使用STM32H750VB编写用户引导程序【BOOT CODE】和应用程序【APP CODE】。根据数据手册描述，STM32H750有128K Bytes的片内flash，地址是从0x0800 0000~~0x0801 FFFF。将用户bootloader放在0x0800 0000~0x0800 2FFF，应用程序放在0x08003000~0x0801 FFFF。但当按照这样的存储分配设计时，发现总是没法实现从BOOT区到APP区的跳转。

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7 L! l9 y) |" w( K% ~) `基于这些信息，我们在想会不会是，比如中断矢量表定位问题，注意了之后发现，代码应该没有问题。我这边就这个问题找了块STM32H743的板做了验证测试。发现从BOOT区到APP区的跳转并没有异常，那么之前怎么又有问题呢？

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再次思考之前信息的症结所在。我用的默认内部SRAM区为AXI SRAM,地址区间在0x24000000 --0x2407FFFF,即下面表格中的A区，而之后使用的默认内部SRAM区是DTCM SRAM，地址区间在0x20000000 -0x2001FFFF，即下面表格中的B区。


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难道是这个差别导致跳转的不同结果？当然，这两个SRAM区在使用上还是有差异的。
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我尝试着将测试工程的默认SRAM区从TCM RAM也改成AXI SRAM进行测试。果真没法实现从BOOT区到APP区的跳转！看来跳转失败跟选择这个默认SRAM区有关系。也就是说当我默认使用DTCM RAM时跳转正常,如果默认使用AXI SRAM时会跳转失败。
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& P+ |$ C. x, Z+ t我们知道，STM32H7系列芯片支持D-CACHE/I-CACHE。具体到这里，如果使用AXI SRAM往往会用到D-CACHE。我们的工程代码里也的确开启了D-CACHE,如果是因为这个原因，如果在做跳转操作之前关闭D-CACHE应该就能实现正常跳转。 于是对代码稍加调整，实际上也就是加了句关闭D-CACHE的代码。【红色方框处】
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, p5 R$ H. e' B; X1 `3 s1 O再次进行测试，此时即使使用AXI RAM做为默认内存空间，从用户BOOT区也能可靠跳转到APP区，完美实现。
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这里涉及到STM32H7系列芯片内部不同存储区的访问特性和D-Cache相关知识，细节还是挺多的。有兴趣的话，可以自行查看相关技术手册做进一步的了解和探究。
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