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【经验分享】STM32H7的内部Flash基础知识和HAL库API

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STMCU小助手 发布时间：2021-11-2 23:53
70.1 初学者重要提示
  本章2.5小节里面的Flash三级读保护是重点，务必要掌握明白。
  STM32H743XI有两个独立的BANK，一个BANK的编程和擦除操作对另一个BANK没有任何影响。但是如果用户应用程序和要擦写的Flash扇区在同一个BANK，在执行擦写操作时，用户应用程序将停止运行，包括中断服务程序。
  STM32H7的两个Flash BANK是256bit带宽，CPU访问是采用的两个64bit AXI总线。
  HAL库的内部Flash编程函数HAL_FLASH_Program固定编写32字节数据。
70.2 内部Flash基础知识
70.2.1 内部Flash的硬件框图
认识一个外设，最好的方式就是看它的框图，方便我们快速的了解内部Flash的基本功能，然后再看手册了解细节。

aHR0cHM6Ly9pbWcyMDIwLmNuYmxvZ3MuY29tL2Jsb2cvMTM3OTEwNy8yMDIwMDMvMTM3OTEwNy0yMDIw.png


通过这个框图，我们可以得到如下信息：

  sys_ck时钟输入
D1域总线时钟。

  po_rst输入
Power on reset 上电复位。

  d1_rst输入
D1域系统复位。

  flash_it输出
flash中断请求输出。

aHR0cHM6Ly9pbWcyMDIwLmNuYmxvZ3MuY29tL2Jsb2cvMTM3OTEwNy8yMDIwMDMvMTM3OTEwNy0yMDIw.png


STM32H7的两个Flash BANK是独立的，读写和擦除互补影响，256bit带宽，CPU访问是采用的两个64bit AXI总线。

70.2.2 内部Flash框架
关于内部Flash的框架，了解以下几个知识点即可：

  256bit为单位，即32字节，并且每个单位配10bit的ECC校验位。正是这个原因要求大家对Flash进行编程时，必须以32字节为单位。
  两个独立的BANK，每个BANK有1MB容量。并且每个BANK的扇区大小固定为128KB，即8个扇区。



BANK1的地址范围：0x0800 0000到0x080F FFFF。

BANK2的地址范围：0x0810 0000到0x081F FFFF。

70.2.3 内部Flash读操作
STM32H7的内部Flash读操作跟内部RAM的读操作是一样的，支持64bit，32bit，16bt和8bit，使用比较简单。这里我们重点普及一个知识点，H7的内部Flash在不同主频下需要做的延迟参数：

aHR0cHM6Ly9pbWcyMDIwLmNuYmxvZ3MuY29tL2Jsb2cvMTM3OTEwNy8yMDIwMDMvMTM3OTEwNy0yMDIw.png


对于上面的表格，大家可以看到，当延迟等待设置为0的时候，即无等待，单周期访问，速度可以做到70MHz。增加1个Flash周期后，访问速度可以做到140MHz。当增加到3个或4个Flash周期后，最高速度可以做到225MHz。

了解了这个知识点后，再来看下面的时序，非常具有参考意义：

注：ACLK、ARADDR、ARVALID、RDATA、RVALID 和RLAST是AXI总线信号。Flash读和Flash数据是 Flash 接口信号。

aHR0cHM6Ly9pbWcyMDIwLmNuYmxvZ3MuY29tL2Jsb2cvMTM3OTEwNy8yMDIwMDMvMTM3OTEwNy0yMDIw.png


关于这个时序要要认识到以下几点：

  AXI总线发起读取信号后，Flash端等待了3个时钟周期（注意延迟三个周期，支持的Flash速度），之后连续读取了4个64bit数据。
  由于AXI总线是64bit的，所以1次读取就可以读出64bit数据，连续读取4次后，就是256bit，即Flash接口的一组数据，因为H7的Flash接口带宽是256bit的。
  如果不开Flash Cache的情况下，连续读可以提升性能。
下面是连续读取8个64bit数据的时序图，跟连续读取4个64bit数据基本是一样的，只是多读取了4组数据。

aHR0cHM6Ly9pbWcyMDIwLmNuYmxvZ3MuY29tL2Jsb2cvMTM3OTEwNy8yMDIwMDMvMTM3OTEwNy0yMDIw.png


