01概述

这里的flash是指STM32F207内部集成的Flash

- k$ Y8 U( {0 x2 M: S

Flash存储器有以下特点

• 最大1M字节的能力
• 128位，也就是16字节宽度的数据读取
• 字节，半字，字和双字写入
• 扇区擦除和批量擦除
  ' z8 v6 o5 {' W4 q

+ h: @/ U! V+ c: }, D1 Y$ `

存储器的构成

( P5 {& A% q) Q$ r4 R* ~# U6 s

主要存储区块包含4个16K字节扇区，1个64K字节扇区和7个128K字节扇区。

系统存储器是用于在系统boot模式启动设备的。这一块是预留给ST的。包括bootloader程序，boot程序用于通过以下接口对Flash进行编程。USART1、USART3、CAN2、USB OTG FS设备模式（DFU：设备固件升级）。boot程序由ST制造期间编写，用于保护防止错误写入和擦除操作。

512OTP(一次性编程)字节用于用户数据。OTP区域包含16个附加的字节，用于锁定响应的OTP数据。

* ]. b* p* W! a) D# X; r8 M

选项字节，读写保护，BOR水平，软件/硬件看门狗和复位当设置处于待机和停机状态。

) x+ D8 r/ E  I; H, y# e

低功耗模式（参考参考手册的PWR部分）

2 b: @9 t2 w" h' x

对比参考手册的boot部分

8 C! \) y9 F, h, |

当BOOT0为0是运行主存储区

当BOOT0为1，BOOT1为0时运行系统存储区

( E- g! X* w" h7 K+ b

系统存储区运行的是ST出厂的bootloader代码，跳过过了用户的代码。如果在应用层代码锁定了JTAG管脚（将JTAG管脚用于普通GPIO），我们可以通过修改boot管脚状态，进入系统存储中，再进行debug。

02Flash操作
' g- F$ h' V' Q: T7 o$ t

2.1、读取

内置的Flash是处于CortexM3的数据总线上的，所以可以在通用地址空间之间寻址，任何32位数据的读操作都能访问Flash上的数据。

1. data32 = *(__IO uint32_t*)Address;

复制代码

0 u: L4 Y! \  Q. f5 o

将Address强制转化为32位整型指针，然后取该指针所指向的地址的值，就得到了Address地址上的32位数据。

! t/ G1 M+ o8 w3 {% b

2.2、擦除

Flash 擦除操作可针对扇区或整个Flash（批量擦除）执行。执行批量擦除时，不会影响OTP扇区或配置扇区。

扇区擦除步骤

• 1、检查FLASH_SR 寄存器中的BSY 位，以确认当前未执行任何Flash 操作
• 2、在FLASH_CR 寄存器中将SER 位置1 并选择要擦除的扇区(SNB)（主存储器块中的12个扇区之一）
• 3、将FLASH_CR 寄存器中的STRT 位置1
• 4、等待BSY 位清零
  

- X+ ?/ K  ~! K( z* C

批量擦除步骤

( ~' O  H1 V, ?* U9 a4 t

• 1、检查FLASH_SR 寄存器中的BSY 位，以确认当前未执行任何Flash 操作
• 2、将FLASH_CR 寄存器中的MER 位置1
• 3、将FLASH_CR 寄存器中的STRT 位置1
• 4、等待BSY 位清零
  + l: D9 e  f, W7 L, A( j2 `) `8 ^; ]

0 M4 t- o# n  @  M

ST提供相应的库函数接口

1. 
   
2. FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_tVoltageRange)
   
3. FLASH_Status FLASH_EraseAllSectors(uint8_tVoltageRange)

复制代码

注意到，有个特殊的参数VoltageRange，这是因为

) h) _$ Y: u! [- o/ o

这里就不再翻译了，就是在不同电压下数据访问的位数不同，我们是3.3V，所以是32位数据，这也就是在读数据是为什么要读取32位的原因。

% ?3 O% R9 X3 L' w0 p& w2 f

2.3、写入

写入之前必须擦除，这里和NorFlash操作是相同的

' u6 I  |; z& s- p) k9 x

复位后，Flash控制器寄存器（FLASH_CR）不允许写入的，去保护Flash闪存因为电气原因出现的以外操作，以下是解锁的步骤

, C. b' Q* P, @% `4 v' f8 r

• 1、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY1 = 0x45670123
• 2、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY2 = 0xCDEF89AB
    b2 I- v4 U/ {: }9 r$ h

将FLASH_CR 寄存器中的LOCK 位置为1 后，可通过软件再次锁定FLASH_CR 寄存器

ST提供了库函数

' G- S# u3 f7 r( f

1. 
   
2. FLASH_Unlock();//解锁
   ! C1 r* H% A4 U, E( Q. q" Y+ u
3. FLASH_Lock();//重新上锁

复制代码

6 v. m5 s/ i% i: v7 I

备注：

当FLASH_SR 寄存器中的BSY 位置为1 后，将不能在写模式下访问FLASH_CR 寄存器。BSY 位置为1 后，对该寄存器的任何写操作尝试都会导致AHB 总线阻塞，直到BSY位清零

这要求我们在写入前必须判断下FLASH_SR寄存器中的BSY位。

ST提供了对用的库函数

1. 
   : \( r4 o1 d2 ]7 s3 J5 d. X* a
2. FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR| FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);

复制代码

/ R7 k; \+ G) ]5 d3 K% _

写入步骤

• 1、检查FLASH_SR 中的BSY 位，以确认当前未执行任何主要Flash 操作
• 2、将FLASH_CR 寄存器中的PG 位置1。
• 3、通过不同的位宽对指定地址写入
• 4、等待BSY 位清零
  

对于写入接口，ST提供相应的库函数，提供了8位，16位，32位的操作，因为我们是3.3V电压，所以使用32位写入接口

1. FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)
   

复制代码

2.4、中断

如果对于写入要求较高，可以使能中断，对于写入完成，写入错误都会有响应的中断响应。我也没有详细研究，参看Flash编程手册的15.5章节

8 C( z6 \; D/ W03Flash保护
& K/ ?  N2 R" _% m6 i; [

3.1概述

Flash具有读写保护机制，主要是用过选项地址实现的。还有一次性编程保护

0 ^8 r2 f+ Y1 \# j2 Q! y7 S

这讲述了选项字节的构成

. s0 Y9 }9 h$ I3 S8 A1 P

用户修改选项字节

6 M' ]- {7 c4 F; G) I- o2 {

To run any operation on this sector, the option lock bit (OPTLOCK) inthe Flash option control register (FLASH_OPTCR) must be cleared. Tobe allowed to clear this bit, you have to perform the followingsequence:
" I( M4 Z& J+ n. \

1. Write OPTKEY1 = 0x0819 2A3B in the Flash option key register(FLASH_OPTKEYR)

2. Write OPTKEY2 = 0x4C5D 6E7F in the Flash option key register(FLASH_OPTKEYR)

The user option bytes can be protected against unwanted erase/programoperations by setting the OPTLOCK bit by software.

这个上面讲述的解锁Flash相同，就是要写入不能的数值

ST提供相应的库函数

) u& s$ [  g5 g, \$ Z8 c6 ?

1. 
   
2. void FLASH_OB_Unlock(void)
   ; d* q9 C5 X3 Q- v; s; U6 E
3. void FLASH_OB_Lock(void)

复制代码

修改用户字节的步骤

" \9 j* ^: K! {5 b

• 1、检查FLASH_SR 寄存器中的BSY 位，以确认当前未执行任何Flash 操作
• 2、在FLASH_OPTCR 寄存器中写入所需的选项值
• 3、将FLASH_OPTCR 寄存器中的选项启动位(OPTSTRT) 置1
• 4、等待BSY 位清零
  

