想必大家都知道Flash的作用吧。Flash主要是用来存储程序代码的，内核可从内部Flash中加载代码的运行。首先我们来看一下STM32F103ZET6大容量产品内部的FLASH构成吧。如图FLASH结构图所示。
0 \3 O* u, G* T
6 k1 ]: o" X# n9 L, X5 M
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。

8 {* e0 p* [+ x6 ]3 n; i信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。
# S# ^8 y& G, L& ^% J: X) ]
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

5 Z/ k' B4 v9 D5 {系统存储区，系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责实现串口、USB以及CAN等ISP烧录功能。

( W" q  E1 R& c" J7 L选项字节，选项字节用于配置FLASH的读写保护、待机/停机复位，软件/硬件看门狗等功能，这部分共16字节。可以通过修改FLASH的选项控制寄存器修改。
二，对FLASH的写入过程
在对FLASH写操作之前必须先要解锁，解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列(KEY1和KEY2)。调用库函数void FLASH_Unlock(void);就好，同理写入完成后还要锁住FLASH调用void FLASH_Lock(void)。固件库提供了三个写FLASH的函数：
& U5 V+ J% e. {6 X2 y" ?FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
- z/ w! F+ X4 H0 ~& ~既然有FLASH的写入函数也肯定有FLASH的擦除函数，对应的提供了三个固件库擦除函数：
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);（页擦除，指定页）
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);（擦除所有的页数据）
/ b! H. g1 P7 B+ ]4 E' \7 cFLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);（擦除用户选择字节数据）
: ]) N( \5 n, ?& o/ g
最后就是读取FLASH状态了。FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)；通过返回的枚举类型值来判断当前FLASH的状态。

好了今天就说到这，后续再见！

围观

谢谢分享

感谢分享~~

谢谢大家围观

谢谢分享

谢谢分享

感谢分享，正好在练习对片内flash的读写操作，学习了。