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STM32的FLASH和SRAM的使用情况分析 01 前言 k) X. G4 I( G: Y' x STM32片上自带FLASH和SRAM,简单讲FLASH用来存储程序的,SRAM是用来存储运行程序中的中间变量。本文详细分析下如何查看程序中FLASH和SRAM的使用情况。 本文开发工具: keil5) p2 B+ n }: ] 芯片: STM32F105VCT6" ?7 u& G* o" Y) O' N' w 02 FLASH和SRAM介绍 2 G& S5 k1 _& B6 G- Z5 Y/ y$ B" H( ?9 y) E, a FLASH存储器又成为闪存,它与EEPROM都是掉电后数据不丢失的存储器,但是FLASH的存储容量都普遍的大于EEPROM,在存储控制上,最主要的区别是FLASH芯片只能一大片一大片地擦除,而EEPROM可以单个字节擦除。 & U6 V) Q2 D7 f SRAM是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。STM32F1系列可以通过FSMC外设来拓展SRAM。9 q- Z" e2 W" h t + C( C; z% [' ?0 J* u$ X 注意:SRAM和SDRAM是不相同的,SDRAM是同步动态随机存储器,同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。STM32的F1系列是不支持SDRAM的。 8 x. J, X4 p5 g7 s. g- k: n 5 H4 B G. W0 l- q7 Z stm32不同型号的SRAM和FLASH大小是不相同的,可在datasheet中查看如下图:
% w. P( ]3 e, J2 }1 P+ G$ f0 d ' ]& z. f) b; @ % B3 P2 {8 q$ q$ r' P+ Y 03 编译结果分析 , l4 d2 o5 D! C# T* F: ?4 k1 J% c' t% b/ M ~; R5 ] 在keil中编译结果如下图:. K& ~! o% _$ d* e; I
Code:代码空间,本质是ARM指令( FLASH)。 RO-data:即 Read Only-data, 表示程序定义的常量,如 const 类型( FLASH)。 RW-data:即 Read Write-data, 非0初始化的全局和静态变量占用的RAM大小,同时还要占用等量的ROM大小用于存放这些非0变量的初值(FLASH+RAM)。% N9 C5 E, L& a" O0 L* a) u ZI-data:即 Zero Init-data, 0初始化的内存区的大小(该区域3个用途:0初始化的全局和静态变量+堆区+栈区)(RAM)。. O4 e( V5 Z( B3 K0 R 由上可知: 程序占用FLASH=Code + RO-data + RW-data 即map文件中ROM size 程序占用RAM = RW-data + ZI-data 即map文件中RW size 常见的俩个疑问: 1、RW-data为什么会即占用Flash又占用RAM空间?9 @, \- A- D% t6 m' q3 x0 D: _5 d9 _ 由前文知道RAM掉电数据会丢失,RW-data是非0初始化的数据,已初始化的数据需要被存储在掉电不会丢失的FLASH中,上电后会从FLASH搬移到RAM中。 4 C2 D6 Y( |7 d 7 I7 d4 j. X. e; a5 W8 ]7 D 2、为什么烧录的镜像文件不包含ZI-data呢?6 S7 |( g8 k' \# c+ n7 ` 我们都知道在烧写程序的时候,需要烧写bin文件或者hex文件到STM32的flash中,被烧写的文件称为镜像像文件image。image的内容包含这三个Code 、 RO-data 和 RW-data。 通过第一个问题大家应该有所理解,因为ZI数据是0,没必要包含,只要在程序运行前把ZI数据区域一律清零即可,包含进去反而浪费Flash存储空间。 |
不知道为什么F105或107不出大flash的型号,我们现在程序空间已经快用完了,但因为还在不断新增功能,硬件PCB又不能再修改(换F2或F4引脚都不兼容,程序也不兼容,无法兼容之前已经出货的设备),所以在寻找更大容量的,一直都无果。。连个兼容的型号都没有![]() ![]() |
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