70.2.4 内部Flash写入和擦除操作
最重要的知识点放在开头说：STM32H7内部Flash的写操作地址必须是32字节对齐（此地址对32求余数为0），写入的数据量也必须是32字节整数倍，不足32字节整数倍，补0也要是整数倍。

这里我们重点了解Flash的写入和擦除流程。Flash的写入扇区流程如下：

先保证这块扇区空间之前已经擦除过了。
解锁Flash，通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。
检查是否写保护，使能Flash可以编程，然后对其进行编程操作，编程完毕后，等待编程完成，然后禁止Flash编程位。具体操作可以通过HAL库的函数HAL_FLASH_Program实现。


Flash的擦除流程如下：

解锁Flash，通过HAL库的函数HAL_FLASH_Unlock实现。
如果是BANK1或者BANK2需要擦除，调用函数FLASH_MassErase，然后等待擦除完成，完成之后关闭BANK1和BANK2的擦除请求位BER1/BER2
如果是扇区擦除，调用函数FLASH_Erase_Sector，然后等待擦除完成，完成之后关闭扇区的擦除请求位SER。
70.2.5 内部Flash读保护
内部Flash支持三级读保护RDP（read out protection）。

  Level 0（无保护）
默认设置，所有读写和擦除操作都可以正常支持。

  Level 1 （Flash连接保护）
  可以防止连接调试器时读取Flash内容，或者RAM中存有恶意获取代码，也是禁止的。因此只要调试器连接芯片，或者从内部RAM启动运行代码，都是禁止访问内部Flash的。
  如果没有检测到从内部RAM启动和系统bootloader启动且没有连接调试器，对用户Flash的读写和擦除操作都是允许的，并且其它安全存储区也是可以访问的。否则是禁止访问的，一旦检测到对Flash的读请求，将产生总线错误。
  如果将Level 1切换到Level 0时，用户Flash区和安全区域将被擦除。
  Level 2（设备保护和自举保护）
  所有调试特性被关闭。
  禁止从RAM启动。
  除了选项字节里面的SWAP位可以配置，其它位都无法更改。
  禁止了调试功能，且禁止了从RAM和系统bootloader启动，用户Flash区是可以执行读写和擦除操作的，访问其它安全存储区也是可以的。
特别注意：Level2修改是永久性的，一旦配置为Level2将不再支持被修改。

如果大家要设置读保护的话，使用HAL的API可以设置，也可以使用STM32CubeProg设置：

aHR0cHM6Ly9pbWcyMDIwLmNuYmxvZ3MuY29tL2Jsb2cvMTM3OTEwNy8yMDIwMDMvMTM3OTEwNy0yMDIw.png


70.2.6 内部Flash选项字节
Flash选项字节主要用于boot地址设置，安全保护，Flash扇区保护等，涉及到的选项比较多。如果大家打算了解这一部分的话，使用STM32CubeProg进行设置即可，也比较方便。

aHR0cHM6Ly9pbWcyMDIwLmNuYmxvZ3MuY29tL2Jsb2cvMTM3OTEwNy8yMDIwMDMvMTM3OTEwNy0yMDIw.png


70.2.7 内部Flash的ECC校验
这里先说下为什么内部Flash要带ECC校验，因为随着芯片的制造工艺水平越高，带电粒子产生的位翻转就越多，此时的ECC是必须要有的，一般可以纠正1-2个bit，安全等级高的Flash类存储器和RAM类都是必须要带ECC的。

