01概述 这里的flash是指STM32F207内部集成的Flash ) z5 b% Q, {: P+ Y( L) zFlash存储器有以下特点 # A* |) l0 Y( o
2 ?" X5 M( i! L. A) u z# }9 o 存储器的构成 主要存储区块包含4个16K字节扇区,1个64K字节扇区和7个128K字节扇区。 : \. k5 f! I) W$ r# H- A0 R 系统存储器是用于在系统boot模式启动设备的。这一块是预留给ST的。包括bootloader程序,boot程序用于通过以下接口对Flash进行编程。USART1、USART3、CAN2、USB OTG FS设备模式(DFU:设备固件升级)。boot程序由ST制造期间编写,用于保护防止错误写入和擦除操作。 512OTP(一次性编程)字节用于用户数据。OTP区域包含16个附加的字节,用于锁定响应的OTP数据。 2 ^* e4 e& C) }& p7 p# T# j 选项字节,读写保护,BOR水平,软件/硬件看门狗和复位当设置处于待机和停机状态。 * c7 O& o1 u1 l2 b/ z" D$ U5 y 低功耗模式(参考参考手册的PWR部分) 对比参考手册的boot部分 当BOOT0为0是运行主存储区 2 |! O! T2 u4 w2 B7 `, G5 G" Y 当BOOT0为1,BOOT1为0时运行系统存储区 系统存储区运行的是ST出厂的bootloader代码,跳过过了用户的代码。如果在应用层代码锁定了JTAG管脚(将JTAG管脚用于普通GPIO),我们可以通过修改boot管脚状态,进入系统存储中,再进行debug。 2.1、读取 内置的Flash是处于CortexM3的数据总线上的,所以可以在通用地址空间之间寻址,任何32位数据的读操作都能访问Flash上的数据。
将Address强制转化为32位整型指针,然后取该指针所指向的地址的值,就得到了Address地址上的32位数据。) R/ n' v2 o- y0 C. A2 k 2.2、擦除 Flash 擦除操作可针对扇区或整个Flash(批量擦除)执行。执行批量擦除时,不会影响OTP扇区或配置扇区。 2 A! p/ \4 \1 w7 n扇区擦除步骤
Y& M% r& M4 [. w# u9 l : \0 y) l* t7 L" C& ? 批量擦除步骤 ( O: o& y" j( [ f0 L, i
$ f7 g* X% L, [; _( F8 S1 v " n }3 _( @6 M$ X7 } ST提供相应的库函数接口
注意到,有个特殊的参数VoltageRange,这是因为 7 f% R9 h! W& _6 u8 H$ O 这里就不再翻译了,就是在不同电压下数据访问的位数不同,我们是3.3V,所以是32位数据,这也就是在读数据是为什么要读取32位的原因。 2.3、写入 写入之前必须擦除,这里和NorFlash操作是相同的 复位后,Flash控制器寄存器(FLASH_CR)不允许写入的,去保护Flash闪存因为电气原因出现的以外操作,以下是解锁的步骤 + j S6 t) j# E! h
将FLASH_CR 寄存器中的LOCK 位置为1 后,可通过软件再次锁定FLASH_CR 寄存器 ! Z, x: D5 k: ^0 m6 r4 D ST提供了库函数 / q5 x0 x- I( I# C+ P" `. k d
备注: 7 Z X Q- [' _# Z4 T% f 当FLASH_SR 寄存器中的BSY 位置为1 后,将不能在写模式下访问FLASH_CR 寄存器。BSY 位置为1 后,对该寄存器的任何写操作尝试都会导致AHB 总线阻塞,直到BSY位清零 $ {5 H" y9 R# v 这要求我们在写入前必须判断下FLASH_SR寄存器中的BSY位。 ' [& H( |2 }/ S7 o) a ST提供了对用的库函数
