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本帖最后由 baiyongbin2009 于 2018-11-6 01:01 编辑 ; }" j. J0 G/ p4 k* T7 k% n 说明:! D7 @) B: P; @$ g$ K9 M# O 初学M7的Cache时,经常是ARM的手册和ST的手册看了一遍又一遍,虽然每次看,每次都有收获,但是一直无法形成系统的认识,说到某一个知识点也明白,但是具体到读写操作的时候是怎么个流程,就懵逼了,也是心里烦躁,最近脑子开窍了些,特此分享下经验。 当前的认识能力有限,有不对的地方,欢迎批评指正。 一、引出问题: ?8 u% m; `- P7 V% q0 v5 a% ~ 当前芯片厂商出的M7内核芯片基本都做了一级Cache支持,Cache又分数据缓存D-Cache和指令缓冲I-Cache,对于指令缓冲,用户不用管,这里主要说的是数据缓存D-Cache。以STM32H7为例,主频是400MHz,除了TCM和Cache以400MHz工作,其它AXI SRAM,SRAM1,SRAM2等都是以200MHz工作。数据缓存D-Cache就是解决CPU加速访问SRAM。 : P3 O* X# Q9 ]+ {3 f 如果每次CPU要读写SRAM区的数据,都能够在Cache里面进行,自然是最好的,实现了200MHz到400MHz的飞跃,实际是做不到的,因为数据Cache只有16KB大小,总有用完的时候。 对于使能了Cache的SRAM区,要分读写两种情况考虑。4 T* S7 H% g. X f: ` y" x2 u 读操作:$ m6 Y) |( E2 B3 S' x 如果CPU要读取的SRAM区数据在Cache中已经加载好,这就叫读命中(Cache hit),如果Cache里面没有怎么办,这就是所谓的读Cache Miss。# F5 r6 ?7 @ H) y5 Z, J' [, m& K # c& {- U) m" t5 g+ x 写操作:8 _) B n( Y0 A3 W% r9 j7 A/ L6 X 如果CPU要写的SRAM区数据在Cache中已经开辟了对应的区域(专业词汇叫Cache Line,以32字节为单位),这就叫写命中(Cache hit),如果Cache里面没有开辟对应的区域怎么办,这就是所谓的写Cache Miss。6 X v9 M. |/ K, l! [8 P 1 B4 y7 a! Z( A 8 |" D5 r! T; D二、支持的Cache配置: Cache的配置是通过MPU来设置的,通常只用到下几种方式。 * G% H; S, |+ M/ A' M8 G% F& M/ @; k8 c5 Z( q. \0 P- V 其中的TEX是用来设置Cache策略的,C是Cache,B是缓冲用来配合Cache设置的,而S是共享,用来解决多总线或者多核访问时的同步问题。MPU配置的时候,最主要的也是配置这几个参数。( [- t1 E) H" w$ A, B Cache支持的策略有如下四种:0 [5 X5 `' J4 C- C 9 v+ S2 x% v$ F( u) h% x有了这四种方式,就可以在正式进入本帖的主题,Cache的读写操作是如何工作的,下面分这四种情况做一 一介绍。 三、四种Cache(MPU)配置的读写操作流程说明- c+ }! o: V6 T. K. Q! {* d6 W% l 1、 Non-cacheable 这个最好理解,就是正常的读写操作,无Cache。. r* u9 c% k4 Y- f; {7 U# D # f# l$ c% q9 A5 b# t- a# ~& X (1)对应四种MPU配置如下:6 h5 Q0 L7 L& J, t TEX = 000 C=0 B=0 S=忽略此位,强制为共享5 { R5 l- X" h. J' ^) X0 ~ TEX = 000 C=0 B=1 S=忽略此位,强制为共享. s( O6 Y1 T/ l- f" v, q8 s TEX = 001 C=0 B=0 S=0 TEX = 001 C=0 B=0 S=1! l5 e2 i' e9 a0 F m! D 2、Write through, read allocate,no write allocate) }& C4 ~7 `# D, i8 \ 注意,M7内核只要开启了Cache,read allocate就是开启的。 - \) I5 y! U0 b" c* W8 A4 x3 a& R (1)使能了此配置的SRAM缓冲区写操作2 v x& M- E1 h( S 如果CPU要写的SRAM区数据在Cache中已经开辟了对应的区域,那么会同时写到Cache里面和SRAM里面;如果没有,就用到配置no write allocate了,意思就是CPU会直接往SRAM里面写数据,而不再需要在Cache里面开辟空间了。, r, L# U" K; B% U( U. r 6 l; ^! |" g) u% b 在写Cache命中的情况下,这个方式的优点是Cache和SRAM的数据同步更新了,没有多总线访问造成的数据一致性问题。缺点也明显,Cache在写操作上无法有效发挥性能。 / V1 B5 [2 @9 a1 G% ?4 J (2)使能了此配置的SRAM缓冲区读操作0 W: |4 h% A u& v3 U 如果CPU要读取的SRAM区数据在Cache中已经加载好,就可以直接从Cache里面读取。如果没有,就用到配置read allocate了,意思就是在Cache里面开辟区域,将SRAM区数据加载进来,后续的操作,CPU可以直接从Cache里面读取,从而时间加速。8 h/ m A1 @" ?+ ~- c! G9 ]9 S $ v# b7 y- g9 P+ u- n/ T' Z 安全隐患,如果Cache命中的情况下,DMA写操作也更新了SRAM区的数据,CPU直接从Cache里面读取的数据就是错误的。) f8 X T d! u, b( K+ c$ a & f4 A. t0 B* G! N* N O (3)对应两种MPU配置如下:( q5 B, W/ A- K5 p. E! H TEX = 000 C=1 B=0 S=1" Y; }3 _/ K% o, z5 w TEX = 000 C=1 B=0 S=0 3、Write back, read allocate,no write allocate# {# s5 h# R$ q. I3 ^- L 注意,M7内核只要开启了Cache,read allocate就是开启的。 5 b1 N, I# _; p: \ (1)使能了此配置的SRAM缓冲区写操作 如果CPU要写的SRAM区数据在Cache中已经开辟了对应的区域,那么会写到Cache里面,而不会立即更新SRAM;如果没有,就用到配置no write allocate了,意思就是CPU会直接往SRAM里面写数据,而不再需要在Cache里面开辟空间了。 安全隐患,如果Cache命中的情况下,此时仅Cache更新了,而SRAM没有更新,那么DMA直接从SRAM里面读出来的就是错误的。 1 T% C I' t4 j; f6 \9 N0 I (2)使能了此配置的SRAM缓冲区读操作 如果CPU要读取的SRAM区数据在Cache中已经加载好,就可以直接从Cache里面读取。如果没有,就用到配置read allocate了,意思就是在Cache里面开辟区域,将SRAM区数据加载进来,后续的操作,CPU可以直接从Cache里面读取,从而时间加速。+ w: H5 d" H9 Z$ v5 C3 b * O, e. E# x1 w1 d. u* U 安全隐患,如果Cache命中的情况下,DMA写操作也更新了SRAM区的数据,CPU直接从Cache里面读取的数据就是错误的。5 M+ E% C. L- n' Z) d0 @* u% v! g : {7 Y" v: ~. N- L (3)对应两种MPU配置如下: TEX = 000 C=1 B=1 S=18 L* ^8 R" O/ e5 C6 k5 P$ f TEX = 000 C=1 B=1 S=0% D& k* v, d0 K& ^5 P4 ] 4、Write back, read allocate,write allocate 注意,M7内核只要开启了Cache,read allocate就是开启的。 (1)使能了此配置的SRAM缓冲区写操作9 v6 L3 `+ e4 i% D7 d, {% E 如果CPU要写的SRAM区数据在Cache中已经开辟了对应的区域,那么会写到Cache里面,而不会立即更新SRAM;如果没有,就用到配置write allocate了,意思就是CPU写到往SRAM里面的数据,会同步在Cache里面开辟一个空间将SRAM中写入的数据加载进来,如果此时立即读此SRAM区,那么就会有很大的速度优势。 3 W6 p7 W& W" h% ?4 ?8 U! O. | 安全隐患,如果Cache命中的情况下,此时仅Cache更新了,而SRAM没有更新,那么DMA直接从SRAM里面读出来的就是错误的。