在我们应用开发时，经常会有一些程序运行参数需要保存，如一些修正系数。这些数据的特点是：数量少而且不需要经常修改，但又不能定义为常量，因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能。将这类数据存在指定的位置，需要修改时直接修改存储位置的数值，需要使用时则直接读取，会是一种方便的做法。考虑到这些数据量比较少，使用专门的存储单元既不经济，也没有必要，而STM32F103内部的Flash容量较大，而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数，实现起来也比较方便。

      以大容量产品STM32F103VE为例，其Flash容量达到512K，可以将其中一部分用作数据存储。如下是大容量的Flash组织模式：


. Q* A2 O+ O  }( H+ ]
      根据上面的Flash组织模式，我们可以根据自己的使用方便来作相应的定义。因为大容量每个扇区定义为2K，而小容量和中容量都定义为1K，所以我们做如下宏定义：

1. #define FLASH_SIZE 512          //所选MCU的FLASH容量大小(单位为K)
   8 N- F$ R( C1 N, |2 D! s# e+ ^
2. 
   $ ~# C7 |: e' q) O+ I- i3 P
3. #if FLASH_SIZE<256
   0 `3 ], C4 z7 c; j6 n( F
4.   #define SECTOR_SIZE           1024    //字节
   
5. #else
   + [( V  T  P6 B; ]
6.   #define SECTOR_SIZE           2048    //字节
   0 F6 X, T# o3 v' E
7. #endif

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     虽然ST的库函数比较全面，但都是基本操作，为了使用方面，根据我们自己的需要对其进行再次封装。

6 C; t1 M9 H  @  Y4 V      对于读操作相对比较简单，内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，就像读取变量一样。

1. //从指定地址开始读取多个数据
   
2. void FLASH_ReadMoreData(uint32_t startAddress,uint16_t *readData,uint16_t countToRead)
   6 I* `- V- y5 s2 B
3. {
   
4.   uint16_t dataIndex;
   
5.   for(dataIndex=0;dataIndex<countToRead;dataIndex++)
   $ z" t4 q0 u2 N" {$ R
6.   {
   
7.     readData[dataIndex]=FLASH_ReadHalfWord(startAddress+dataIndex*2);
   8 g7 O( n$ C2 [% d3 s
8.   }
   
9. }
   1 a8 W8 }" S3 R6 A! u* u: F
10. 
    ; D0 A$ R3 `# ]# B
11. //读取指定地址的半字(16位数据)
    
12. uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
    . |6 s3 e" y! V; G0 J" D# \6 m3 k
13. {
    
14.   return *(__IO uint16_t*)address;
    " v1 d! k$ R& [* V$ i( I. u+ F
15. }
    
16. 
    
17. //读取指定地址的全字(32位数据)
    
18. uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
    ' U& z( V3 L) b! |8 ^
19. {
    , X" H* s- p) n- d
20.   uint32_t temp1,temp2;
    6 l% `$ n  X/ \) h6 m0 B4 D
21.   temp1=*(__IO uint16_t*)address;
    8 L: r' d0 f6 q+ p! @+ S- g
22.   temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);
    8 ~5 N( r% j) E8 M
23.   return (temp2<<16)+temp1;
    
24. }

复制代码

      对于写操作相对来说要复杂得多，写操作包括对用户数据的写入和擦除。为了防止误操作还有写保护锁。但这些基本的操作ST的库函数已经为我们写好了，我们只需要调用即可。

) o) ~% i, K; j! u1 E# U7 n6 u      STM32复位后，FPEC模块是被保护的，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。STM32闪存的编程每次必须写入16位，任何不是半字的操作都会造成错误。如下图是Flash写的过程：
& e& b3 u' \+ k+ o' j
( {' O- Q' q: T

3 j/ G6 s7 T, x2 N& v- }       STM32的FLASH在编程的时候，也必须要求其写入地址的FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是0XFFFF），否则无法写入。Flash的擦除要求必须整页擦除，所以也必须整页写入，否则可能会丢失数据。如下图是Flash页擦除过程：

5 c2 H$ C" M7 v4 H

     如下为Flash全擦除过程，
( l7 p8 \* [; L! }


     根据以上图示我们便写数据写入函数如下：

1. void FLASH_WriteMoreData(uint32_t startAddress,uint16_t *writeData,uint16_t countToWrite)
   
2. {
   
3.   if(startAddress<FLASH_BASE||((startAddress+countToWrite*2)>=(FLASH_BASE+1024*FLASH_SIZE)))
   
4.   {
   
5.     return;//非法地址
   
6.   }
   
7.   FLASH_Unlock();         //解锁写保护
   * [! [: M, w' W  S. ]
8.   uint32_t offsetAddress=startAddress-FLASH_BASE;               //计算去掉0X08000000后的实际偏移地址
   / D/ Y4 _5 ]. }
9.   uint32_t sectorPosition=offsetAddress/SECTOR_SIZE;            //计算扇区地址，对于STM32F103VET6为0~255
   5 @' @5 R5 r7 [
10.   
    . W, a, J' F& p+ ^- }" ^# ?' x+ d* _) F
11.   uint32_t sectorStartAddress=sectorPosition*SECTOR_SIZE+FLASH_BASE;    //对应扇区的首地址
    
12. 
    
13.   FLASH_ErasePage(sectorStartAddress);//擦除这个扇区
    * b" _' }( X( G( b
14.   
    
15.   uint16_t dataIndex;
    
16.   for(dataIndex=0;dataIndex<countToWrite;dataIndex++)
    7 W9 H- r' _/ A$ R
17.   {
    ' f) i" ]1 m  a7 G
18.     FLASH_ProgramHalfWord(startAddress+dataIndex*2,writeData[dataIndex]);
    , l# K& l/ o9 @2 @
19.   }
    
20.   
    / P" j2 g1 O( ^+ a! R) T) n
21.   FLASH_Lock();//上锁写保护
    ! f3 S8 o: T; ]3 \) W% L" O. s
22. }

复制代码

     在擦除之前应该将页面上的数据读取出来与要写入的数据合并，待擦除后再写入，但这样数据量很大（大容量是2K一个扇区），所以考虑到是少量数据存储，所以每次都将全部数据同时写入，简化操作，也减少数据处理量。经测试以上程序写入和读出数据均正确，可以实现内部Flash的读写操作。

/ ?" z& [% ^  v
, x: R; I. z! @9 a

8 E+ G# x- t% w, G' }  k转载自JawSow

擦写平衡算法考虑一下？

呵呵，我现在就是想用此功能，参考了，谢谢！