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看电路图,为你详解STM32的GPIO工作原理

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eefishing 发布时间:2020-1-8 23:44
STM32的GPIO介绍
; ?4 E% J4 }9 _+ i% R% n- |" OSTM32引脚说明GPIO是通用输入/输出端口的简称,是STM32可控制的引脚。GPIO的引脚与外部硬件设备连接,可实现与外部通讯、控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能。
. `3 V2 \0 ^6 t2 J8 }' m/ Y- L+ Y: C7 |
STM32F103ZET6芯片为144脚芯片,包括7个通用目的的输入/输出口(GPIO)组,分别为GPIOA、GPIOB、GPIOC、GPIOD、GPIOE、GPIOF、GPIOG,同时每组GPIO口组有16个GPIO口。通常简略称为PAx、PBx、PCx、PDx、PEx、PFx、PGx,其中x为0-15。) E* g- n4 G) ]1 j; z7 w% C
$ N5 m4 w) `8 G( o/ g4 T
STM32的大部分引脚除了当GPIO使用之外,还可以复用位外设功能引脚(比如串口),这部分在【STM32】STM32端口复用和重映射(AFIO辅助功能时钟) 中有详细的介绍。
( Z- M* q# z. ?. ~6 |9 e* j; v! o. p1 v$ L( R
GPIO基本结构每个GPIO内部都有这样的一个电路结构,这个结构在本文下面会具体介绍。
8 m% F  \+ |$ }4 l) ^& _
1.jpg
这边的电路图稍微提一下:
. b7 A* r/ h1 M8 m* j$ a
& T7 z& x" b4 v* g; l7 N" [* |% f' y保护二极管:IO引脚上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时,上方的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。7 m2 z4 M, N# N' W/ |0 y% n0 c
# l) o8 D3 w) z7 N& K, n: |/ N
P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
- [% I" X% g, ]! Y% D& S1 A. D. Y9 F& _$ c2 ]
TTL肖特基触发器:信号经过触发器后,模拟信号转化为0和1的数字信号。但是,当GPIO引脚作为ADC采集电压的输入通道时,用其“模拟输入”功能,此时信号不再经过触发器进行TTL电平转换。ADC外设要采集到的原始的模拟信号。' O# P  T# `* R0 I$ E
% J/ o) q' ?6 @! ?- }: W8 B
这里需要注意的是,在查看《STM32中文参考手册V10》中的GPIO的表格时,会看到有“FT”一列,这代表着这个GPIO口时兼容3.3V和5V的;如果没有标注“FT”,就代表着不兼容5V。& N, S' k# |! v) t  }" t

+ |: o: P7 N# @% _STM32的GPIO工作方式GPIO支持4种输入模式(浮空输入、上拉输入、下拉输入、模拟输入)和4种输出模式(开漏输出、开漏复用输出、推挽输出、推挽复用输出)。同时,GPIO还支持三种最大翻转速度(2MHz、10MHz、50MHz)。4 D+ U: D2 y2 g$ P: G
, R3 t, |0 ]( K
每个I/O口可以自由编程,但I/O口寄存器必须按32位字被访问。  P% z) s( C0 W# C' A

* k5 K1 N* b: v: S/ l7 ~1 H' eGPIO_Mode_AIN 模拟输入GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空输入GPIO_Mode_IPD 下拉输入GPIO_Mode_IPU 上拉输入GPIO_Mode_Out_OD 开漏输出GPIO_Mode_Out_PP 推挽输出GPIO_Mode_AF_OD 复用开漏输出GPIO_Mode_AF_PP 复用推挽输出下面将具体介绍GPIO的这八种工作方式:
! H% Q) o. V; M$ j/ u7 o. s' z/ Y
, [) r8 r, C: p& Y, T7 ]/ A浮空输入模式( J. t# @' A  n
2.jpg
浮空输入模式下,I/O端口的电平信号直接进入输入数据寄存器。也就是说,I/O的电平状态是不确定的,完全由外部输入决定;如果在该引脚悬空(在无信号输入)的情况下,读取该端口的电平是不确定的。
+ Y3 x$ F, `" j  W( g, o7 `
4 Z; D4 M- H+ M- _

# v& s* J. `( Q上拉输入模式
6 x) B$ P& F% @  ]& \* I, e
3.jpg
上拉输入模式下,I/O端口的电平信号直接进入输入数据寄存器。但是在I/O端口悬空(在无信号输入)的情况下,输入端的电平可以保持在高电平;并且在I/O端口输入为低电平的时候,输入端的电平也还是低电平。
# G0 n0 x- A$ F2 j; [9 v$ L; I

  d- T, [+ @# b& v  ?7 l# T! u+ y  W" m' ]1 H- Z# `2 E
下拉输入模式; i+ h- T/ Y- b
4.jpg
下拉输入模式下,I/O端口的电平信号直接进入输入数据寄存器。但是在I/O端口悬空(在无信号输入)的情况下,输入端的电平可以保持在低电平;并且在I/O端口输入为高电平的时候,输入端的电平也还是高电平。
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' z" a6 @; P  _" ?& ?0 j" Z8 H# q模拟输入模式
, K  m0 g: y) Y( ~/ }- U
5.jpg
模拟输入模式下,I/O端口的模拟信号(电压信号,而非电平信号)直接模拟输入到片上外设模块,比如ADC模块等等。; j$ @! @" e7 f" m& V2 H# C& Y
6 f. v) G% r( [3 Y

