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单片机小知识

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gaosmile 发布时间:2020-6-12 20:04
①RST复位电路
微信图片_20200612200004.png

51单片机是高电平复位,低电平正常工作


4 b& J. H; j! ]$ G8 ]

上电瞬间以及按下按键(电容相当于导线),RST为高电平。

0 E! D* t0 @7 e3 C; K

按键按下的瞬间会产生大电流冲击,会局部产生较大的电磁干扰。为了减小这种干扰,加一个一个限流电阻。

3 c) A& r9 x8 K' J: A: V$ x

②有关RAM和FLASH

STC89C52RC系列单片机有512B的RAM以及8K的Flash(程序存储空间)

2 H8 W1 u, e# y. Y

RAM就是平时存储变量的,比如你定义了一个什么bit、uint8、 uint16 、uint32等等这些都是在RAM中定义的。


+ G' k( \6 q8 w; e$ U$ r4 o9 g

512B的RAM虽然名字一样,但是在物理结构以及用法是有区别的。
8 Y# y( W8 \( H" R" ^6 g9 Y

% l% V2 j# O5 y5 ]0 p/ a

沿袭老8051单片机的叫法,依旧叫为片内RAM和片外RAM。所谓的片内和片外是指芯片内部和芯片外部,但是现在的单片机的芯片拓展基本上都在内部,不存在什么片外拓展RAM。但是我们仍依旧这么叫,知道这回事就行了。


$ k$ w9 s3 T  G$ ?

片内RAM分为 data、idata一般我们直接定义的变量都是直接在data里面的,data是直接寻址的,是速度最快的。而其他都是通过寄存器间接寻址的,其速度当然不可同日而语。

# N1 S) w! G) S) U' ~

其中data的范围是从片内的0x00~0x7F共128字节

4 q6 ~3 i2 B7 O6 a& l" E

而idata范围是从片内的0x80~0xFF也是128B但是它同时不用来存储变量,当然也不希望程序能访问到这里,它主要的用途就是用来中断与函数的调用。


! _; ^3 K; q+ }% z5 z2 |/ l

片外RAM分为pdata、xdata如上所述,均是通过寄存器来间接寻址的。


3 T, T5 r( }. s5 M) v

pdata的寻址范围是片外的0x00~0xFF共256B。寻址速度相对来讲比xdata快


' U% c/ e/ ^  v* b* h

xdata的寻址范围是片尾的0x0000~0xFFFF共64K。寻址范围最广,如要使用还得专门配置两个字节寄存器DPTRH和DPTRL,寻址范围的广,也就意味着速度是最慢的。

  C$ M0 G% t; ?. u' ^

所以呢,总结一下就是:一般变量存储在data区域,当data不够了,在去寻xdata区域,idata不要触碰。pdata不到万不得已也不要!!!


; F2 s: c1 |& n2 H$ e: Y( ^1 L

看似高字节拓展的128RAM是和寄存器的地址相重叠,但是物理上并不重叠


! ?! x/ t- l+ I! T
微信图片_20200612200007.jpg

③三极管


( y8 G1 ]$ K( d# [! J: n

用途主要有:驱动和控制两个


% a' a1 y# S, v! ?& s& I% e, R8 q' b

三极管的特性:截止、饱和、放大。

(在数电中主要用到的是三极管的开关作用,用到的是截止和饱和特性(有一个β因数)。而在模电当中用到的是则是它的放大特性)# z) E9 X, o) t( W* Q


- d+ X0 d6 o0 |# Q- x2 y5 K& ~4 z
微信图片_20200612200010.jpg
微信图片_20200612200013.png
微信图片_20200612200016.jpg

+ g# m. S" o: L/ H) G) O

/ d; S" l( M8 a. _1 D* u

④按字节编码寻址以及按字编码寻址

按字节编码寻址,1M = 2^20B 而 1B=8bit所以2^20B/1B = 2^20

可寻地址为1~2^20-1

需要二十根总线

/ C; s% V2 E. T2 o  a

按字编码寻址,1字的4B,其他同上,那么2^20/1字=2^20/4B=2^18

可寻地址为1~2^18-1

需要十八跟总线

/ p4 e; q4 c' [7 d7 p

对了,除此之外还要注意一个东西,就是MB和M的区别

MB是一个容量单位,兆字节

而M是一个数量单位,兆

8 V$ x6 x5 m7 |! w4 q

LED压降为2V,工作电流1~20mA**一般在1~5,mA之内的变化可以直接体现在灯的亮程度,超过5mA就没那么明显了所以选取的串联电阻可以选**150欧~3K

