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【分享】STM32的FLASH和SRAM的使用情况分析

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STMCU-管管 发布时间:2021-5-18 15:47
前言
1 k$ c: A7 m2 ]1 G$ R6 G  C
8 n: m8 s" A' e0 C- E

  m2 q+ c8 ^$ q% a6 y3 t* BSTM32片上自带FLASH和SRAM,简单讲FLASH用来存储程序的,SRAM是用来存储运行程序中的中间变量。本文详细分析下如何查看程序中FLASH和SRAM的使用情况。
6 U7 a. o! Q& g! ]  X: F" H/ T
, O& j# Y" E3 l

! |4 q0 A6 c7 @5 f3 C* Z, r; g本文开发工具: keil5
. R0 z- ]+ _) ?& I芯片: STM32F105VCT6
6 L% n) Q* h, x- s
# j" m) C; H& _

& N$ `$ w% x9 F  n( yFLASH和SRAM介绍
1 J0 `% \) `  q* @$ T9 i7 ]
7 J, m9 G/ j- {) S
" r. E! {/ |' e7 _. Z( \
FLASH存储器又成为闪存,它与EEPROM都是掉电后数据不丢失的存储器,但是FLASH的存储容量都普遍的大于EEPROM,在存储控制上,最主要的区别是FLASH芯片只能一大片一大片地擦除,而EEPROM可以单个字节擦除。
% Y8 I' w4 l; U3 d, \" Z8 C) W: X0 i* v* X4 r, p

1 Z( Q8 R9 y9 h' m3 L4 N7 _2 Y! A) aSRAM是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。STM32F1系列可以通过FSMC外设来拓展SRAM。( `( r1 `: r. a# e
  I' B2 N( i1 m$ N0 _3 W1 R; e
4 `7 D0 J- m3 l0 m! \3 E
注意:SRAM和SDRAM是不相同的,SDRAM是同步动态随机存储器,同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。STM32的F1系列是不支持SDRAM的。: n, F8 a# X2 u- Q- A; ?# z4 T
) y8 S" w% Q: d. G$ @

! X  l4 R% D+ L6 Z2 ?2 U; Z  Istm32不同型号的SRAM和FLASH大小是不相同的,可在datasheet中查看如下图:! W- D  q' f; |# K# B4 Y7 n

# \  E6 k3 ~( g0 ]2 h2 S; E# G

3 _9 P* e7 \# ~. i( Q) O3 q0 P% t
1.png

  }2 \! h2 n( [编译结果分析* k/ B, l% v/ B. }/ G' w

2 b  w! D) P* ^+ a3 K2 n
  R7 V0 X5 @9 G1 P# n
在keil中编译结果如下图:
3 X5 J) Z3 R. M9 n$ p2 Y9 o
2.png

7 ]5 F/ Z$ I1 S- s  {打开生成的map文件拉到最后可看到如下:
! |& p: R0 G) J. ]* ^/ I1 \
3.png
* w# b! E4 E6 j) }, |& y
编译结果里面几个的含义
4 I6 A8 Z0 j0 B$ ~6 F7 ~9 M- `
$ i' x$ U! e0 w6 N

( w5 ^2 y( s2 W  |# H) g; E" LCode:代码空间,本质是ARM指令( FLASH)。
: Z* J* w6 u4 u* p* Q  T  _RO-data:即 Read Only-data, 表示程序定义的常量,如 const 类型( FLASH)。
! j3 V8 F$ I! [) l- J& J2 WRW-data:即 Read Write-data, 非0初始化的全局和静态变量占用的RAM大小,同时还要占用等量的ROM大小用于存放这些非0变量的初值(FLASH+RAM)。
, n* E6 B' j! {% ]
1 N1 G# q. W0 F% A: Q8 g3 G) m

# c+ H/ v9 A1 h8 n1 K  d& xZI-data:即 Zero Init-data, 0初始化的内存区的大小(该区域3个用途:0初始化的全局和静态变量+堆区+栈区)(RAM)。
5 J6 L9 [2 d9 N% g" P1 y. f
+ h* `/ A6 X- n
( W# D* C6 Y9 S# z- [8 ]
由上可知:
9 Y4 p0 F, k2 Z: Z程序占用FLASH=Code + RO-data + RW-data 即map文件中ROM size          $ y, K- S+ z9 H1 C
程序占用RAM  = RW-data + ZI-data     即map文件中RW size& u% K  c$ W/ d" f3 @7 d  g" K9 R0 \2 O

4 M- r% y. M2 ?% i; U

6 h3 F' C* N+ M  M! Y# g' J常见的俩个疑问:
$ z6 N; _6 ^9 h  w- X" @7 n+ y/ l% v, m

3 Z; f$ c1 b+ h& A/ X1、RW-data为什么会即占用Flash又占用RAM空间?
: _2 g: m6 t5 n9 N, V  e7 N% b由前文知道RAM掉电数据会丢失,RW-data是非0初始化的数据,已初始化的数据需要被存储在掉电不会丢失的FLASH中,上电后会从FLASH搬移到RAM中。8 i2 o! d& G4 Q% A  c: Y
2、为什么烧录的镜像文件不包含ZI-data呢?
9 l& q- j1 Y: C6 L/ C7 n, q, M2 w$ |- A$ v) E" M. c4 h% H' Z. h4 b

4 ?* E: F6 p/ z; c, L+ t我们都知道在烧写程序的时候,需要烧写bin文件或者hex文件到STM32的flash中,被烧写的文件称为镜像像文件image。image的内容包含这三个Code 、 RO-data 和 RW-data。6 @6 Y+ V5 E) ]# ?1 \' {& ~

) U: t. g! F  W/ D# y- u8 ~  A
2 z! c- R1 G. B. N$ l& S; r
通过第一个问题大家应该有所理解,因为ZI数据是0,没必要包含,只要在程序运行前把ZI数据区域一律清零即可,包含进去反而浪费Flash存储空间。
0 H& D5 J+ e! f1 |, k
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