前言
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4 M1 e% T; z  w) S( C4 {( {- P
6 F) I* K1 j  Y4 F' E$ cSTM32片上自带FLASH和SRAM，简单讲FLASH用来存储程序的，SRAM是用来存储运行程序中的中间变量。本文详细分析下如何查看程序中FLASH和SRAM的使用情况。
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- [& J/ H8 a" N& Q本文开发工具: keil5
芯片: STM32F105VCT6


FLASH和SRAM介绍
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/ k) K6 I* B# G8 s( a) JFLASH存储器又成为闪存，它与EEPROM都是掉电后数据不丢失的存储器，但是FLASH的存储容量都普遍的大于EEPROM，在存储控制上，最主要的区别是FLASH芯片只能一大片一大片地擦除，而EEPROM可以单个字节擦除。

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SRAM是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。STM32F1系列可以通过FSMC外设来拓展SRAM。
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注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。STM32的F1系列是不支持SDRAM的。

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$ M8 |* t  f6 k1 ]stm32不同型号的SRAM和FLASH大小是不相同的，可在datasheet中查看如下图：

3 s4 `2 u% x2 a编译结果分析
/ J4 g8 [( Z# K- w- F

) q; H# ?0 P) ]; T在keil中编译结果如下图：

  c0 L3 J* b5 T# d* b6 e打开生成的map文件拉到最后可看到如下：

编译结果里面几个的含义
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- g- H4 f; y# pCode：代码空间，本质是ARM指令（ FLASH）。
9 X* Z1 U5 V1 q* L* ]RO-data：即 Read Only-data， 表示程序定义的常量，如 const 类型（ FLASH）。
& `/ G3 P( Y2 F7 [) }0 \RW-data：即 Read Write-data， 非0初始化的全局和静态变量占用的RAM大小，同时还要占用等量的ROM大小用于存放这些非0变量的初值（FLASH+RAM）。
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# f1 O4 c# j9 u  ^6 C2 D
+ _- }) y" o( y, C" YZI-data：即 Zero Init-data， 0初始化的内存区的大小（该区域3个用途：0初始化的全局和静态变量+堆区+栈区）(RAM)。
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由上可知：
程序占用FLASH=Code + RO-data + RW-data 即map文件中ROM size         
7 i5 e* C5 W6 w程序占用RAM  = RW-data + ZI-data     即map文件中RW size
# H; t" v% A% U

常见的俩个疑问：

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1、RW-data为什么会即占用Flash又占用RAM空间？
由前文知道RAM掉电数据会丢失，RW-data是非0初始化的数据，已初始化的数据需要被存储在掉电不会丢失的FLASH中，上电后会从FLASH搬移到RAM中。
2、为什么烧录的镜像文件不包含ZI-data呢？


1 X, c! _! I+ W6 v+ v# n1 _+ P我们都知道在烧写程序的时候，需要烧写bin文件或者hex文件到STM32的flash中，被烧写的文件称为镜像像文件image。image的内容包含这三个Code 、 RO-data 和 RW-data。
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/ ?) h4 Q, x, I
8 l, j! A" Z* O+ E7 {) q7 [4 L通过第一个问题大家应该有所理解，因为ZI数据是0，没必要包含，只要在程序运行前把ZI数据区域一律清零即可，包含进去反而浪费Flash存储空间。
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