写入步骤 $ |8 ]- E* ~: a
对于写入接口,ST提供相应的库函数,提供了8位,16位,32位的操作,因为我们是3.3V电压,所以使用32位写入接口
2.4、中断 如果对于写入要求较高,可以使能中断,对于写入完成,写入错误都会有响应的中断响应。我也没有详细研究,参看Flash编程手册的15.5章节 " X+ Z( a% E0 w+ t0 Y03Flash保护6 l. I1 N0 a' Q4 J. f# {" l0 n y 3.1概述 Flash具有读写保护机制,主要是用过选项地址实现的。还有一次性编程保护 + i0 o( n x9 S% U) @! J1 [( [ 这讲述了选项字节的构成 : w' \0 M% @4 }$ u: r: m 用户修改选项字节 6 M+ P, t# T% O% V2 |
这个上面讲述的解锁Flash相同,就是要写入不能的数值 / f; Q* L4 R: v ST提供相应的库函数
修改用户字节的步骤 : D' X& u+ D/ I" ] ^
% f7 s9 q$ ]: W# Z6 n 3.2 读保护 从上面概述中得知,Flash读保护共分三个等级 1 等级0:没有保护) B; A2 O" I: \+ h0 m% B# f将0xAA 写入读保护选项字节(RDP) 时,读保护级别即设为0。此时,在所有自举配置(Flash用户自举、调试或从RAM 自举)中,均可执行与Flash 或备份SRAM 相关的所有读/写操作(如果未设置写保护)。 这是擦除选项字节后的默认读保护级别。将任意值(分别用于设置级别0 和级别2 的0xAA和0xCC 除外)写入RDP 选项字节时,即激活读保护级别1。设置读保护级别1 后: -在连接调试功能或从RAM 进行自举时,将不执行任何Flash 访问(读取、擦除和编程)。Flash 读请求将导致总线错误。而在使用Flash 用户自举功能或在系统存储器自举模式下操作时,则可执行所有操作 -激活级别1 后,如果将保护选项字节(RDP) 编程为级别0,则将对Flash 和备份SRAM执行批量擦除。因此,在取消读保护之前,用户代码区域会清零。批量擦除操作仅擦除用户代码区域。包括写保护在内的其它选项字节将保持与批量擦除操作前相同。OTP 区域不受批量擦除操作的影响,同样保持不变。 8 |( o2 Q ~% L( y; L" h3 T4 ?& W只有在已激活级别1 并请求级别0 时,才会执行批量擦除。当提高保护级别(0->1,1->2, 0->2) 时,不会执行批量擦除。. 3 等级2:禁止调试/芯片读保护注意: 在注意中写道,如果使能了等级2的读保护,永久禁止JTAG端口(相当于JTAG熔丝)ST也无法进行分析,说白了就是没办法再debug了,目前我没有使用到这个水平的读保护 读保护库函数
查询读保护状态库函数
3.3 写保护 Flash 中的用户扇区(0到11)具备写保护功能,可防止因程序计数器(PC) 跑飞而发生意外的写操作。当扇区i 中的非写保护位(nWRPi, 0 ≤ i ≤ 11) 为低电平时,无法对扇区i 执行擦除或编程操作。因此,如果某个扇区处于写保护状态,则无法执行批量擦除。如果尝试对Flash 中处于写保护状态的区域执行擦除/编程操作(由写保护位保护的扇区、锁定的OTP 区域或永远不能执行写操作的Flash 区域,例如ICP),则FLASH_SR 寄存器中的写保护错误标志位(WRPERR) 将置1。 9 ]) a* m* m# C2 R$ X6 @ 写保护库函数
查询写保护状态库函数 , `$ V* ?' H/ h% I' X, d1 w/ K
没有使用过,使用了芯片就废了吧,没有做过这个等级等保护,可以参看Flash编程手册的2.7章节 关于读写保护代码如何调用的问题,在stm32f2xx_flash.c文件中有调用说明. - I( n& W- a' S) B$ J |