一,FSMC简介
FSMC:灵活的静态存储控制器
能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接
% g3 \9 @) Y/ _1 n6 B% H0 Q* ?STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器
STM32 407和103是不支持SD RAM的,429,439支持SD RAM操作
; _& @- s: V% C& ]
二,FSMC驱动LCD原理
3 ?, |. m/ [2 b3 g& w* p

) C) Z. q, j% r* x- v8 bFSMC驱动外部SRAM(LCD被当做SRAM)

' D1 t2 i: `) n( A6 ]) {) e0 ^SRAM控制包含:
, J" {  [) A3 P    地址线（如A0~A25）
# x0 d/ o# b0 {3 {! u$ A1 P    数据线（如D0~D15）
    写信号（WE，即WR）
7 o6 u$ R9 H0 Y' G% Z    读信号（OE，即RD）
    片选信号（CS）
- A- X0 g$ P# M( N5 j0 r- a8 k1 ?    若SRAM支持字节控制，还有UB/LB信号。
. m" t. x& P, G' ~! D
上一节提到的TFTLCD信号,RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST和BL等
5 i; h" A- N1 F" G/ u' V
其中真正操作LCD时用到的就只有：
    数据&命令:RS
    数据线0~D15
    写信号:WR
9 q: _# r7 W# J, l    读信号:RD
, d2 G8 V4 J7 Z2 p    片选信号:CS

: i/ j- U" R/ Q4 }( f7 r5 n: `; R) }操作时序和SRAM控制类似，唯一不同是TFTLCD有RS信号，但是没有地址信号
' d) s4 I2 f! h- f, D. S( u
TFTLCD通过RS信号来决定传送是数据还是命令，可以理解为一个地址信号
将RS接到FSMC地址线A10(A0-A25随意),TFTLCD就被当做一个SRAM使用
这样TFTLCD成为只有一个地址的SRAM设备,从而实现FSMC驱动TFTLCD

7 I1 w8 d7 H) K8 q0 d6 V& N三,FSMC存储块
STM32的FSMC支持8/16/32位数据宽度，我们使用的LCD为16位，所以设置选择16位
FSMC的外部设备地址映像:STM32的FSMC将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块
3 v) S- ]2 k5 B0 g9 l# y
, x! ~+ L1 y/ ]5 j8 k

如图:
* M* q/ ~* m2 n7 [) G0 }    FSMC分为4块,每块256M字节又被划分为4*64,即四个片选
) y! T. V/ q7 h; v  L1 I$ L( _    NOR / PSRAM使用块1,共256M
    NAND闪存使用块2,3,共512M
    PC卡使用块4,共256M

# E" A& ^0 \: d5 ?所以我们使用NOR PSRAM驱动TFTLCD
& h: O7 y, ^6 \( V
5 h+ @" X5 X6 D& z* S8 V0 T四,存储块1(Bank1)寄存器介绍
STM32的FSMC存储块1（Bank1）用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM
Bank1被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。
Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址。 这里HADDR，是内部AHB地址总线
HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址。
. ~$ z6 X0 N4 }0 a
如下图所示:
/ K: t. {5 p) J; r


5 i1 A( F" n3 i! @* o; Y说明:
5 k* P5 y+ u* r- y+ X     HADDR[27:26]是不可手动配置的,当选择所在区后会自动赋值

注意:
$ r: G* H* K4 x" @! T     1,当Bank1接 8位宽度存储器时：HADDR[25:0] -> FSMC_A[25:0]
# z8 l+ _' y' i# m  a     2 添加当Bank1接16位宽度存储器时：HADDR[25:1] -> FSMC_A[24:0]对应关系的进一步解释
       添加寄存器FSMC_BTRx为读时序控制,FSMC_BWTRx为写时序控制
  b9 J) \  }/ H. f- Z5 W( |
, h9 B5 D+ R. b# O* h9 W        由于内部每个地址对应一个字节,外部设备16位宽,FSMC的一个地址对应两个字节
; ~" ~/ K# d  d; j        即:
             0000对应FSMC_A[0]=0   (2字节)
' T0 K, R8 F. G" o. k             0010对应FSMC_A[0]=1   (2字节)
1 e% u$ B: |, X! e; Y4 w8 I             0100对应FSMC_A[1]=1   (2字节)

! d0 S" M' Y! r: w8 }' }. `        所以对应关系需要除以2,内部右移一位对齐
        此时最低位没用,访问最低位需要使用UB/LB
. K1 {, g( m) |) {
     不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0]

五,存储块1(Bank1)模式A读写时序
STM32的FSMC存储块1支持的异步突发访问模式
包括模式1,模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM一般使用模式1或模式A
/ J% u& t* C8 u+ e5 F6 @我们使用模式A驱动LCD(当做SRAM使用),模式A支持读写时序分开设置

上一篇说的LCD时序,我们知道,LCD的读写耗时是不同的.写快读慢
这里采用模式A,针对不同的速度,做不同的设置
* f6 _" }- o) v9 e+ B5 b# y! x
模式A读时序:

