一,FSMC简介
1 t" i8 k3 K0 c! `FSMC:灵活的静态存储控制器
2 t6 P* s  ]1 u) X能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接
STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器
2 u, X( F; M9 b; I- b0 X) wSTM32 407和103是不支持SD RAM的,429,439支持SD RAM操作
- ?( G4 Z: V* R3 J' g& }( H1 o
二,FSMC驱动LCD原理
# N# T% R/ S8 [; e& i. I; A

FSMC驱动外部SRAM(LCD被当做SRAM)
0 K  E/ ]8 S6 q* U- n
SRAM控制包含:
    地址线（如A0~A25）
    数据线（如D0~D15）
    写信号（WE，即WR）
; s' O. A$ D% v9 r/ j+ `( @    读信号（OE，即RD）
$ [+ @* |4 T, D& x4 y    片选信号（CS）
    若SRAM支持字节控制，还有UB/LB信号。

* ]# V/ W! {* r6 T& ]/ `2 `上一节提到的TFTLCD信号,RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST和BL等
0 b1 u! O" Y: ]) q0 G3 M
2 y/ _" v# E% g/ E5 w8 Z其中真正操作LCD时用到的就只有：
    数据&命令:RS
) |. \( j  _* k( M# q0 t, R6 T/ |    数据线0~D15
) s& f5 g! K4 O4 E: M    写信号:WR
    读信号:RD
    片选信号:CS
5 x. N. N3 H4 @4 H
, j6 w% o6 J* \. w3 C- A操作时序和SRAM控制类似，唯一不同是TFTLCD有RS信号，但是没有地址信号

TFTLCD通过RS信号来决定传送是数据还是命令，可以理解为一个地址信号
9 f7 ]& e$ n  m1 n- S# S将RS接到FSMC地址线A10(A0-A25随意),TFTLCD就被当做一个SRAM使用
; d; F7 q7 v$ O( }这样TFTLCD成为只有一个地址的SRAM设备,从而实现FSMC驱动TFTLCD

$ A% P) d; e3 `3 t三,FSMC存储块
STM32的FSMC支持8/16/32位数据宽度，我们使用的LCD为16位，所以设置选择16位
* L( ?# ?: P! kFSMC的外部设备地址映像:STM32的FSMC将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块
( ^+ x* f. n( s* U3 M! ?7 O

$ [1 q( p) ?! }4 l' V
3 `+ j/ b$ K# o8 n4 w如图:
! S. F9 P: H& {    FSMC分为4块,每块256M字节又被划分为4*64,即四个片选
    NOR / PSRAM使用块1,共256M
    NAND闪存使用块2,3,共512M
    PC卡使用块4,共256M
/ a4 j! F/ y9 M1 H) G/ N8 r/ G" V
4 w) a7 I: y. Q  y& A3 {3 D6 w所以我们使用NOR PSRAM驱动TFTLCD

四,存储块1(Bank1)寄存器介绍
  Y& [2 ~# v) ~$ F4 m+ \5 k1 q- HSTM32的FSMC存储块1（Bank1）用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM
: x. o  ~) L$ I$ G8 |# t+ {Bank1被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。
2 j" d  e0 h! R% U! j# p+ W/ ^Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址。 这里HADDR，是内部AHB地址总线
9 J8 |4 L+ D+ C! THADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址。
$ N2 i4 b  j, z7 x
$ i! S" J: O: ]: R) J5 r如下图所示:
& V+ L+ n# g+ u
: v, D/ f1 o& `1 d2 A) F

说明:
) P$ H5 A2 s; T0 d7 j4 o- f     HADDR[27:26]是不可手动配置的,当选择所在区后会自动赋值

注意:
     1,当Bank1接 8位宽度存储器时：HADDR[25:0] -> FSMC_A[25:0]
     2 添加当Bank1接16位宽度存储器时：HADDR[25:1] -> FSMC_A[24:0]对应关系的进一步解释
       添加寄存器FSMC_BTRx为读时序控制,FSMC_BWTRx为写时序控制

  C  @+ Y% V/ q9 D# R) d3 \  O! C        由于内部每个地址对应一个字节,外部设备16位宽,FSMC的一个地址对应两个字节
        即:
, `- g8 h% F5 D% @4 ?: V  D, k1 b             0000对应FSMC_A[0]=0   (2字节)
8 y! T, N7 Q/ b% P+ c* F! I             0010对应FSMC_A[0]=1   (2字节)
             0100对应FSMC_A[1]=1   (2字节)

        所以对应关系需要除以2,内部右移一位对齐
        此时最低位没用,访问最低位需要使用UB/LB

( K7 V8 _- R: F     不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0]
# w# A; g3 o' _8 f% s
' ]7 `3 e+ c3 n+ b五,存储块1(Bank1)模式A读写时序
STM32的FSMC存储块1支持的异步突发访问模式
% I& s6 L5 ]6 v5 m/ ]8 e包括模式1,模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM一般使用模式1或模式A
我们使用模式A驱动LCD(当做SRAM使用),模式A支持读写时序分开设置
3 x3 b  z/ Z: ]" b- A: U# O) I
上一篇说的LCD时序,我们知道,LCD的读写耗时是不同的.写快读慢
1 f9 b4 Y$ D0 t+ j% S  F这里采用模式A,针对不同的速度,做不同的设置
3 H" W7 K% t) _; Q, v
模式A读时序:
% B& o' f9 u# ?( g/ ]