: C( {& n( s' y( o6 |开漏输出模式, e5 i6 q! k. b+ D2 y. [0 {6 X
6.jpg
开漏输出模式下,通过设置位设置/清除寄存器或者输出数据寄存器的值,途经N-MOS管,最终输出到I/O端口。这里要注意N-MOS管,当设置输出的值为高电平的时候,N-MOS管处于关闭状态,此时I/O端口的电平就不会由输出的高低电平决定,而是由I/O端口外部的上拉或者下拉决定;当设置输出的值为低电平的时候,N-MOS管处于开启状态,此时I/O端口的电平就是低电平。同时,I/O端口的电平也可以通过输入电路进行读取;注意,I/O端口的电平不一定是输出的电平。' ~& t) U: r* d- t6 Y

5 r1 ^$ i  O: W# k; b8 d# b$ l4 O
$ ]* \7 @+ H+ X7 B6 a开漏复用输出模式8 V1 C  a: C5 [( m. v
7.jpg
开漏复用输出模式,与开漏输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源,不是让CPU直接写输出数据寄存器,取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
: D- f" c7 B! b% j- A7 c4 J7 C& |' c: m% w1 l7 Z# A8 v- [1 h
推挽输出模式
8 D* ]3 e9 y8 X/ X; M/ I5 P
8.jpg
推挽输出模式下,通过设置位设置/清除寄存器或者输出数据寄存器的值,途经P-MOS管和N-MOS管,最终输出到I/O端口。这里要注意P-MOS管和N-MOS管,当设置输出的值为高电平的时候,P-MOS管处于开启状态,N-MOS管处于关闭状态,此时I/O端口的电平就由P-MOS管决定:高电平;当设置输出的值为低电平的时候,P-MOS管处于关闭状态,N-MOS管处于开启状态,此时I/O端口的电平就由N-MOS管决定:低电平。同时,I/O端口的电平也可以通过输入电路进行读取;注意,此时I/O端口的电平一定是输出的电平。1 S% h- ?0 Z! _. W: y

" x8 I# v1 }5 Y, t3 x' {. }& t. `
( A3 |, w' s8 w+ Q/ s$ I" U5 U推挽复用输出模式
4 b9 |+ l* n: x  E5 O, M: J$ @6 n+ U% L
9.jpg
推挽复用输出模式,与推挽输出模式很是类似。只是输出的高低电平的来源,不是让CPU直接写输出数据寄存器,取而代之利用片上外设模块的复用功能输出来决定的。
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0 n% s+ d/ w; c! S8 z
. A; l. Q6 c7 T+ P1 D$ h1 z
总结与分析
2 M5 m* p" n3 b! g9 _% {  b" L+ X1、什么是推挽结构和推挽电路?推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。8 n. A) O: e- o: w! E  c# C3 T

) p# z- ~3 N) g$ I- w; ?推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务。电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。
$ F* O/ N$ S# i4 @" p! V& S
0 p! s0 q. s5 F& [2、开漏输出和推挽输出的区别?开漏输出:只可以输出强低电平,高电平得靠外部电阻拉高。输出端相当于三极管的集电极。适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内);推挽输出:可以输出强高、低电平,连接数字器件。关于推挽输出和开漏输出,最后用一幅最简单的图形来概括:
* B! T( |! u2 _: U2 h
10.jpg
该图中左边的便是推挽输出模式,其中比较器输出高电平时下面的PNP三极管截止,而上面NPN三极管导通,输出电平VS+;当比较器输出低电平时则恰恰相反,PNP三极管导通,输出和地相连,为低电平。右边的则可以理解为开漏输出形式,需要接上拉。
! v8 W3 }1 K- z& P' Z& m" _  y$ _1 x
3、在STM32中选用怎样选择I/O模式?
4 w6 T5 Q5 z  @# a0 z) {' z浮空输入_IN_FLOATING ——浮空输入,可以做KEY识别,RX1带上拉输入_IPU——IO内部上拉电阻输入带下拉输入_IPD—— IO内部下拉电阻输入模拟输入_AIN ——应用ADC模拟输入,或者低功耗下省电开漏输出_OUT_OD ——IO输出0接GND,IO输出1,悬空,需要外接上拉电阻,才能实现输出高电平。
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2 G8 j( J. _$ g5 y
当输出为1时,IO口的状态由上拉电阻拉高电平,但由于是开漏输出模式,这样IO口也就可以由外部电路改变为低电平或不变。可以读IO输入电平变化,实现C51的IO双向功能推挽输出_OUT_PP ——IO输出0-接GND, IO输出1 -接VCC,读输入值是未知的复用功能的推挽输出_AF_PP ——片内外设功能(I2C的SCL、SDA)复用功能的开漏输出_AF_OD——片内外设功能(TX1、MOSI、MISO.SCK.SS)
8 K8 C! K# E4 H; [; H4 p7 d9 v2 U
; |$ A" a. x4 L8 V: k
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赞 收藏 2 评论1 发布时间:2020-1-8 23:44

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1个回答
happyavr128 回答时间:2020-2-6 12:53:05
不错
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