) f% Z- e8 K  C" j- J

% A( v  m5 @( a: J* P8 o  T6 U

3.2 读保护

从上面概述中得知，Flash读保护共分三个等级

1 等级0：没有保护
3 @7 w, P6 \) N6 H% k- i

将0xAA 写入读保护选项字节(RDP) 时，读保护级别即设为0。此时，在所有自举配置（Flash用户自举、调试或从RAM 自举）中，均可执行与Flash 或备份SRAM 相关的所有读/写操作（如果未设置写保护）。

# C" M9 J0 K. @( |" Q! V8 ^! Z

2 等级1：闪存读保护

这是擦除选项字节后的默认读保护级别。将任意值（分别用于设置级别0 和级别2 的0xAA和0xCC 除外）写入RDP 选项字节时，即激活读保护级别1。设置读保护级别1 后：

-在连接调试功能或从RAM 进行自举时，将不执行任何Flash 访问（读取、擦除和编程）。Flash 读请求将导致总线错误。而在使用Flash 用户自举功能或在系统存储器自举模式下操作时，则可执行所有操作

$ J; Y$ c; J- a0 y$ J. f$ l; l% Q

-激活级别1 后，如果将保护选项字节(RDP) 编程为级别0，则将对Flash 和备份SRAM执行批量擦除。因此，在取消读保护之前，用户代码区域会清零。批量擦除操作仅擦除用户代码区域。包括写保护在内的其它选项字节将保持与批量擦除操作前相同。OTP 区域不受批量擦除操作的影响，同样保持不变。

) [1 u) B0 Z# H" }: C

只有在已激活级别1 并请求级别0 时，才会执行批量擦除。当提高保护级别(0->1,1->2, 0->2) 时，不会执行批量擦除。.

3 等级2：禁止调试/芯片读保护

注意：

2 ?+ _! U; Y+ Z) v

在注意中写道，如果使能了等级2的读保护，永久禁止JTAG端口（相当于JTAG熔丝）ST也无法进行分析，说白了就是没办法再debug了，目前我没有使用到这个水平的读保护

读保护库函数

1. void FLASH_OB_RDPConfig(uint8_t OB_RDP)

复制代码

. ~$ t( g/ ~  [4 K  e6 |

查询读保护状态库函数

1. FlagStatus FLASH_OB_GetRDP(void)

复制代码

* ~; I  O6 G  \* C2 V

3.3 写保护

Flash 中的用户扇区（0到11）具备写保护功能，可防止因程序计数器(PC) 跑飞而发生意外的写操作。当扇区i 中的非写保护位(nWRPi, 0 ≤ i ≤ 11) 为低电平时，无法对扇区i 执行擦除或编程操作。因此，如果某个扇区处于写保护状态，则无法执行批量擦除。

; B0 T5 n4 h, ?* V0 f+ l
如果尝试对Flash 中处于写保护状态的区域执行擦除/编程操作（由写保护位保护的扇区、锁定的OTP 区域或永远不能执行写操作的Flash 区域，例如ICP），则FLASH_SR 寄存器中的写保护错误标志位(WRPERR) 将置1。
( @5 H% }$ h4 k# r/ c1 r" u

1 E4 W- g7 g* a) ~! v& [

写保护库函数

1. 
   . x1 x7 N& L6 ^9 M! g7 {0 X
2. void FLASH_OB_WRPConfig(uint32_t OB_WRP, FunctionalState NewState)

复制代码

. i7 e( T' R3 v' V

查询写保护状态库函数

5 w+ L" N6 a+ K$ C* \

1. uint16_t FLASH_OB_GetWRP(void)

复制代码

04一次性可编程字节

没有使用过，使用了芯片就废了吧，没有做过这个等级等保护，可以参看Flash编程手册的2.7章节

, N/ a, n+ O9 `0 s$ \& ~) Q/ r/ F7 z

05 代码
  s2 i; v, \! G6 t7 d

关于读写保护代码如何调用的问题，在stm32f2xx_flash.c文件中有调用说明.

9 l: c$ H3 a4 T* O% o/ E5 k
6 O) v7 @# T& o5 q' `/ J