前段时间写了《STM32驱动LCD原理》和《STM32的FSMC外设简介》两篇文章，本文将对STM32驱动LCD进行实战应用。LCD是深圳市拓普微科技开发有限公司的LMT028DN，分辨率是320*240，大小2.8寸，颜色65K的彩色屏，采用的是ST7789s液晶控制IC。颜色模式是565。
* r/ j* T: t, }6 Y

01
驱动时序

: n0 v  L2 G: g# r$ u
- v) o9 B! j/ ^' v+ h( A我们通常说的MCU-LCD接口，就是8080接口，8080接口的详细介绍请看《STM32驱动LCD原理》。
! N; V3 }# b" l7 T2 D: W4 N. B下面是LMT028DN给出的8080模式总线时序
0 v& ^8 K8 Y" }( s$ t0 V
2 ]. ?& }! H: H

下面是总线时序中的参数



时序参数
. Z) _( z! e$ o$ z% VTast->地址设置时间
: L! \& U' n8 a2 L0 w* [Taht->地址保持时间(写)
Tchw->芯片选择高脉冲宽度
Tcs->芯片选择设置时间(写)
Tcsf->芯片选择等待时间(写)
$ D; a, i4 B& CTwc->写入周期
Twrh->控制脉冲高电平时间
, B' J$ d/ f: uTwrl->控制脉冲低电平时间
* i% q: _$ {$ E% ~5 ^" _6 JTdst->数据设置时间
Tdht->数据保持时间

- B' c$ `9 B' v7 J0 T# v# A
& m* d3 ~( Z# z: J" K2 x8 O  ?/ S根据FSMC的配置和时序图，我们需要的3个时序参数是
3个重要参数
1.地址建立时间：5ns
2.地址保持时间：13ns
% m# {) b" i3 K  _* o7 \3.数据建立时间：13ns
0 J9 v+ t  J: W& s以上数据均是满足时序图的最小时间，实际应用中，不能设置成最小值，也不能大于最大值（如果有的话），以实际应用为主，如果设置时间太快，反而不稳定。

9 Q# j5 F6 J/ s) m/ f# R# X
+ P+ e9 Y) @* f# i1 D因为我们把LCD使用8080接口驱动SRAM的方式，所以可以选择FSMC的模式1和模式A，但是/RD的切换，也就是FSMC的NOE的切换，所以只能选择模式A，观察时序图，读写时序一致，所以可以选择读写一致的配置。

& F0 g8 T. R: o. o, E( V6 I1 ?2 ~
02
FSMC外设配置
FSMC外设配置代码，具体FSMC外设解析请看《STM32的FSMC外设简介》

1. <font face="微软雅黑" size="3">readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x02;   //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 2*1/120M=16ns
   , o9 t  U6 }$ v4 Y: {
2. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x02;   //地址保持时间（ADDHLD）,16ns  
   
3. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x06;     //数据建立时间，50ns
   
4. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;//总线恢复时间
   
5. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;// 时钟分频因子
   / O- e. v4 B% w: ^1 t8 K
6. readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;//数据产生时间
   6 {5 ~9 V; [) x# H" r
7. readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;   //模式A
   
8. 
   ; X: L4 C2 O! @- p/ L" n" G
9. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;//  这里我们使用NE1 ，也就对应BTCR[6],[7]。
   
10. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;// 不复用数据地址
    + P/ B7 G. ]  M
11. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;
    7 S/ p. N- i% h7 S0 O
12. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_8b;//存储器数据宽度为8bit   
    
13. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
    
14. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;  
    , b3 F% M% G% R( F# X7 U! [
15. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    . q/ `! Y8 h5 [! L9 a8 `
16. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
    " y  u4 b4 c8 j+ l
17. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
    $ v/ z4 A$ ?9 {4 m0 K  M9 e
18. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;//  存储器写使能
    
19. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
    2 b2 B* _2 ?( v' S, B
20. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;// 读写使用相同的时序
    # ?8 e/ `) T$ ^( M2 l" Y, ^5 ]) k8 E
21. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
    ( `! o/ Y" n  l+ z- T) Y2 T! R
22. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;//读写时序
    & c. z/ X: K0 `$ |: G- N
23. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;//写时序</font>

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读写接口代码：
+ z/ K& B9 t7 W结构体定义,这里利用了结构体地址递增特性
6 z3 o5 T: x1 b3 Y) |

1. <font face="微软雅黑" size="3">typedef struct
   " _6 a  ~) s2 \* s, v0 j; n
2. {
   
3.   uint8_t LCD_CMD;//用于LCD命令操作
   
4.   uint8_t LCD_DATA;//用于LCD数据操作
   
5. } LCD_TypeDef;
   ( A2 y$ N0 t4 j/ @" `7 S5 I9 F
6. #define LCD_BASE        ((uint32_t)(0x60000000 | 0x0000FFFF))
   
7. #define LCD             ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)</font>

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读写接口
* j6 F- e: E. k! o; J& J, E- j

1. <font face="微软雅黑" size="3">void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd )
   
2. {
   2 V. a' U4 ~* l* A! P) ]1 }9 ~4 i
3.   LCD->LCD_CMD=usCmd;  
   - F2 }4 t3 l. k( T, o) `% }% t: n
4. }
   # P% H# V- E! y4 {
5. void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )
   
6. {
   ) w+ I$ _1 k. Y0 t! j9 i" M. P
7.   LCD->LCD_DATA = usData;
   1 B( m1 r4 j* f
8. }</font>

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也可以简单明了的如下写法

1. <font face="微软雅黑" size="3">#define      FSMC_Addr_LMT028_CMD         ( ( uint32_t ) 0x60000000 )      
   
2. #define      FSMC_Addr_LMT028_DATA        ( ( uint32_t ) 0x60010000 )
   2 W) P7 i. c7 t* ]0 p
3. 
   
4. void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd )
   ! x, p2 s# F) K0 u
5. {
   8 q3 U# o$ D6 t; N' |, l" P8 c
6. *( (uint32_t  * )FSMC_Addr_LMT028_CMD)=usCmd;  
   : I2 @# T: v. x* {$ i+ ?
7. }
   + @2 r- k% q) L* H. ~0 T
8. void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )
   8 {# X* R- y3 N! B. W
9. {
   * d2 u$ C! j. l, I, @0 m
10.   *( (uint32_t  * )FSMC_Addr_LMT028_DATA) = usData;
    
11. }</font>

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背光驱动
; s( U% W3 s, x  {0 T! [0 HLED背光驱动，根据高电平的占空比决定的，共有32个亮度等级，使用PWM驱动最为合适，通过调节占空比，调节亮度。
" s+ I! p/ O- x
6 h  O* Y: j3 \

04
复位驱动
复位脚大于10ms的低电平，然后最大170ms的高电平
$ w, A* e8 W& I
% c8 i/ q# r: U* I) S5 k: N

5 `9 V) _/ R5 L2 q: h4 W/ A3 N( r05
寄存器配置
0 z2 }* T) O* O" Q. J( g6 M$ c. E) g寄存器配置还是要先参考厂家给的示例demo，根据LMT028手册进行修改，LMT028手册只有重要的寄存器说明，详细的寄存器说明需要参考ST7789手册。
$ z7 f% [7 }5 t( Q( c5 W' [7 y
3 j: F- Z9 ~4 _) }