大佬们好,有个问题请教大家: 在新版原理图设计中,我遇到了如下问题: 原来网口电路:MAC (ATSAMA5D35A) + PHY(KSZ8041FTL):RMII接口 现在网口电路:MAC (STM32H743BIT6) + PHY(KSZ8041FTL):RMII接口 只是把原来的ATSAMA5D35A MCU芯片更换为STM32H743BIT6芯片,外围电路未更改,此时出现当MAC读PHY内部寄存器时,MDIO数据线上高电平拉不高,导致回读数据不对,后来接了1K上拉电阻就可以正确读数据了。(PHY芯片推荐的MDIO需要上拉4.7K,但是实际上拉了4.7K后,由低电平拉高到高电平时间很久,上升沿很长) 问题一: 同样是MAC RMII接口,同样的PHY芯片,为什么ATSAMA5D35A MDIO数据线不需要上拉,而STM32H743BIT6必须要上拉才行? 问题二: 为什么PHY芯片推荐的MDIO需要上拉4.7K,但是实际上拉了4.7K后,由低电平拉高到高电平时间很久,上升沿很长? 谢谢大佬们能帮忙解决!
上拉电阻越小,上升沿驱动能力越强,上升沿越陡。