STM32中存储区分为：随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。
7 Z  ]# d3 @; z& J; H" R
# X8 N2 Z. p/ [. |% X/ `其中：
( Z7 T3 X. v2 J/ ]& f) W
2 B; n; v3 B0 ]4 oRAM为常说的内存，比如手机的2G内存4G内存等，就是程序跑起来的时候所占用的存储空间，特点是掉电数据丢失。

/ _$ u* b4 M( Z. v; s3 p1 y5 @ROM为常说的硬盘，比如手机的64G和128G等，可以简单的理解为硬盘的存储空间，特点是掉电数据不丢失，所以又叫“非易失性存储器件”。

# P/ }. @6 `/ MROM又包含：EEPROM和flash。
: x  Y8 D2 f& u5 Z4 h) O/ Z
; ?8 u, a* R) J- K; F: w7 f画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下（如有什么地方不对，恳请大神们进行指正）：
+ F+ ?" G4 E/ J; l( ~3 k% W

# M, ~: c. j$ H

嵌入式设备存储器件思维导图

" f$ W' p, {& h+ c& ]( u作为ROM的一份子，flash的特点自然是掉电数据不丢失。但是，flash在STM32中比较重要，程序也是保存在这个地方，所以轻易不让用户进行随意的读写，以避免不必要的问题。

而这篇博客就先简单记录一下flash的访问流程和方法（读和写），具体原理以后理解深刻了再做补充。
! X; d6 u  {9 {) b6 H" F% R
1、STM32 FLASH操作流程

' H8 S4 Z- P, r9 X  g/ m3 C, |Flash操作已经属于嵌入式设备中很底层的操作了，直接对地址进行存取，简单描述，Flash操作大致需要以下流程：

1、确定要写入Flash的首地址（稍后介绍确定地址的方法）
2、解锁Flash
3、对Flash进行操作（写入数据）
4、对Flash重新上锁

  M2 T* `* a% m! J2 D$ G1.1 如何查找并选定要写入Flash十六进制地址值的方法
* a4 J8 P. {* u4 c  a+ `
5 I+ t- {" G$ x& h; G3 I2 X要想选定安全的Flash地址进行读写，可以根据自己的STM32 MCU型号，查找数据手册，确定FLASH的地址区段，因为起始段会存储代码，所以一定要避开起始段，以避免数据错误。（我一般是根据Flash大小计算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空间，在这里一般不会对代码中的数据产生覆盖等影响）
  I8 K( W6 O8 V+ O( }! N1 x
  R4 f# |. u* @& ]5 h/ |/ K) a! Y我此次操作Flash使用的MCU是STM32103C8T6，所以以该型号MCU为例进行描述：

, }2 X. X. H; s0 Y在数据手册中，可以看到STM32103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000（如下图所示），而STM32103C8T6的Flash大小为64K，可以计算出STM32103C8T6的Flash地址范围是：0x0800 0000——0x0800 FFFF（计算方法参考另一篇博客：STM32内存大小与地址的对应关系以及计算方法）。这里选取0x0800 F000作为读写操作的起始地址，对于C8T6这款MCU，操作这个起始地址应该算是很安全的范围了。
" \! ?( f1 ], [  T. ]" [

2、Flash基本知识点
! a3 Q9 x2 n* G% {3 v
2.1 Flash容量
1 s1 E5 j4 a6 ^. x% \6 i
4 A; Z( R- Y1 z8 `Flash根据容量大小可以分为以下三种：

1、小容量产品：Flash大小为1-32KB（STM32F10X_LD）
2、中容量产品：Flash大小为64-128KB（STM32F10X_MD）
4 N9 q# C, ]( ?1 x, c' \3、大容量产品：Flash大小为256KB以上（STM32F10X_HD）
3 A% L$ v) v1 h
' u& r0 g2 _4 k/ J: G8 N: K2.2 ST库对Flash操作的支持
; {" K, |; U: r
+ r$ {5 e/ [; |+ l- v0 M1 y; {ST库中对Flash操作主要提供了以下几类操作API函数：
  U- u& H$ R. N3 }5 J4 d
: h+ D5 }- ]. X; O1、Flash解锁、锁定函数
7 k# V) N& T+ r) C, ~* v, {2 @
void FLASH_Unlock(void);//解锁函数：在对Flash操作之前必须解锁
4 Z" q' ~* D0 |4 I$ W
; m4 Z0 }1 S9 V9 l& Rvoid FLASH_Lock(void);//锁定函数：同理，操作完Flash之后必须重新上锁
# Y# y( p) h! B* x' p5 D) d' E
2、Flash写操作函数

