W25X16   片外Flash

W25X16是华邦公司推出的继W25X10/20/40/80（从1Mb~8Mb）后容量更大的FLASH 产品，W25X16 的容量为 16Mb，还有容量更大的W25X32/64，ALIENTEK 所选择的 W25X16 容量为 16Mb，也就是2M 字节，同AT45DB161 是一样大小的。 W25X16 将 2M 的容量分为 32 个块（Block），每个块大小为64K 字节，每个块又分为 16个扇区（Sector），每个扇区16页 4K个字节。W25X16的最少擦除单位为一个扇区，也就是每次必须擦除 4K 个字节。这样我们需要给 W25X16 开辟一个至少 4K 的缓存区，这样对 SRAM 要求比较高


对于Ram 小的系统 开辟4K空间过于紧张，分配更小的Ram空间 如何使用这个芯片存取 一些数据呢？
主要是存一些配置信息，数据量大概几个扇区，但是每次修改只有几十个字节

有没有什么好的方法？




芯片手册上说 具备页编程指令
但是试了下不具备页擦除

50031185 发表于 2018-10-16 18:15
需要能够读取或修改部分数据

我想我知道你的问题本质了。你的想法是，已经把数据写入到了W25，然后发现需要修正1个字节。但是这个时候W25已经被写入了数据，如果你想写入新数据，就要先擦除原来的数据，一擦除就是一个sector，所以必须想办法保存原来的数据，你的想法是在RAM中开辟一个缓冲区，然后先读数据，然后在RAM中修改，然后擦除W25，最后再写入。
如果我没理解错的话，给你的建议是这样的：
1.你没必要把缓冲区完全放在宝贵的RAM中，可以把W25作为一个二级缓冲区，例如W25的最后一个Sector，这个位置可以固定，然后一般的数据也不要往这里面写入。在RAM中只保留一个很小的一级缓冲区，例如一个页面，16Byte，这个大小对应该RAM来说应该毫无压力了吧？
2.现在有一级缓冲区，也有二级缓冲器了，如何使用呢？先按sector删除二级缓冲区，这样二级缓冲区就变成可用状态了。对于你需要读取并修改的数据，先按页读取到一级缓冲区中，如果不需要修改，则直接写入二级缓冲区的对应位置，如果发现需要修改，则修改后写入二级缓冲区的对应位置；循环执行页读取，直到操作完成整个sector。
3.执行完第二步以后，原Sector数据没变，新数据被写入到了二级缓冲区里面了，最后一步就是把最后一个sector的数据copy到原需要修改的sector中，这个可以采用2类似的操作。
这种方法不是太高效，有点像是用时间换空间的感觉，但本质上空间并没有省去，相反时间也增加了。只是把RAM的空间换到外部的ROM中了，唯一的优点可能是选择芯片的时候对内部flash要求每那么大了。

如果只是写入，你没必要去开辟一个这么大的缓冲区。
我测试过，只写一个字节的数据都是可以的。
甚至可以跨页写都行（需要注意分页）。
只是擦除的时候最小单位是扇区而已。

stm1024 发表于 2018-10-16 18:11
如果只是写入，你没必要去开辟一个这么大的缓冲区。
我测试过，只写一个字节的数据都是可以的。
甚至可以跨 ...

需要能够读取或修改部分数据

50031185 发表于 2018-10-16 18:15
需要能够读取或修改部分数据

如果重复的往一个地址读写，你直接写就行，不需要擦除该地址里的数据，不过这个得是eeprom

我用的时候，使用的macoll申请一个临时空间使用。每个地址是只能写入一次，下次写入时必须要擦除才能写。

化雨眠 发表于 2018-10-17 07:59
如果重复的往一个地址读写，你直接写就行，不需要擦除该地址里的数据，不过这个得是eeprom

...

这个好像真不行。W25X16好像是你要写数据之前都要先擦除变为FF后才能写入。直接写入会失败。

写入flash的数据不一定要地址连续，比如能开一个256字节的ram,那么一个扇区你就存256个字节数据，多的数据存到下个扇区，依此类推

stm1024 发表于 2018-10-17 09:58
我想我知道你的问题本质了。你的想法是，已经把数据写入到了W25，然后发现需要修正1个字节。但是这个时候W ...

你说的办法很好， 确实是这样， 需要用时间换空间，目前来看， 大部分的单片机内存已经具备开辟4K缓存的条件

50031185 发表于 2018-10-29 23:51
你说的办法很好， 确实是这样， 需要用时间换空间，目前来看， 大部分的单片机内存已经具备开辟4K缓存的 ...

玩单片机，很多时候就是螺蛳壳里做道场，闪转腾挪

学习了，谢谢大大们

用多块，轮流写，做标记，标记对的就是新的

这个芯片擦除得页擦除，先要把数据读出来，页擦除后再写入要写的数据