之前用的stm32f103rbt6,它是100引脚以内的，不带FSMC。驱动液晶屏或者SRAM要自己写时序方面的程序，比较麻烦。后来换成stm32f103zet6，带有FSMC。不过在学习FSMC的时候遇到了一个问题。

最后两句一开始不理解，后来查阅了一些资料，终于搞明白了。

    首先说明一些常识：地址总线宽度只是代表CPU寻址范围大小，与CPU多少位无关，也就是说32位CPU地址线不一定是32根。

stm32的FSMC寻址以字节为单位，也就是说如果定义一个16位数组 u16 temp[5]  如果temp对应的地址是0x00000000 那么temp+1对应的地址是0x00000002 (地址是加2)
    IS62WV51216是16位宽512K容量的SRAM，也就是它的一个地址对应两个字节，但STM32是一个地址一个字节，这就出现了对准问题。如果我们的地址线依然是stm32A0~A15 和 存储器的A0~A15 连接， 如果stm32要从sram中读取前面提到数组中的temp[1]。stm32会给出0x0002（二进制地址0000000000000010b） 可是对于我们这个sram来说 读到却是temp[2]，因为sram一个地址就是一个16位数据 。为了解决这个问题， 我们只需要在给sram送地址时，右移一位，再送地址即可（sram的一个地址对应stm32两个地址的数据）。
而为了给用户提供方便 如果你选择的是16位宽度的sram FSMC会在你送地址的时候自动为你做右移一位的操作
此时会有另外一个问题 每次都右移一位 A0没用吗 也即只能读写偶地址的数据吗？
这也就是NBL0和NBL1的作用了 如果你要进行字节操作
如stm32发送地址0x0001读取一个字节 右移一位对应的是sram地址0x0000处的16位数据 FSMC会根据AO 来控制NBLO和NBL1为10 读取高字节数据
所以呢，偶字节读写时仅NBL0有效，奇字节读写时仅NBL1有效 字读写都有效（低电平有效）。

SRAM用了FSMC的UB/LB信号，控制字节高地位了。
因为SRAM是16位的，当你要读写8位数据的时候，UB/LB就发挥作用了，比如在SRAM的地址0写入1个8位的字节，那么LB会输出有效，而UB则保持不变（高电平），表示写入地址0的低8位，写法就是：
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+0)=0Xaa;//0XAA是你想写入的字节。
而如果要在SRAM地址0写入高8位，那么对于STM32来说，地址就相应加1即可，即：
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+1)=0XAA;
此时LB会输出高电平，UB会输出有效电平（低电平），表示写入地址0,的高字节。
这样，对STM32来说，地址就是连续的了，0，1,2,3,4,5，都是合法的了，自然就不需要你的地址右移对齐了，硬件通过UB/LB去控制了。

那这个地址+1或者+2要根据写入数据是8位还是16位来确定.