对于STM32H7带的ECC校验，一般不需要用户去管理。

70.3 内部Flash的HAL库用法
70.3.1 内部Flash结构体FLASH_TypeDef
内部Flash相关的寄存器是通过HAL库中的结构体FLASH_TypeDef定义的，在stm32h743xx.h中可以找到这个类型定义：

  1. typedef struct
  2. {
  3.   __IO uint32_t ACR;            
  4.   __IO uint32_t KEYR1;           
  5.   __IO uint32_t OPTKEYR;         
  6.   __IO uint32_t CR1;            
  7.   __IO uint32_t SR1;            
  8.   __IO uint32_t CCR1;         
  9.   __IO uint32_t OPTCR;           
  10.   __IO uint32_t OPTSR_CUR;      
  11.   __IO uint32_t OPTSR_PRG;      
  12.   __IO uint32_t OPTCCR;         
  13.   __IO uint32_t PRAR_CUR1;      
  14.   __IO uint32_t PRAR_PRG1;      
  15.   __IO uint32_t SCAR_CUR1;      
  16.   __IO uint32_t SCAR_PRG1;      
  17.   __IO uint32_t WPSN_CUR1;      
  18.   __IO uint32_t WPSN_PRG1;      
  19.   __IO uint32_t BOOT_CUR;      
  20.   __IO uint32_t BOOT_PRG;      
  21.   uint32_t      RESERVED0[2];   
  22.   __IO uint32_t CRCCR1;         
  23.   __IO uint32_t CRCSADD1;      
  24.   __IO uint32_t CRCEADD1;        
  25.   __IO uint32_t CRCDATA;         
  26.   __IO uint32_t ECC_FA1;         
  27.   uint32_t      RESERVED1[40];  
  28.   __IO uint32_t KEYR2;           
  29.   uint32_t      RESERVED2;      
  30.   __IO uint32_t CR2;            
  31.   __IO uint32_t SR2;            
  32.   __IO uint32_t CCR2;            
  33.   uint32_t      RESERVED3[4];   
  34.   __IO uint32_t PRAR_CUR2;      
  35.   __IO uint32_t PRAR_PRG2;      
  36.   __IO uint32_t SCAR_CUR2;      
  37.   __IO uint32_t SCAR_PRG2;      
  38.   __IO uint32_t WPSN_CUR2;      
  39.   __IO uint32_t WPSN_PRG2;      
  40.   uint32_t      RESERVED4[4];   
  41.   __IO uint32_t CRCCR2;         
  42.   __IO uint32_t CRCSADD2;        
  43.   __IO uint32_t CRCEADD2;        
  44.   __IO uint32_t CRCDATA2;        
  45.   __IO uint32_t ECC_FA2;         
  46. } FLASH_TypeDef;
复制代码

这个结构体的成员名称和排列次序和CPU的寄存器是一 一对应的。

__IO表示volatile, 这是标准C语言中的一个修饰字，表示这个变量是非易失性的，编译器不要将其优化掉。core_m7.h 文件定义了这个宏：

  1. #define     __O     volatile             /*!< Defines 'write only' permissions */
  2. #define     __IO    volatile             /*!< Defines 'read / write' permissions */
复制代码

下面我们看下Flash的定义，在stm32h743xx.h文件。

  1. #define PERIPH_BASE              (0x40000000UL)
  2. #define D1_AHB1PERIPH_BASE       (PERIPH_BASE + 0x12000000UL)
  3. #define FLASH_R_BASE             (D1_AHB1PERIPH_BASE + 0x2000UL)
  4. #define FLASH                    ((FLASH_TypeDef *) FLASH_R_BASE) <----- 展开这个宏，(FLASH_TypeDef *)0x52002000
复制代码

我们访问Flash的CR1寄存器可以采用这种形式：FLASH->CR1 = 0。

70.3.2 内部Flash擦除结构体FLASH_EraseInitTypeDef
下面是做内部Flash擦除的结构体，用到的地方比较多：
  1. typedef struct
  2. {
  3.   uint32_t TypeErase;  
  4.   uint32_t Banks;      
  5.   uint32_t Sector;      
  6.   uint32_t NbSectors;   
  7.   uint32_t VoltageRange;
  8. } FLASH_EraseInitTypeDef;
复制代码

