想必大家都知道Flash的作用吧。Flash主要是用来存储程序代码的，内核可从内部Flash中加载代码的运行。首先我们来看一下STM32F103ZET6大容量产品内部的FLASH构成吧。如图FLASH结构图所示。

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主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。
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7 f# y  Q2 r" L% {" I8 B8 ?+ Q  p, b信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。

闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

系统存储区，系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责实现串口、USB以及CAN等ISP烧录功能。
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选项字节，选项字节用于配置FLASH的读写保护、待机/停机复位，软件/硬件看门狗等功能，这部分共16字节。可以通过修改FLASH的选项控制寄存器修改。
二，对FLASH的写入过程
在对FLASH写操作之前必须先要解锁，解锁操作也就是必须在FLASH_KEYR寄存器写入特定的序列(KEY1和KEY2)。调用库函数void FLASH_Unlock(void);就好，同理写入完成后还要锁住FLASH调用void FLASH_Lock(void)。固件库提供了三个写FLASH的函数：
5 h1 V8 L8 i4 f. \0 @; R4 qFLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
( W& k* s( c6 `FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
8 }( c# F) `5 |7 I- FFLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
% _- V! A: y& E+ t1 ^: h既然有FLASH的写入函数也肯定有FLASH的擦除函数，对应的提供了三个固件库擦除函数：
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);（页擦除，指定页）
/ B; y8 w, g6 tFLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);（擦除所有的页数据）
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);（擦除用户选择字节数据）

最后就是读取FLASH状态了。FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)；通过返回的枚举类型值来判断当前FLASH的状态。

好了今天就说到这，后续再见！
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感谢分享，正好在练习对片内flash的读写操作，学习了。