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单片机中的高阻态

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gaosmile 发布时间:2020-9-29 22:33
在我们刚一开始接触到51单片机的时候对P0口必须加上上拉电阻,否则P0就是高阻态。
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- B9 V. x1 P3 C2 D4 {对这个问题可能感到疑惑,为什么是高阻态?加上拉电阻?今天针对这一概念进行简单讲解。. ]5 I8 _" }/ i
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高阻态
高阻态这是一个数字电路里常见的术语,指的是电路的一种输出状态,既不是高电平也不是低电平。
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如果高阻态再输入下一级电路的话,对下级电路无任何影响,和没接一样,如果用万用表测的话有可能是高电平也有可能是低电平,随它后面接的东西定。
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7 V( K# G" P( |( n6 {  S6 x高阻态的实质
电路分析时高阻态可做开路理解,你可以把它看作输出(输入)电阻非常大。它的极限可以认为悬空,也就是说理论上高阻态不是悬空,它是对地或对电源电阻极大的状态。而实际应用上与引脚的悬空几乎是一样的。  G# O! j; C! [3 d1 ]4 i3 @
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高阻态的意义
当门电路的输出上拉管导通而下拉管截止时,输出为高电平,反之就是低电平。如果当上拉管和下拉管都截止时,输出端就相当于浮空(没有电流流动),其电平随外部电平高低而定,即该门电路放弃对输出端电路的控制 。

% E) `5 R9 K# S0 N. q5 \4 z9 Q典型应用
在总线连接的结构上。总线上挂有多个设备,设备于总线以高阻的形式连接。这样在设备不占用总线时自动释放总线,以方便其他设备获得总线的使用权。2 m+ E. ~, ^6 K- ^) k
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大部分单片机I/O使用时都可以设置为高阻输入。高阻输入可以认为输入电阻是无穷大的,认为I/O对前级影响极小,而且不产生电流(不衰减),而且在一定程度上也增加了芯片的抗电压冲击能力。. p* z3 A7 `' k$ `9 V- E
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高阻态常用表示方法:高阻态常用字母 Z 表示。
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' c% i' R- M& o0 n$ A: K在一个系统中或在一个整体中,我们往往定义了一些参考点,就像我们常常说的海平面,在单片中也是如此,我们无论说是高电平还是低电平都是相对来说的。明确了这一点对这一问题可能容易理解。: U$ p5 l8 i. i

  ]9 A9 F: u. q+ V# ]& ]) B单片机中的高阻态
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在51单片机,没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的,51具体结构如下图。. ?1 c( q0 E/ |! _5 s; K& q$ p

: {7 l1 `' b) Q5 q* p" `+ J2 z- F组成推挽结构,从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流,提高带载能力,两个管子根据通断状态有四种不同的组合,上下管导通相当于把电源短路了,这种情况下在实际电路中绝对不能出现。
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* P. u# N$ t) M8 I' W$ y: F/ H" M; j从逻辑电路上来讲,上管开-下管关开时IO与VCC直接相连,IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻,输出0就是开漏状态(低阻态),因为I/O引脚是通过一个管子接地的,并不是使用导线直接连接,而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。! Y) o  M# D; z1 }
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到这里就很清楚了,无论是低阻态还是高阻态都是相对来说的,把下管子置于截止状态就可以把GND和I/O口隔离达到开路的状态,这时候推挽一对管子是截止状态,忽略读取逻辑的话I/O口引脚相当于与单片机内部电路开路,考虑到实际MOS截止时会有少许漏电流,就称作“高阻态”。: z7 I2 E' d5 X3 A  J% x* ^

. [* D1 w7 g7 k5 M$ \! m- [5 v! n# q由于管子PN节带来的结电容的影响,有的资料也会称作“浮空”,通过I/O口给电容充电需要一定的时间,那么IO引脚处的对地的真实电压和水面浮标随波飘动类似了,电压的大小不仅与外界输入有关还和时间有关,在高频情况下这种现象是不能忽略的。
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总之一句话高阻态是一个相对概念。在使用的时候我们只要按照要求去做,让我们加上拉我们就加上,都是有一定道理的。
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