uA
                  电池供电时，提供低电压2.0～3.6V工作能力
         灵活的时钟控制机制，用户可以根据自己所需的耗电/性能要求进行合理优化
         RTC可独立供电，外接纽扣电池供电

性能出众而且功能创新的片上外设
      STM32 处理器片上外设的优势来源于双 APB 总线结构
      其中有一个高速 APB，速度可达CPU 的运行频率，连接到该总线上的外设能以更高的速度运行
            USB: 12Mbit/s
            USART:  4.5Mbit/s
            PI: 18Mbit/s
            IIC: 400kHz
            GPIO:  18MHz翻转
            PWM: 定时器72MHz输入
      针对 MCU 应用中最常见的电机控制，STM32 对片上外围设备进行一些功能创新
               内嵌适合三相无刷电机控制的定时器和ADC
               高级PWM定时器提供：
                     6路PWM输出 -> 死去产生    -> 边沿对齐和中心对齐波形
                     编码器输入    -> 霍尔传感器 -> 完整的向量控制环紧急故障停机、
                     可与2路ADC同步、与其它定时器同步可编程防范机制可用于防止对寄存器的非法写入
            双通道ADC采样/保持，12位1uS，连续/独立模式，多触发源
            等等

转载自无穷山色