9 `$ L, f5 E# g( q, T# L* z- ^ 5 Y3 r0 Y' O1 ^4 {6 U h( i( O (2)使能了此配置的SRAM缓冲区读操作( I$ L! ]# t3 X/ w% j" l; ]: u 如果CPU要读取的SRAM区数据在Cache中已经加载好,就可以直接从Cache里面读取。如果没有,就用到配置read allocate了,意思就是在Cache里面开辟区域,将SRAM区数据加载进来,后续的操作,CPU可以直接从Cache里面读取,从而时间加速。. e- g, O$ m- }; g w* A( ?' d" W4 J0 W" \+ ]7 c5 a 安全隐患,如果Cache命中的情况下,DMA写操作也更新了SRAM区的数据,CPU直接从Cache里面读取的数据就是错误的。 这个配置被誉可以最大程度发挥Cache性能,不过具体应用仍需具体分析。 ) N, W5 G9 }8 }, R1 U (3)对应两种MPU配置如下: TEX = 001 C=1 B=1 S=1 TEX = 001 C=1 B=1 S=0 5、共享配置是个隐形的大坑 P- R) D* ?% B 这里以STM32H7为例进行说明,STM32H7编程手册对其的描述是多核共享。 ) o2 l5 h* g R# J6 P1 w8 A: Z3 f l 而H7的应用笔记对齐的描述是开启共享基本等同于关闭Cache。/ g- p7 x' M. e# S" }' o2 I 3 `5 f3 N( |& v1 V% ?实际测试下面四种开Cache的情况,开关共享对缓冲区的大批量数据的读操作影响很大,基本差出两倍,而写操作基本没有影响,也许这就是所谓的多总线同步读造成的。% {& r" f' N* K0 b& ?8 Y9 B 另外共享开关仅对开启了Cache的情况下有影响,而对于关闭了Cache的情况是没有影响的,开不开没关系。 6、总结这几种方式的几个关键知识点 (1)Cortex-M7内核的L1 Cache由多行内存区组成,每行有32字节,每行都配有一个地址标签。数据缓冲DCache是每4行为一组,称为4-way set associative。而指令缓冲区ICache是2行为一组,这样节省地址标签,不用每个行都标记一个地址。 (2)对于读操作,只有在第1次访问指定地址时才会加载到Cache,而写操作的话,可以直接写到内存中(write-through模式)或者放到Cache里面,后面再写入(write-back模式)。2 Z Y! ]* L* ~ / h$ e+ I6 _/ Y: Q1 ]( q& s: { (3)如果采用的是Write back,Cache line会被标为dirty,等到此行被evicted时,才会执行实际的写操作,将Cache Line里面的数据写入到相应的存储区。% \5 a1 ?8 y$ C3 ?& Z$ H ' C8 P* j: a/ f# c/ V (4)Cache命中是访问的地址落在了给定的Cache Line里面,所以硬件需要做少量的地址比较工作,以检查此地址是否被缓存。如果命中了,将用于缓存读操作或者写操作。如果没有命中,则分配和标记新行,填充新的读写操作。如果所有行都分配完毕了,Cache控制器将支持eviction操作。根据Cache Line替换算法,一行将被清除Clean,无效化Invalid或者重新配置。数据缓存和指令缓存是采用的伪随机替换算法。* p. @' p9 U; A9 v0 \+ D (5)Cache支持的4种基本操作,使能,禁止,清空和无效化。Clean清空操作是将Cache Line中标记为dirty的数据写入到内存里面,而无效化Invalid是将Cache Line标记为无效,即删除操作。 e* @3 v2 u7 x/ s- R6 P4 f 四、面对这种繁冗复杂的Cache配置,推荐方式和安全隐患解决如下(以H7为例):" p2 w( T! o8 Z H: I (1)推荐使用128KB的TCM作为主RAM区,其它的专门用于大缓冲和DMA操作等。 (2)Cache问题主要是CPU和DMA都操作这个缓冲区时容易出现,使用时要注意。 (3)Cache配置的选择,优先考虑的是WB,然后是WT和关闭Cache,其中WB和WT的使用中可以配合ARM提供的如下几个函数解决上面说到的隐患问题。但不是万能的,在不起作用的时候,直接暴力选择函数SCB_CleanInvlaidateDCache解决。关于这个问题,在分别配置以太网MAC的描述符缓冲区,发送缓冲区和接收缓冲区时尤其突出。$ ]3 Z. @/ Q5 W/ R8 [3 `( t ' F' y& X: u- }- ]+ d$ p: p |
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