1、问题如标题

2、描述：通过双bank来实现远程升级，当程序在bank1运行时可以擦除bank2的内容，并重新写入代码。但是当程序在bank2运行时却不能擦除bank1的内容，写入失败。

3、步骤和现象：使用代码对bank1进行批量或页擦除，提示是擦除成功了，用JFLASH读擦除区域显示是FF，但是在代码里面读flash再打印到串口却显示非FF，然后写入flash失败。查看寄存器提示写入时非FF。这说明确实是擦除失败了。尝试了官方的代码库也依然如此。

这个问题困扰了我大半个月了，项目一点进展也没有。也向代理商反应过，看看原厂能否提供帮助，却没有得到回应。有没有哪位小伙伴遇到同样的问题？

肯定可以，双BANK的目的就是可以互相备份擦除软件的。
用官方例程测试了一下，没问题。
这里需要注意： 1.设置bank2 启动
                       2. 修改好加载的地址（0x0804000）开始程序加载到bank2

"用JFLASH读擦除区域显示是FF"  
楼主用烧录器看过是FF，但实际操作是又不是，这的确太奇怪了。通常烧录器看到的是比较准确的。
建议：1 验证一下，代码配置只执行一次BANK1部分擦除，避免复位或上电反复擦除写坏FLASH.
         2. 在烧录界面和调试界面检查一下是否擦除成功。

如是有bootloader的时候应该可以实现的 如果是没有的话是不是有可能是因为在运行bank2的时候是不能够擦除或写入从0x8000000到到bank2首地址之间的数据的（猜的）。

xiyu_dang 发表于 2023-8-23 10:55
如是有bootloader的时候应该可以实现的
如果是没有的话是不是有可能是因为在运行bank2的时候是不能够擦 ...

[md]如果不能擦除或写bank1，岂不是有违设计者的初衷，那跟普通芯片也就没区别了，我猜大概率不应该

butterflyspring 发表于 2023-8-23 09:50
"用JFLASH读擦除区域显示是FF"<br />
楼主用烧录器看过是FF，但实际操作是又不是，这的确太奇怪了。通常烧录器 ...

我也很奇怪，但现象确实如此，反复验证了好几次都是这样。

芯片被锁会不会引起这个现象，因为实验过程中我可能误操作了读写保护，打算换一颗芯片再试。

butterflyspring 发表于 2023-8-23 17:07
肯定可以，双BANK的目的就是可以互相备份擦除软件的。
用官方例程测试了一下，没问题。
这里需要注意： 1. ...

感谢大佬回复，我现在有一点没有搞明白，就是关于BANK1和BANK2到底对应哪个地址的问题。看过网上文章如下描述。

问题：结合官方例程，对于擦除时确实交换了bank1和bank2的地址，例程中没有明确说明写flash的时候也要交换地址。我做了实验尝试，却出现了另一个问题。在修改OPTR选项字节中BFB2时，强制跳转后却死机了，为此我不知道是程序写失败了，还是选项字节强制载入失败。导致我的实验也没有进展。我现在打算先写一个测试程序用JFLASH分别烧录到bank1和bank2中，让他们互相跳转，然后再实验当运行到bank2中擦除bank1的操作。

请问大佬，你用的官方例程具体是哪一个？我这边看到软件库里面有好几个，他们之间都有差异，搞得我很迷茫。

首先需要理解双bank的结构：
1. 两块可以独立的区域，独立启动，单独boot（通过option byte 配置）。 具体参考产品参考手册
2. 独立区开是对应APP的向量表。
3. 另外软件不能擦除当前使用的向量表，如果有中断就跑飞了~~

我参考的例程是下面这个，根据上面的基本原则改了一下配置和地址，改成从BANK2 启动擦除BANK1
STM32Cube_FW_G4_V1.5.0\Projects\NUCLEO-G474RE\Examples\FLASH\FLASH_EraseProgram

另外DUAL BANK的启动也有一个例程，就是更改optionbyte 再加载一下，这样复位后运行另一BANK的完整的APP。

经过多方努力，终于解决问题。感谢代理商的FAE提供支持，感谢各位大佬帮助。对比了FAE提供的代码，目前我也没看出来差别在哪儿。我也是同样的的操作就是不行，FAE的代码就可以。搞不懂，难道是人品问题。