STM32 flash写问题

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ikxlf 提问时间：2019-7-24 14:25 /

问答
是否解决:

有什么办法可以测试在操作一块flash的时候，刚好完成了一半就被另外一块地址的flash操作打断了的这种情况？，主要是想看这样操作是否可以以及操作会出现什么异常？启动模式SRAM或者 flash 都可以, 不知道有没有高手帮忙解答一下。

赞收藏评论12 发布时间：2019-7-24 14:25

12个回答

七哥回答时间：2019-7-24 15:18:33

完全相同的两片外部Flash就可以，只要你不读就行。

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ikxlf 回答时间：2019-7-24 15:23:54

toofree 发表于 2019-7-24 15:18
完全相同的两片外部Flash就可以，只要你不读就行。

我相同时写内部的flash，主要想验证一下是否内部flash支持不同地址同时读写操作

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废鱼回答时间：2019-7-24 15:23:55

楼主，我不太理解这个同时。代码运行都是有顺序的，很难实现同时操作。最好能描述一下想做什么。

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ikxlf 回答时间：2019-7-24 15:35:47

安发表于 2019-7-24 15:23
楼主，我不太理解这个同时。代码运行都是有顺序的，很难实现同时操作。最好能描述一下想做什么。 ...

我的目的是这样的：我可以简单地把内部flash比如说256k的空间地址为0x08000000-0x08040000, 如果我把代码烧写到RAM中，也是从RAM中启动，这样的话整个flash区域我都可以随意操作，现在问题来了，如果我想同时写flash空间的两个地址不知道这样是否可以，最关键的是我不知道咋样实现同时操作，除非是双核的MCU可能能完全做到这个所谓的同时，我看到NXP的 MCU似乎可以这么操作，后来我做做过这样的测试就是开启一个中断，中断中不停的对一个地址或者一块地址flash 擦除读写操作，主程序中对另外一块地址进行不停的读操作，我就长时间的跑，看看会不会发生异常比如Hard_fault错误，结果长时间都不会发生错误，我把中断时间改为毫秒级别，还是没看到错误，后来我就在memory窗口打开了我要读取的flash地址查看对应地址数据，结果很多次都报错了，所以这样是不是可以证明，不能同时操作不同地址falsh空间，否则容易造成总线错误，最终导致的是Hard_fault错误呢，因为中断这个方法感觉不是很靠谱(毕竟我记得ST的flash在读写擦除flash时候似乎不响应中断)，而我之所以可以测出Hard_fault错误，原因可能是keil软件和code同时在操作falsh导致了这个Hard_fault。。。提出这个问题的目的是看大家有没有更好的办法测试一下这个结论？

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七哥回答时间：2019-7-24 17:31:24

本帖最后由 toofree 于 2019-7-24 17:38 编辑

无论什么操作，都无法实现，同一时间同时读或写同一地址段的两个地址空间的，必须是分时复用。
你这么试，以为是同时操作，实际内部已做了仲裁，进行了分时调度。你开个中断，就以为是同时了？中断执行的时候，主程序是不执行的。退出中断后，主程序才能继续执行。

就算是双核操作，也是有前提的，必须是两片独立的地址空间，必须是两组独立的系统总线。