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1600V高耐压+低损耗!意法半导体新IGBT,让家电更节能省钱

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STMCU-管管 发布时间:2025-7-29 08:42
意法半导体发布STGWA30IH160DF2 IGBT,该器件兼具1600V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑高效运行等优势,特别适用于需要并联使用的大功率家电应用场景,包括电磁炉、微波炉、电饭煲等电器。
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该器件具备175℃最高结温特性和优异的热阻系数,可确保30A额定电流下的高效散热表现,在严苛工作环境中保持长期稳定运行。


作为STPOWER产品组合,这是意法半导体第二代IH系列首款1600V电压等级IGBT,采用先进的沟槽栅场截止(TGFS)技术,兼具高击穿电压与低饱和压降(典型值1.77V@额定电流),显著降低导通损耗。TGFS技术还能有效抑制关断尾电流,减少关断能量损耗。配套的反并联二极管具备低压降和软恢复特性,与主晶体管的开关性能协同提升谐振及软开关拓扑的整体能效。

STGWA30IH160DF2适用于16kHz至60kHz宽频范围的准谐振单管变换器设计。其高耐压和优异热效特性可有效抵御电压浪涌冲击,减少外围保护元件需求,显著降低物料清单(BOM)成本。
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基于该器件设计的家电产品既能满足价格敏感市场的成本要求,又能凭借高能效表现获得优异能效评级。


该器件还具有正温度系数特性,配合严格的参数一致性控制,支持多管并联实现大功率应用中的均流设计。
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