下面将结构体成员逐一做个说明：

  TypeErase
用于选择BANK擦除还是扇区擦除，H743有两个BANK，每个BANK有个8个扇区，每个扇区128KB。具体支持的参数如下：

  1. #define FLASH_TYPEERASE_SECTORS      0x00U  /* 扇区方式擦除 */
  2. #define FLASH_TYPEERASE_MASSERASE    0x01U  /* BANK方式擦除 */
复制代码

  Banks
用于选择要擦除的BANK，或者两个BANK都选择：

  1. #define FLASH_BANK_1             0x01U                         /* Bank 1 */
  2. #define FLASH_BANK_2             0x02U                         /* Bank 2 */
  3. #define FLASH_BANK_BOTH          (FLASH_BANK_1 | FLASH_BANK_2) /* Bank1 和 Bank2 */
复制代码
Sector
用于选择要擦除的扇区：

  1. #define FLASH_SECTOR_0             0U       /* Sector Number 0   */
  2. #define FLASH_SECTOR_1             1U       /* Sector Number 1   */
  3. #define FLASH_SECTOR_2             2U       /* Sector Number 2   */
  4. #define FLASH_SECTOR_3             3U       /* Sector Number 3   */
  5. #define FLASH_SECTOR_4             4U       /* Sector Number 4   */
  6. #define FLASH_SECTOR_5             5U       /* Sector Number 5   */
  7. #define FLASH_SECTOR_6             6U       /* Sector Number 6   */
  8. #define FLASH_SECTOR_7             7U       /* Sector Number 7   */
复制代码

  NbSectors
用于设置要擦除的扇区个数，对于STM32H743来说，范围1到8。

  VoltageRange
用于设置编程的并行位数，电压不同，位数不同：

  1. #define FLASH_VOLTAGE_RANGE_1        0x00000000U       /* Flash program/erase by 8 bits  */
  2. #define FLASH_VOLTAGE_RANGE_2        FLASH_CR_PSIZE_0  /* Flash program/erase by 16 bits */
  3. #define FLASH_VOLTAGE_RANGE_3        FLASH_CR_PSIZE_1  /* Flash program/erase by 32 bits */
  4. #define FLASH_VOLTAGE_RANGE_4        FLASH_CR_PSIZE    /* Flash program/erase by 64 bits */
复制代码

70.3.3 内部Flash的操作总结
使用方法由HAL库提供：

  Flash编程函数操作流程
  Flash解锁函数HAL_FLASH_Unlock。
  Flash查询方式编程HAL_FLASH_Program。
  Flash中断方式编程HAL_FLASH_Program_IT。
  Flash上锁函数HAL_FLASH_Lock。
  选项字节编程流程
  选项字节解锁函数HAL_FLASH_OB_Unlock。
  选项字节加载函数HAL_FLASH_OB_Launch。
  选项字节编程函数HAL_FLASHEx_OBProgram。
  选项字节加锁函数HAL_FLASH_OB_Lock。
  Flash擦除流程
  Flash解锁函数HAL_FLASH_Unlock。
  Flash查询方式擦除HAL_FLASHEx_Erase。
  Flash中断方式擦除HAL_FLASHEx_Erase_IT。
  Flash上锁函数HAL_FLASH_Lock。
70.4 内部Flash源文件stm32h7xx_hal_flash.c
此文件涉及到的函数较多，这里把几个常用的函数做个说明：
  HAL_FLASH_Unlock
  HAL_FLASH_Lock
  HAL_FLASHEx_Erase
  HAL_FLASH_Program
70.4.1 函数HAL_FLASH_Lock
函数原型：

  1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void)
  2. {
  3. /* 设置FLASH Bank1控制寄存器Lock位，即禁止访问 */
  4.   SET_BIT(FLASH->CR1, FLASH_CR_LOCK);

