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编出来app部分代码,地址不偏移,直接烧录,正常运行。先烧录IAP代码,再烧录加入偏移的APP代码,无法运行,会再执行一次iap代码后卡死。 偏移操作如下: 1. 在stm32f4_flash.ld 设定flash开始地址和大小; 2. main函数中加入SCB->VTOR=FLASH_BASE|0x20000; iap代码验证过 引导原来mdk编的代码,可以正常运行的。 问一下这个APP代码里还有别的什么地方需要修改的吗? |
stm32f4_flash.ld
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STlink , 问题找到了,是iap代码中栈顶地址的判断不符合条件,导致无法跳转