, r7 r2 B$ a& r- I5 q+ N1 E

⑤三八译码器快速记住对应的,其实左边三个可以看成二进制是几,对应的右边哪一位就是0

% u* s5 B* @' f- ~/ ^8 f

比如左边A2 A1 A0为0 0 0那么右边Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 对应的值就是 0 1 1 1 1 1 1 1

, B* x, C) c' o( p: O3 T4 v

⑥关于IO口

IO口有四种状态,准双向,开漏,强推挽,高阻


5 D( n2 O" v$ O% C7 V

应用最多的得数准双向和开漏了,两者的主要区别就是开漏内部是没有上上拉电阻的。51单片机的P0默认就是开漏,而其他口均是准双向IO对于P0在自己DIY小电路的时候切记不要忘了加外部加上拉电阻!


4 ?, W. l  S+ {2 y$ U7 _: m5 z. B

对于准双向IO要特别注意:51单片机的一个重要知识准双向IO口,如果要正确读取外部信号的状态,首先必须保证自己是高电平


/ P) ]- t$ w/ T' v# O

⑦上拉电阻和下拉电阻


. M2 J" H2 t0 e0 ^. s

上拉电阻的主要应用场合有:

OC门即是开漏输出

需要增大电流输出时,加一个上拉相当于并联一个电阻。

也能起到限流作用,如5V转12V系统

抵抗EMI(电磁干扰)

, n' \0 d; l7 J; b

sbit

sbit用于定义单字节可位寻址对象的某位,“单字节可位寻址”包括可位寻址特殊功能寄存器和RAM中可位寻址区的16个字节。

8 X. |  e. S1 d, K4 o

bata 关键字可将变量定位到内部的RAM的可位寻址。

eg:
9 S: J5 L3 O3 u
char bdata bittest;
sbit RIbit = bittest^0;
sbit TIbit = bittest^1;
sbit P1_0 = P1^0;
5 |8 A- ~% H0 h' F9 D0 r  V

⑧ 有关IO口拉成高电平的总结


; x+ S/ a$ m& v( i7 H/ Y% ?+ O$ ]4 T

通常我们会遇到在普通的准双向IO口下,出现IO口拉不到高电平的情况。这个时候怎么办呢?


9 X  b" a/ g6 V& b  \

尝试所有的IO口状态,有的比较特殊,比如IO口外接上上拉电阻,必须开漏才能拉成高电平。

9 z+ U, \9 Y) V4 ]

单片机是否速度过快,可以适当延时。。

8 m* F* Z* x" b; c0 _, ]' \

⑨关于继电器

. G, x3 b  v6 k( |+ P8 x

模块接口:

1、DC+:接电源正极(电压按继电器要求,有5V.9V.12V和24V选择)

2、DC-:接电源负极

3、IN:可以高或低电平控制继电器吸合

9 _+ c* I) N: {* j

继电器输出端:

1、NO:继电器常开接口,继电器吸合前悬空,吸合后与COM短接

2、COM:继电器公用接口

3、NC:继电器常闭接口,继电器吸合前与COM短接,吸合后悬空

3 C6 F2 q5 x* ~6 W

高低电平触发*选择端:*

2 k/ ?6 U- o* U1 i% `

1.跳线与LOW短接时为低电平触发;


2 e& y9 E, t* _- P- V1 i- `" S/ a

2.跳线与high短接时为高电平触发。


0 R% J' y4 q4 \% Q* i  m$ ]
微信图片_20200612200019.jpg

⑩、关于DS18B20的引脚


# }. @; V2 O  e9 u6 l) V, c7 ~

简而言之,就是。平面面向自己以后,三个脚分别是GND、VOUT和VCC


8 X7 ?7 O; d$ L0 a0 b3 b

上张图明白一切


" u5 M6 h0 A' ]  Q. R  ~& g
微信图片_20200612200022.jpg
11、DHT11

' P! k2 w% Z% P, R) u

DHT11 是一款含有已校准单总线数字信号输出的温湿度复合传感器,它包括一个电阻式感湿 元件和一个 NTC 测温元件,并与一个高性能 8 位单片机相连接。DHT11 是属于民用型器件,测量 值仅精确到个位,即小数点后无数据,如果要使用于工业产品或更精确的应用,建议使用 DHT21 或 SHT10。


! w: R5 u& G) a/ N3 D; v$ q

微信图片_20200612200027.png
' o+ v: {  O7 r# A/ ~6 F

注意的是那个NA或者NC引脚,表示是空引脚。

4 J7 r" F" m9 A- ?# Z3 r
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