  6. /* 验证Flash Bank1是否已经被锁住 */
  7.   if (READ_BIT(FLASH->CR1, FLASH_CR_LOCK) == 0U)
  8.   {
  9.     return HAL_ERROR;
  10.   }

  12. /* 设置FLASH Bank2控制寄存器Lock位，即禁止访问 */
  13.   SET_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR_LOCK);

  15. /* 验证Flash Bank2是否已经被锁住 */
  16.   if (READ_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR_LOCK) == 0U)
  17.   {
  18.     return HAL_ERROR;
  19.   }

  21.   return HAL_OK;
  22. }
复制代码

函数描述：

用于Flash加锁，加锁后将不能对Flash进行编程和擦除。

70.4.2 函数HAL_FLASH_Unlock
函数原型：

  1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void)
  2. {
  3.   if(READ_BIT(FLASH->CR1, FLASH_CR_LOCK) != 0U)
  4.   {
  5.     /* 允许访问Flash Bank1 */
  6.     WRITE_REG(FLASH->KEYR1, FLASH_KEY1);
  7.     WRITE_REG(FLASH->KEYR1, FLASH_KEY2);

  9.     /* 验证是否已经解锁 */
  10.     if (READ_BIT(FLASH->CR1, FLASH_CR_LOCK) != 0U)
  11.     {
  12.       return HAL_ERROR;
  13.     }
  14.   }

  16.   if(READ_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR_LOCK) != 0U)
  17.   {
  18.     /* 允许访问Flash Bank2 */
  19.     WRITE_REG(FLASH->KEYR2, FLASH_KEY1);
  20.     WRITE_REG(FLASH->KEYR2, FLASH_KEY2);

  22.     /* 验证是否已经解锁 */
  23.     if (READ_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR_LOCK) != 0U)
  24.     {
  25.       return HAL_ERROR;
  26.     }
  27.   }

  29.   return HAL_OK;
  30. }
复制代码


函数描述：

此函数用于Flash解锁，解锁后可以对Flash进行擦除和编程。

70.4.3 函数HAL_FLASH_Program
函数原型：

  1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t FlashAddress, uint32_t DataAddress)
  2. {
  3.   HAL_StatusTypeDef status;
  4.   __IO uint32_t *dest_addr = (__IO uint32_t *)FlashAddress;
  5.   __IO uint32_t *src_addr = (__IO uint32_t*)DataAddress;
  6.   uint32_t bank;
  7.   uint8_t row_index = FLASH_NB_32BITWORD_IN_FLASHWORD;

  9.   /* 检测参数 */
  10.   assert_param(IS_FLASH_TYPEPROGRAM(TypeProgram));
  11.   assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(FlashAddress));

  13.   /* 上锁 */
  14.   __HAL_LOCK(&pFlash);

  16. #if defined (FLASH_OPTCR_PG_OTP)
  17.   if((IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS_BANK1(FlashAddress)) || (IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS_OTP(FlashAddress)))
  18. #else
  19.   if(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS_BANK1(FlashAddress))
  20. #endif
  21.   {
  22.     bank = FLASH_BANK_1;
  23.   }
  24.   else
  25.   {
  26.     bank = FLASH_BANK_2;
  27.   }

  29.   /* 错误标识，无错误 */
  30.   pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;

  32.   /* 等待操作完成 */
  33.   status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE, bank);

  35.   if(status == HAL_OK)
  36.   {
  37.     if(bank == FLASH_BANK_1)
  38.     {
  39. #if defined (FLASH_OPTCR_PG_OTP)
  40.       if (TypeProgram == FLASH_TYPEPROGRAM_OTPWORD)
  41.       {
  42.         /* 设置OTP寄存器的PG位，使能可以编程 */
  43.         SET_BIT(FLASH->OPTCR, FLASH_OPTCR_PG_OTP);
  44.       }
  45.       else
  46. #endif
  47.       {
  48.         /* 设置PG位，使能可编程 */
  49.         SET_BIT(FLASH->CR1, FLASH_CR_PG);
  50.       }
  51.     }
  52.     else
  53.     {
  54.       /* 设置PG位 */
  55.       SET_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR_PG);
  56.     }

