Ⅰ、概述
关于数据的储存，我觉得编程的人基本上都会使用到，只是看你储存在哪里。STM32的芯片内部FLASH都是可以进行编程的，也就是说可以拿来储存数据。但是，很多做一些小应用程序开发的人都没有利用好这个功能，而是单独外接一个EEPROM或者FLASH，我觉得有些情况下（小数据、不常改动）这是对资源的一种极大浪费。
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% V/ L; h' E! q关于使用内部FLASH进行编程，网上也有很多人这么说：1、内部FLASH的读写次数有限；2、内部FLASH会破坏程序。这些说法确实存在一定道理，对于次数，10W次，我想这个次数除非你经常写FLASH，正常情况下你打不到这个值。对于破坏程序，如果你编程严谨，这个不是问题。综上，我觉得这些都不是担心的问题，只要你用心编好程，这样就能利用好资源。
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/ @% C8 e. S* X- d6 j举一个存在的例子，我三年前在STM32F1上面开发了两个产品（已经投入使用），储存的数据量一个差不多在6K左右，每使用一次，读写的次数差不多在5-10次左右，但是该产品至今还未因FLASH而出现过问题。所以说，利用好资源也是作为一位软件工程师需要考虑的。

) D+ U! j' k4 F. A- W提示：为了安全起见，写的次数最好做一个预估，储存的地址最和程序存在一定的距离。
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Ⅱ、下载

文章提供的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘，请放心下载测试，如有问题请检查一下你的板子是否有问题。

ST标准外设库和参考手册、数据手册等都可以在ST官网下载，你也可以到我的360云盘下载。关于F0系列芯片的参考手册有多个版本（针对F0不同芯片），但有一个通用版本，就是“STM32F0x128参考手册V8(英文)2015-07”建议参考该手册，以后如果你换用一种型号芯片也方便了解。

- J: X5 f* g2 h# K. {/ z& GⅢ、准备工作
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对于内部FLASH的编程，建议大家准备F0的参考手册和数据手册，方便查阅相关知识，没有的请到ST官网或到我360云盘下载。
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今天总结的软件工程是基于“TIM基本延时配置详细过程”修改而来，因此需要将该软件工程下载准备好。我每次都是提供整理好的软件工程供大家下载，但是，如果你是一位学习者，建议自己亲手一步一步操作：打开工程-> 新建文件(flash.c  flash.h) ->添加相关文件到工程中 ->添加源代码。
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Ⅳ、FLASH编程说明

STM32F0系列芯片中页的大小都是规则的，也就是说都是1K或许2K大小（如图：F0_FLASH），学过其他系列芯片的人可能知道，在其他很多芯片中也有不是规则的，如F2、F4中基本都不是规则的（如图：F4_FLASH），有的一块16K、128K等不规则。这样的芯片对于今天提供的工程就不适用，今天提供工程适用于内部FLASH规则大小的芯片。
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" k+ m6 y$ g+ L; |/ i5 ]图：F0_FLASH

图：F4_FLASH

Ⅴ、代码描述

( J5 e( D: _" X: j. ~6 Z工程概要说明： 提供工程的源代码主要就是两个接口，一个写，一个读。

void FLASH_WriteNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t nWord);

, j' h9 L- n/ o9 ^4 f! Z2 Zvoid FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord);
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相信经常编程的人都明白函数接口的意思（我的命名规则还是算比较人性化的），就是和常见的访问外部FLASH一样，不会覆盖数据，我已经在实际工作中应用而且商业化了。

, ~" _' K( Y! v& Q! H  _9 i& k主要在地址“ADDR”处写一个标志位，在地址“ADDR + 1”连续写一串数据。如果标志位已经是“写过”，则不会再次写入数据，只会读取数据，意思就是说数据只写一次，以后每次只是读取数据（就是保证掉电后数据会不会丢失）。每次读取数据，通过串口打印出以前写入的数据是否正确。

提供的工程以简单为原则，详细中文注释，方便自己方便大家。
$ z* ^, r& d" e# g: G5 S" @$ I& P
  E! _" K7 M) F& [  Q* e①读函数接口
& B6 ~. u- Z. p! i2 E) f" o

该函数位于flash.c文件下面；
  |" Z" Q# l3 W3 ]' x; ]1 a
; k/ k: f: [' k4 R( X这个函数接口比较简单，直接地址读数据。
. P5 m% ?; h- d
注意：
, _5 d, P  B" d0 c9 X" q$ ~9 k
/ E# F0 t: C) [5 W$ v" nA.参数pBuffer是数据缓冲区，是16位的，而不是8位的。（其实这里可以整理为8位的，由于时间有限，后期整理一下）。

3 Y/ h) G/ ~/ U5 a6 `/ a& }B.参数长度也是16位的数量。

C.地址是内部FLASH地址，可别溢出了，也别和程序储存地址冲突。最好看看你的程序大小及芯片容量。

! e; u+ K+ M: h2 |6 j8 S' a. L! G
+ [2 k7 \- s; P, C5 T5 Q1 K②写函数接口

* Y5 I( \# P: [

) J( ^3 n( D1 E* i
; @. S+ b+ Q% U- s! E 该函数位于flash.c文件下面；

这个函数接口FLASH_WriteNWord才是本文的重点，原因在于这里的写不会破坏其它数据（哪怕是临近地址），这个函数接口是比较现成的，也就是应用级的接口。经过我大量测试和项目开发，暂未发现bug。

% ^4 l! J# [* P1 D③重点

# }+ {# f+ A0 Y5 t. S8 c& Q* qA.页的大小：STM32F0因芯片型号差异请注意页的大小，我在程序中用一个宏来定义也的大小。
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4 |7 |9 S/ j1 @+ k2 vⅥ、说明

4 Y" B) w  p/ i2 M3 v6 W或许你硬件芯片不是提供工程里面的芯片，但是STM32F0的芯片软件兼容性很好，可以适用于F0其他很多型号的芯片，甚至是F2、F4等芯片上（具体请看手册、或者亲自测试）。
( w- ~. i2 I3 V& A2 P, Y
本文章提供的软件工程是基于ST标准外设库为基础建立而成，而非使用STM32CubeMX建立工程。个人觉得使用ST的标准外设库适合与学习者，STM32CubeMX建立工程结构复杂，对于学习者，特别是初学者估计会头疼。

8 ~( J/ E0 q) R# \2 f今天的工程是基于工程“STM32F0xx_TIM基本延时配置详细过程”修改而来，以上实例总结仅供参考，若有不对之处，敬请谅解。
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