Ⅰ、概述
. b+ j# S+ B, {3 {! H% }关于数据的储存，我觉得编程的人基本上都会使用到，只是看你储存在哪里。STM32的芯片内部FLASH都是可以进行编程的，也就是说可以拿来储存数据。但是，很多做一些小应用程序开发的人都没有利用好这个功能，而是单独外接一个EEPROM或者FLASH，我觉得有些情况下（小数据、不常改动）这是对资源的一种极大浪费。
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3 P/ r* C! a4 M: L% N7 E; M4 \" e" D! i关于使用内部FLASH进行编程，网上也有很多人这么说：1、内部FLASH的读写次数有限；2、内部FLASH会破坏程序。这些说法确实存在一定道理，对于次数，10W次，我想这个次数除非你经常写FLASH，正常情况下你打不到这个值。对于破坏程序，如果你编程严谨，这个不是问题。综上，我觉得这些都不是担心的问题，只要你用心编好程，这样就能利用好资源。

. k  ^$ \7 ^8 J- j+ x! X举一个存在的例子，我三年前在STM32F1上面开发了两个产品（已经投入使用），储存的数据量一个差不多在6K左右，每使用一次，读写的次数差不多在5-10次左右，但是该产品至今还未因FLASH而出现过问题。所以说，利用好资源也是作为一位软件工程师需要考虑的。

2 f4 ^  E3 s. m9 ~! Y8 D% F9 h3 C. L提示：为了安全起见，写的次数最好做一个预估，储存的地址最和程序存在一定的距离。


( ^: m: F, ~3 Z$ y7 m# p" F2 N* JⅡ、下载

" E5 v, }9 p4 d; I6 P( H* j文章提供的“软件工程”都是在硬件板子上进行多次测试、并保证没问题才上传至360云盘，请放心下载测试，如有问题请检查一下你的板子是否有问题。

ST标准外设库和参考手册、数据手册等都可以在ST官网下载，你也可以到我的360云盘下载。关于F0系列芯片的参考手册有多个版本（针对F0不同芯片），但有一个通用版本，就是“STM32F0x128参考手册V8(英文)2015-07”建议参考该手册，以后如果你换用一种型号芯片也方便了解。
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% @$ u3 V9 B" G# M6 h; \4 GⅢ、准备工作
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2 t3 d/ r, n8 A' X7 c6 J% [对于内部FLASH的编程，建议大家准备F0的参考手册和数据手册，方便查阅相关知识，没有的请到ST官网或到我360云盘下载。

  w" g. l6 }! P2 N+ F今天总结的软件工程是基于“TIM基本延时配置详细过程”修改而来，因此需要将该软件工程下载准备好。我每次都是提供整理好的软件工程供大家下载，但是，如果你是一位学习者，建议自己亲手一步一步操作：打开工程-> 新建文件(flash.c  flash.h) ->添加相关文件到工程中 ->添加源代码。

. ]8 G; ?" t/ V& ^Ⅳ、FLASH编程说明

, ~$ B6 N& D. H2 V% L; I# @STM32F0系列芯片中页的大小都是规则的，也就是说都是1K或许2K大小（如图：F0_FLASH），学过其他系列芯片的人可能知道，在其他很多芯片中也有不是规则的，如F2、F4中基本都不是规则的（如图：F4_FLASH），有的一块16K、128K等不规则。这样的芯片对于今天提供的工程就不适用，今天提供工程适用于内部FLASH规则大小的芯片。
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$ P7 u- T/ T$ M& e& L图：F0_FLASH
# @1 J( a5 {/ {

图：F4_FLASH

1 |8 \6 _: o/ {' C' C2 l9 ?( ~" @& HⅤ、代码描述
% K$ f  f* P2 ~& }
9 R7 _8 G. n" E) g% Q工程概要说明： 提供工程的源代码主要就是两个接口，一个写，一个读。

( I, u& w" ^- Nvoid FLASH_WriteNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t WriteAddr, uint16_t nWord);

void FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord);
: E$ T4 F! ^1 J' b6 J8 A+ y
2 b- l+ u8 R4 L' H相信经常编程的人都明白函数接口的意思（我的命名规则还是算比较人性化的），就是和常见的访问外部FLASH一样，不会覆盖数据，我已经在实际工作中应用而且商业化了。
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主要在地址“ADDR”处写一个标志位，在地址“ADDR + 1”连续写一串数据。如果标志位已经是“写过”，则不会再次写入数据，只会读取数据，意思就是说数据只写一次，以后每次只是读取数据（就是保证掉电后数据会不会丢失）。每次读取数据，通过串口打印出以前写入的数据是否正确。

提供的工程以简单为原则，详细中文注释，方便自己方便大家。

①读函数接口
& d' v% F# v: l' y
2 @8 Y8 S: _: c4 b# D

0 i9 k1 ~5 n$ a5 ~1 T5 }6 w5 I该函数位于flash.c文件下面；
5 _3 P1 }, G4 S& W8 H. \
这个函数接口比较简单，直接地址读数据。

注意：

A.参数pBuffer是数据缓冲区，是16位的，而不是8位的。（其实这里可以整理为8位的，由于时间有限，后期整理一下）。

B.参数长度也是16位的数量。
6 c! u5 v: z# N+ q* n& G
: B. y0 j- t  M. Z) u2 @8 NC.地址是内部FLASH地址，可别溢出了，也别和程序储存地址冲突。最好看看你的程序大小及芯片容量。
' a0 v6 ~. r. X9 Y/ \0 a/ c5 Z, T
% g' m* y  I+ B! Y& r
②写函数接口
) m/ C( |: [+ a9 N* b( z' f, l+ z# _
. @2 ?  \! k; C6 a

2 F2 w7 B1 U* R: E 该函数位于flash.c文件下面；

' c. R. l' W- Y" z5 f! m这个函数接口FLASH_WriteNWord才是本文的重点，原因在于这里的写不会破坏其它数据（哪怕是临近地址），这个函数接口是比较现成的，也就是应用级的接口。经过我大量测试和项目开发，暂未发现bug。

③重点

( Z1 _- X4 b9 L) O' l! tA.页的大小：STM32F0因芯片型号差异请注意页的大小，我在程序中用一个宏来定义也的大小。

Ⅵ、说明

- _5 b0 {* C- I或许你硬件芯片不是提供工程里面的芯片，但是STM32F0的芯片软件兼容性很好，可以适用于F0其他很多型号的芯片，甚至是F2、F4等芯片上（具体请看手册、或者亲自测试）。

  \2 N# S( B; S: V# b1 x本文章提供的软件工程是基于ST标准外设库为基础建立而成，而非使用STM32CubeMX建立工程。个人觉得使用ST的标准外设库适合与学习者，STM32CubeMX建立工程结构复杂，对于学习者，特别是初学者估计会头疼。

今天的工程是基于工程“STM32F0xx_TIM基本延时配置详细过程”修改而来，以上实例总结仅供参考，若有不对之处，敬请谅解。
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