  58.     __ISB();
  59.     __DSB();

  61. #if defined (FLASH_OPTCR_PG_OTP)
  62.     if (TypeProgram == FLASH_TYPEPROGRAM_OTPWORD)
  63.     {
  64.       /* 编程OTP(16 bits) */
  65.       *(__IO uint16_t *)FlashAddress = *(__IO uint16_t*)DataAddress;
  66.     }
  67.     else
  68. #endif
  69.     {
  70.       /* 对Flash进行编程 */
  71.       do
  72.       {
  73.         *dest_addr = *src_addr;
  74.         dest_addr++;
  75.         src_addr++;
  76.         row_index--;
  77.      } while (row_index != 0U);
  78.     }

  80.     __ISB();
  81.     __DSB();

  83.     /* 等待最后一次操作完成 */
  84.     status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE, bank);

  86. #if defined (FLASH_OPTCR_PG_OTP)
  87.     if (TypeProgram == FLASH_TYPEPROGRAM_OTPWORD)
  88.     {
  89.       /* 如果编程操作完成，关闭OTP PG位 */
  90.       CLEAR_BIT(FLASH->OPTCR, FLASH_OPTCR_PG_OTP);
  91.     }
  92.     else
  93. #endif
  94.     {
  95.       if(bank == FLASH_BANK_1)
  96.       {
  97.         /* 如果操作完成，关闭PG位 */
  98.         CLEAR_BIT(FLASH->CR1, FLASH_CR_PG);
  99.       }
  100.       else
  101.       {
  102.         /* 如果操作完成，关闭PG位 */
  103.         CLEAR_BIT(FLASH->CR2, FLASH_CR_PG);
  104.       }
  105.     }
  106.   }

  108.   /* 解锁 */
  109.   __HAL_UNLOCK(&pFlash);

  111.   return status;
  112. }
复制代码



函数描述：

此函数主要用于Flash编程，固定编程32个字节数据。

函数参数：

  第1个参数是要编程的Flash类型，支持两种参数：
  FLASH_TYPEPROGRAM_FLASHWORD，用于芯片内部Flash编程。
  FLASH_TYPEPROGRAM_OTPWORD，用于芯片内部OTP存储区编程，当前的H743并没有这个区域，所以可以忽略。
  第2个参数是要编程的Flash地址。
  第3个参数是要编程到Flash的数据地址。
  返回值，返回HAL_TIMEOUT表示超时，HAL_ERROR表示参数错误，HAL_OK表示发送成功，HAL_BUSY表示串口忙，正在使用中。
注意事项：

  第2个参数的Flash地址要是32字节对齐的，即此地址对32求余等于0。
  第3个参数务必要是32字节的整数倍。
70.4.4 函数HAL_FLASHEx_Erase
函数原型：

  1. HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *SectorError)
  2. {
  3.   HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;
  4.   uint32_t sector_index;

  6. /* 检查参数 */
  7.   assert_param(IS_FLASH_TYPEERASE(pEraseInit->TypeErase));
  8.   assert_param(IS_FLASH_BANK(pEraseInit->Banks));

  10. /* 上锁 */
  11.   __HAL_LOCK(&pFlash);

  13. /* 无错误 */
  14.   pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;

  16. /* 等待BANK1的操作完成 */
  17.   if((pEraseInit->Banks & FLASH_BANK_1) == FLASH_BANK_1)
  18.   {
  19.     if(FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE, FLASH_BANK_1) != HAL_OK)
  20.     {
  21.       status = HAL_ERROR;
  22.     }
  23.   }