( l% h- b- G& L( t1 K6 U/ \FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);//32位字写入函数
9 O6 s+ Z4 F+ q, E- ?8 j' J; n
3 t2 K/ T0 T3 C; QFLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);//16位半字写入函数
# U- a$ H) X. A+ _  ~- \  [6 ~
  g% R# E  A- J; p* XFLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);//用户选择字节写入函数
+ v- v( g1 x5 T% D3 B% z
9 s& r& W7 |2 ?# o0 y! S注：这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。

0 ]+ v7 a. L2 ]% u9 n3、Flash擦除函数

FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);

FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);

7 |& W( O  u0 ~FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
4 O5 y5 h* p7 Q
1 t8 M0 F8 U* S7 L. R, Q4、获取Flash状态

FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
- k' |4 q+ V5 _8 @0 {$ s7 h1 F
8 R0 B( o3 u1 _9 D获取Flash状态函数，主要是为了获取Flash的状态，以便于根据状态对Flash进行操作。该函数返回值是通过枚举类型定义的，在代码中可以看到FLASH_Status类型定义如下（具体含义看注释即可）：
' m. L1 t9 @+ |0 k  j! S                                                 typedef enum
8 r$ @0 V$ P$ ?2 {                                                 {
3 o( Q* J! }( Q& W                                                  　　FLASH_BUSY = 1,        //忙
6 V# Y2 S& ?8 w: m3 R+ c                                                  　　FLASH_ERROR_PG,      //编程错误
                                                  　　FLASH_ERROR_WRP,   //写保护错误
                                                  　　FLASH_COMPLETE,      //操作完成
                                                  　　FLASH_TIMEOUT         //操作超时
                                                  }FLASH_Status;
1 M: Y. E8 A6 Z& m; R' r
% L- O* X9 m% j# \% h5、等待操作完成函数
+ S3 ]+ p1 ?. [" C1 Q
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);

注：在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。
) O" Z) m" |% ~: A! a
3、OK，上干货，上代码
  ~3 P% t& T- Q: N2 o
根据ST库提供的上述函数，我们可以自己编写Flash的读写操作代码如下：

3.1 先定义一个Flash操作的起始地址宏定义和Flash状态指示标志位
. W, [8 ^" f" N( E* ~8 [

1. #define STARTADDR 0x0800F000 //STM32F103C8T6适用
   
2. 
   ! Z9 Z4 A7 P4 P
3. volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_BUSY; //Flash操作状态变量

复制代码

3.2 编写各个读写函数

1. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
   
2. // Name:        WriteFlashOneWord
   & T6 P% p2 c' e' V% V1 u  K
3. //
   1 m' h! e( P$ u9 K! ~9 b1 q
4. // Function:    向内部Flash写入32位数据
   ) p" `$ U: Q" E+ ~9 t
5. //
   
6. // Input:       WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）
   
7. //              WriteData：   写入的数据
   : _: H/ K' ^$ C7 @- u
8. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
   
9. void WriteFlashOneWord(uint32_t WriteAddress, uint32_t WriteData)
   
10. {   
    
11.     FLASH_UnlockBank1();
    
12.     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
    1 E3 E; e. D2 r. |. c* F
13. 
    3 H5 ~1 u! E% J, J
14.     FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    1 z  X) y4 u1 O3 k  d
15.     FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);  
    ! g' D! h3 ?* V- ?$ ]
16.     if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)   
    7 ?! Q' _0 v; s7 A  a
17.     {  
    
18.         FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    
19.         FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(STARTADDR+WriteAddress, WriteData); //flash.c 中API函数
    : d- u0 L! E* o( V: q" N! f
20.     }
    
21. 
    6 i: Z* j" T# X! `  _4 X  T6 b
22.     FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    
23.     FLASH_LockBank1();   
    
24. }
    6 m+ |* r+ _  K9 v2 p1 h2 e( [
25. 
    
26. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
27. // Name:        WriteFlashData
    
28. //
    1 `# z1 D) [. i; L
29. // Function:    向内部Flash写入数据
    
30. //
    - V/ k5 T' K3 o! }6 C, n$ Z5 b
31. // Input:       WriteAddress：数据要写入的目标地址（偏移地址）
    & j7 F6 D) D% z. n
32. //              data[]：      写入的数据首地址
    
33. //              num：         写入数据的个数
    * M9 C, L6 X" }+ u$ H
34. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
35. void WriteFlashData(uint32_t WriteAddress, uint8_t data[], uint32_t num)
    
36. {
    $ b  K2 H4 O' V7 @; Y" ^7 I8 E/ v+ N
37.     uint32_t i = 0;
    
38.     uint16_t temp = 0;
    
39. 
    