模式A写时序:

# N, N" E& s0 c
, v0 \! b, L  V
ILI9341时序-读写高低电平最小持续时间:

$ v! m; Z% k0 C0 r) _) u, N
* i( }8 k1 s, k, W9 P! R
$ r' A/ `$ v2 g  Y6 d根据ILI9341时序读写高低电平最小持续时间来配置模式A的读写时序

六,FSMC相关寄存器介绍
对于NOR FLASH/PSRAM控制器-存储块1，可通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器设置（其中x=1~4，对应4个区）。
通过这3个寄存器，可以设置FSMC访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。

6 H7 l; x/ S: _: M2 ]1,SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）

2 L2 T) p7 z1 D) G; |

EXTMOD：
     扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序，需设置为1
5 y1 h$ u; w; {! p" K# iWREN：
     写使能位。我们要向TFTLCD写数据，需设置为1
MWID[1:0]：
& f! J1 w- W5 X- Y' m     存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式；01表示16位数据模式；10和11保留。
     我们的TFTLCD是16位数据线，需设置WMID[1:0]=01。
. t! r, Y' ~: GMTYP[1:0]：
     存储器类型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。
     我们把LCD当成SRAM用，需设置MTYP[1:0]=00。
MBKEN：
     存储块使能位。需设置为1
* F: t- k  I9 \) `. I
2,SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）-读时序控制

' \1 [! q- g( C

# m! a/ W1 \9 ^2 Q$ P  kACCMOD[1:0]：
     访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
' F/ o/ o7 L! _. h4 p     我们使用模式A,需设置为00
( T) ]3 h! C. p0 w& x/ W: t" E1 QDATAST[7:0]：
( i) s4 w, Y* T: Z6 p3 p     数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
     对于ILI9341相当于RD低电平持续时间,最大355ns
, F4 d5 f! W/ h$ z     对于STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为15,相当于16个HCLK=220.8,加上STM32F1的FSMC性能较低一些,配置为15即可
     对于STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为60(360)。
ADDSET[3:0]：
     地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大为15。
- {  i! ^9 Y' V( Z5 |5 M3 s* S& T" V: E     对ILI9341来说，这里相当于RD高电平持续时间，为90ns。
     STM32F1的FSMC性能较低,即便设置为0,RD也有190ns高电平,所以设置为1
     STM32F1设置为15
) T" i( W. F" |) @; G: d7 k. {% K
4 R  M5 X7 R3 j) }5 x8 K注意:
- n7 k; t7 L" `     如果未设置EXTMOD位,则读写共用FSMC_BTRx时序寄存器
. x* L6 x  W7 d7 F3 y
3,SRAM/NOR闪存写时序寄存器（FSMC_BWTRx）-写时序控制

- e+ M; T4 u' R/ Z* V6 A1 W0 p
' u& [, U/ \! L( h" L1 ]7 G; |
ACCMOD[1:0]：
8 Z" H. }2 K  N/ T8 ~     访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
% q. Q, r/ S; o. ]& q' P* }- @$ WDATAST[7:0]：
     数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
5 Z2 D/ c) W1 i0 f  ?% a; Z2 R     对ILI9341来说，其实就是WR低电平持续时间，为15ns，不过ILI9320等则需要50ns。
     考虑兼容性，对STM32F1一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3(4*13.8=55.2)；
+ v( L. T6 T  B  Q/ y     对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为9(9*6=54)。
2 N7 A+ ^5 l# Z. N! {& t, EADDSET[3:0]：
     地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大值为1111 = 15。
     对ILI9341来说，这里相当于WR高电平持续时间，为15ns。
" ]' Y* n+ |3 L. `( g     考虑兼容ILI9320，STM32F1即便设置为1,WR也有100ns高电平，所以设置为1。
     而对STM32F4，则设置为8(9*6=54)

& R+ J! V, g1 K& b2 u3 N七,寄存器组合说明
ST官方库寄存器定义中并没有FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等单独寄存器
而是将他们进行了一些组合。规律如下：
7 R. p9 @" T3 Y& o
4 _7 q2 g1 ]7 T# S$ v2 bFSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，他们的对应关系如下：

1 D1 r% Q+ {5 q% O1 L0 QBTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1
4 h" ^$ F9 t0 K0 D$ lBTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2
3 }* d/ z" N, G) mBTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3
* }) r" t5 y* i8 Z; }0 W$ a4 ]% n. u2 ABTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4

6 b1 G7 n; N( \3 l5 gFSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，他们的对应关系如下：

0 [) [  H& h: M5 dBWTR[0]对应FSMC_BWTR1，
8 B- ]8 u) y& p8 O) n7 \BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，
BWTR[4]对应FSMC_BWTR3，
BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，
6 q8 Q1 b* E" F* I3 FBWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留

7 _; g0 H( d4 s0 m* D6 F) H
- C! B' `6 }, y% u
1 R' _. \9 j4 X4 _& ~" s3 _
转载自BraveWangDev
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买了野火的学习板,只有库文件方式FSMC控制,我想要寄存器方式控制