  25. /* 等待BANK2的操作完成 */
  26.   if((pEraseInit->Banks & FLASH_BANK_2) == FLASH_BANK_2)
  27.   {
  28.     if(FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE, FLASH_BANK_2) != HAL_OK)
  29.     {
  30.       status = HAL_ERROR;
  31.     }
  32.   }

  34.   if(status == HAL_OK)
  35.   {
  36.     if(pEraseInit->TypeErase == FLASH_TYPEERASE_MASSERASE)
  37.     {
  38.   /* 整个BANK1或者BANK2擦除 */
  39.       FLASH_MassErase(pEraseInit->VoltageRange, pEraseInit->Banks);

  41.   /* 等待操作完成 */
  42.       if((pEraseInit->Banks & FLASH_BANK_1) == FLASH_BANK_1)
  43.       {
  44.         if(FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE, FLASH_BANK_1) != HAL_OK)
  45.         {
  46.           status = HAL_ERROR;
  47.         }
  48.     /* 如果擦除完成，关闭BANK1的BER位 */
  49.         FLASH->CR1 &= (~FLASH_CR_BER);
  50.       }
  51.       if((pEraseInit->Banks & FLASH_BANK_2) == FLASH_BANK_2)
  52.       {
  53.         if(FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE, FLASH_BANK_2) != HAL_OK)
  54.         {
  55.           status = HAL_ERROR;
  56.         }
  57.     /* 如果擦除操作完成，关闭BANK2的BER位 */
  58.         FLASH->CR2 &= (~FLASH_CR_BER);
  59.       }
  60.     }
  61.     else
  62.     {
  63.   /* 初始化扇区错误码 */
  64.       *SectorError = 0xFFFFFFFFU;

  66.   /* 扇区方式擦除 */
  67.       for(sector_index = pEraseInit->Sector; sector_index < (pEraseInit->NbSectors + pEraseInit->Sector);
  68. sector_index++)
  69.       {
  70.         FLASH_Erase_Sector(sector_index, pEraseInit->Banks, pEraseInit->VoltageRange);

  72.         if((pEraseInit->Banks & FLASH_BANK_1) == FLASH_BANK_1)
  73.         {
  74.       /* 等待BANK1操作完成 */
  75.           status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE, FLASH_BANK_1);

  77.       /* 如果擦除操作完成，禁止SER位 */
  78.           FLASH->CR1 &= (~(FLASH_CR_SER | FLASH_CR_SNB));
  79.         }
  80.         if((pEraseInit->Banks & FLASH_BANK_2) == FLASH_BANK_2)
  81.         {
  82.       /* 等待BANK2操作完成 */
  83.           status = FLASH_WaitForLastOperation((uint32_t)FLASH_TIMEOUT_VALUE, FLASH_BANK_2);

  85.       /* 如果擦除操作完成，禁止SER位 */
  86.           FLASH->CR2 &= (~(FLASH_CR_SER | FLASH_CR_SNB));
  87.         }

  89.         if(status != HAL_OK)
  90.         {
  91.       /* 如果擦除出错，停止后续擦除，返回擦除异常的扇区号 */
  92.           *SectorError = sector_index;
  93.           break;
  94.         }
  95.       }
  96.     }
  97.   }

  99. /* 解锁 */
  100.   __HAL_UNLOCK(&pFlash);

  102.   return status;
  103. }
复制代码

函数描述：

用于内部Flash的批量擦除（BANK擦除）和扇区方式擦除。

函数参数：

  第1个参数是FLASH_EraseInitTypeDef类型结构体指针变量。
  第2个参数是错误码返回，返回0xFFFFFFFF表示全部正确，返回其它值是擦除过程中的错误扇区。
  返回值，返回HAL_ERROR表示参数错误，HAL_OK表示发送成功，HAL_BUSY表示忙，正在使用中。
70.5 总结
本章节就为大家讲解这么多，对于内部Flash编程来说，掌握本章节的这些知识点就够用了，更多的知识点可以看STM32H7的参考手册学习。


赞 收藏 评论0 发布时间：2021-11-2 23:53

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