关于stm32 flash写入有两个疑问：
1. 是否每次写操作都需要擦除一个扇区？看到资料说，Flash写入只能由1改成0，因此先要擦除一个整个扇区才能写。

2. 我尝试用HAL_FLASH_Program去写一个代码段的地址时（0x0800194这样的），返回HAL_OK，但实际上没有写成功。在Keli memory区域可以直接修改，但是在代码里面修改不成功。这是为什么？

想通过IAP修改部分代码，实现用patch更新部分函数。求大神能指定一二。

在操作之前是否操作了unlock？如果没有操作，需要先解锁flash，再进行擦写。

1.必须擦除一个扇区，因为ST的擦除是按扇区的。
2.必须按照先解锁，再擦除，再写入的顺序。
ST有相当的例程，写入flash还是很简单的。参考一下固件库的例程吧

1、flash是只能由1变0，写之前需要擦除
2、不只是STM32，其他的flash也有最小操作单位，一般是扇区为单位，有4k 8k等等
3、对于STM32的flash写，需要按照先解锁，读出目标地址所在扇区的数据放在内存，直接修改内存的数据再擦除，再写入，注意地址要4字节对其
4、看看写之前的数据对不对

官方有文档可以参考：
STM32_Flash_RM_CH_V6.rar (238.9 KB, 下载次数: 67)

2020-8-28 10:48 上传

点击文件名下载附件

擦除一个扇区，解锁然后写入。。。

先擦除这个扇区或者块，然后解锁 就可以了

看使用哪个系列，少数系列是不需要先擦除的（比如L0系列）。具体可以参相关系列手册部分，内容很少的。
另外代码可以参考例程，每个系列都有相关配套的CUBE库和内部自带例程

谢谢各位的指点，我已经在真机（STM32L475）上擦写成功，只是Keli模拟器上（STM32F103）无法写成功。