40.     FLASH_UnlockBank1();    //解锁flash
    
41.     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
    6 k9 X  T/ o- h, p4 Y( G
42. 
    0 U# y3 S8 H$ @8 ~
43.     FLASHStatus = 1;        //清空状态指示标志位
    ) f/ Y6 K4 d6 `" S4 i
44.     FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);//擦除整页
    
45.     if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)//flash操作完成
    
46.     {
    
47.         FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    ( B8 m" v/ A) r' F
48.         for(i=0; i<num; i++)
    
49.         {
    1 ]: b: i" C0 h" I
50.             temp = (uint16_t)data[i];
    ; K" {" l# h! B% w! ~' {
51.             FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+WriteAddress+i*2, temp);//写入数据
    - j* W2 p' z; q$ {. F% R
52.         }
    
53.     }
    8 X- S# y# c+ V( o6 C! g& U
54. 
    & U, |: ?* X% N3 l6 i
55.     FLASHStatus = 1;    //清空状态指示标志位
    
56. 
    
57.     FLASH_LockBank1();  //锁定flash
    
58. }

复制代码

1. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
   
2. // Name:        ReadFlashNBtye
   
3. //
   
4. // Function:    从内部Flash读取N字节数据
   ; ]8 y4 [9 Q: R& y9 W" d- F
5. //
   : b. o& h( v1 D; m1 m, p# |4 d
6. // Input:       ReadAddress：数据地址（偏移地址）
   
7. //              ReadBuf：读取到的数据存放位置指针
   5 a+ l6 C* m* c1 o, B' M; E. y
8. //              ReadNum：读取字节个数
   
9. //
   4 {! Y6 \1 B" E+ k
10. // Output:      读取的字节数
    
11. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    ' w! p% y# ~- ^( _: y- G
12. int ReadFlashNBtye(uint32_t ReadAddress, uint8_t *ReadBuf, int32_t ReadNum)
    
13. {   
    
14.     int DataNum = 0;
    9 [& u" V. p. I6 K5 _$ v; s
15. 
    7 s8 ]2 z; Y5 y' s
16.     ReadAddress = (uint32_t)STARTADDR + ReadAddress;  
    
17.     while(DataNum < ReadNum)   
    
18.     {        
    $ `" F4 P6 y9 s# F* a
19.         *(ReadBuf + DataNum) = *(__IO uint8_t*) ReadAddress++;  
    3 h2 _2 I8 N2 c5 @0 F4 J
20.         DataNum++;     
    
21.     }
    ( n8 b5 @* `$ O9 N
22. 
    : q0 q- x: H7 |; k
23.     return DataNum;   
    - k4 H+ H* X  j6 g! l
24. }
    8 N5 K/ ~7 I9 g7 m
25. 
    * T$ O' f* `+ \6 ~) k8 h
26. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
27. // Name:        ReadFlashData
    3 h5 J% }; q: |
28. //
    
29. // Function:    从内部Flash读取num字节数据
    
30. //
    6 m6 }. s  p* n, m2 D
31. // Input:       ReadAddress：数据地址（偏移地址）
    ! Y  a0 O0 V+ C* a. T& D' W( c2 T
32. //              dest_Data：  读取到的数据存放位置指针
    
33. //              num：        读取字节个数
    
34. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
35. void ReadFlashData(uint32_t ReadAddress, uint8_t *dest_Data, uint32_t num)
    0 C- m9 m1 E6 |6 P; D1 `, L
36. {
    
37.     int i = 0;
    
38.     ReadAddress = (uint32_t)STARTADDR + ReadAddress;
    ( {: D4 X# t% P3 z
39.     while(i < num)
    
40.     {
    # D! _4 U! Z1 a* ~+ [; Z
41.         *(dest_Data+i) = *(__IO uint16_t*) ReadAddress;
    
42.         ReadAddress += 2;
    
43. 
    7 g2 s* ?' p# g* C% Y0 ^6 t3 c2 b
44.         i++;
    
45.     }
    
46. }

复制代码

. Y# [9 x0 A% V: }' R' N; \
: z0 Y+ a  b/ @  C- t
/ n( j' k( `" {" N  U# |
; V) }3 G$ B% E3 p. K% K+ p9 }转载自执念

我这几天一直在调试，为了想省个EEPORM芯片，但就是没调通。执行FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);//擦除整页这句
和FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(STARTADDR+WriteAddress, WriteData); //flash.c 中API函数
这句时就会死机，一直找不到哪里的原因。求助！

我现在把你的代码搬进去了，也是不行啊，一样会死机，不知道哪里的原因了，快折腾疯了

对于写入或擦擦数据出现死机的情况，原因可能是操作地址上有程序代码。一般要先初始化一页或几页数据（写入、擦擦操作地址）用于防止程序代码占用该预留空间。注意防止编译器将该段数据初始化代码优化掉。