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阿波罗H743 SDRAM 顺序写性能测试 , 仅供参考

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zhdx 发布时间:2019-3-13 14:53
本帖最后由 zhdx 于 2019-3-13 14:55 编辑 " k* i; e) H% Z/ J9 T; e) v' c
* O; T- w1 _; `; q) Q
环境, Keil 编译器 gnu v6.11, 编译选项-Os balanced , LTO
7 q/ m# v4 l* Y6 v* I) i1 A! {2 K) U$ o* x( D
启用ICache, DCache, MPU对SDRAM区域的策略是 MPU_ACCESS_CACHEABLE0 X3 B5 M8 f0 X2 N: g

/ y: Z# g& f# w3 @. H  j# S3 WCPU频率400Mhz , FMC时钟200Mhz (CubeMX配置是这么显示的)8 i; Z  Y& A# P

5 M/ o: }1 _+ a( h+ J* A2 R测试方法是, 在固定的一个位置, 要么是SRAM区域, 要么是SDRAM内 (未测DTCM)
; g6 R. Y; y* r! M. O0 D, q! s
$ r' K, m( I$ H7 d# {& x7 N生成一块 2K, 16K, 256K 的src数据, 往SDRAM里连续而不同的地址区域复制多次达到24MB的写入量
/ [: C6 t. Y. D8 j/ L+ e
# k3 l) h) i. x2 \5 @9 C9 G然后再对写入的内容进行检查
1 O8 W8 I* O; C
$ N4 w6 v* T/ m; R1 X. O- u6 d结果如下:
8 W. P  w7 m2 s  P9 P( u1 J
2 X* X9 L' k. M5 d; \src数据放在 SRAM
5 |; K4 l( n- j' {2K        复制 45MB/s
* U+ L+ `* ^& l; ^, @% n& q7 ~. M16K        复制 133MB/s
0 M* k4 C5 z) D" ]# e: P256K        复制 177MB/s3 D! W; ]: B2 y3 q

8 D( n$ m6 M! Vsrc数据放在 SDRAM  6 ?0 K: W/ |& z& N5 G2 d
2K        复制 24MB/s! d& U* u1 r3 ]! x
16K        复制 37MB/s3 T% C. f6 P# j2 L6 d4 N9 V) X' H. D
256K        复制 40MB/s
: i( _7 ^9 k9 b3 i& }# D8 _0 r6 }9 {; f& ]3 j) B. g2 j
写SDRAM要比读SDRAM快很多. 暂时未作严谨的读测试.+ q, S  |, k6 o* b2 s8 A
' c. |: j& D- _# H6 y
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