. [7 o: {, d8 N5 c8 H1 O

% P2 I5 G; `2 i6 j4 ]: [& v模式A写时序:

. W: e- m" q1 S: k) y8 D$ R8 h5 |

: U! D; M. m" N  o  @3 ]( MILI9341时序-读写高低电平最小持续时间:



根据ILI9341时序读写高低电平最小持续时间来配置模式A的读写时序
2 C& c, U1 E: W
六,FSMC相关寄存器介绍
9 {! }4 ?( e2 x) y) z对于NOR FLASH/PSRAM控制器-存储块1，可通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器设置（其中x=1~4，对应4个区）。
通过这3个寄存器，可以设置FSMC访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。
6 S4 D7 C0 g" i. G- \/ z4 S
1,SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）
$ R1 u7 P7 g/ V$ A5 r+ x

7 L  D" W3 I  P7 H! b
- [/ z3 x6 z# u$ F; s& pEXTMOD：
     扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序，需设置为1
WREN：
& s9 y3 [  o. O! V     写使能位。我们要向TFTLCD写数据，需设置为1
MWID[1:0]：
     存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式；01表示16位数据模式；10和11保留。
+ N; Z9 z, X7 r! r! M( U/ |. N, y* }     我们的TFTLCD是16位数据线，需设置WMID[1:0]=01。
MTYP[1:0]：
, T3 Z* K& M# h6 j     存储器类型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。
. \  G. p( ~# m/ b$ s2 s* \     我们把LCD当成SRAM用，需设置MTYP[1:0]=00。
MBKEN：
     存储块使能位。需设置为1

) J% r+ D/ M8 z, T2,SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）-读时序控制
& ]! {' J8 e' u8 P7 L
& \3 S5 y# J: E' r
* N: [9 d3 E( C  I
ACCMOD[1:0]：
     访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
     我们使用模式A,需设置为00
DATAST[7:0]：
     数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
     对于ILI9341相当于RD低电平持续时间,最大355ns
     对于STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为15,相当于16个HCLK=220.8,加上STM32F1的FSMC性能较低一些,配置为15即可
& h5 b7 N, \: V7 R) U6 l9 B     对于STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为60(360)。
. v4 F2 F. `" n( ]6 JADDSET[3:0]：
     地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大为15。
  s9 y  P3 b, Y     对ILI9341来说，这里相当于RD高电平持续时间，为90ns。
     STM32F1的FSMC性能较低,即便设置为0,RD也有190ns高电平,所以设置为1
     STM32F1设置为15
3 u; u- m; ~+ n# g0 j
注意:
0 j9 r7 u1 v6 c0 V9 W     如果未设置EXTMOD位,则读写共用FSMC_BTRx时序寄存器
: O$ ^, q$ V& U$ t7 E9 F0 n4 X# W, X
5 W/ V( L+ g( v1 i0 J3,SRAM/NOR闪存写时序寄存器（FSMC_BWTRx）-写时序控制
4 b% Z5 i) T) O& j


ACCMOD[1:0]：
8 P8 s2 |, c/ f# h     访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
DATAST[7:0]：
     数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
, z! B8 l6 ^$ Z0 X     对ILI9341来说，其实就是WR低电平持续时间，为15ns，不过ILI9320等则需要50ns。
' N6 H! [5 T" A     考虑兼容性，对STM32F1一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3(4*13.8=55.2)；
     对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M) ，设置为9(9*6=54)。
" u! d, m' g  }% YADDSET[3:0]：
1 M" P% r  u# j2 c8 C6 d7 e, I     地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大值为1111 = 15。
* k. j- `/ H  p: J& J; A     对ILI9341来说，这里相当于WR高电平持续时间，为15ns。
     考虑兼容ILI9320，STM32F1即便设置为1,WR也有100ns高电平，所以设置为1。
     而对STM32F4，则设置为8(9*6=54)

! N) `! N+ k- v8 L: f七,寄存器组合说明
ST官方库寄存器定义中并没有FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等单独寄存器
8 i; L+ }. r' l* z% B而是将他们进行了一些组合。规律如下：

: r5 T* Y# T8 \; `FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，他们的对应关系如下：
7 s* N* P/ o0 ]
- S- a3 {' J/ ]+ E9 ?" a9 x) vBTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1
" S$ g0 M9 L+ }& `  L& TBTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2
* Y/ F# C6 ^8 o; V5 l: zBTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3
! ]) o! h' V1 hBTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4

FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，他们的对应关系如下：

BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，
1 |. V* |4 w$ k) J7 p& TBWTR[2]对应FSMC_BWTR2，
" T4 T( W0 ?% p8 V1 c8 B+ `1 n" `" DBWTR[4]对应FSMC_BWTR3，
BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，
/ B# Y& v7 D3 H  v6 vBWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留
5 b9 g0 K4 \2 o1 `- G. r0 J
  h' W3 x. U& [/ d* M


% @. L2 Q" v0 L9 d) }; v7 Y转载自BraveWangDev
7 Y; i0 p: N& p$ X  i  N

买了野火的学习板,只有库文件方式FSMC控制,我想要寄存器方式控制