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mcu使用stm32f407,查表gm大于5mA/V; 按照例子中公式,我的参数如下: Frequency = 25MHz C0 = 3 pF CL = 10 pF ESR = 50 Ω 计算得到 gmcrit = 4x50x6.28x6.28x25x25x13x13 = 0.8mA/V 计算Rext = 316Ω 如果重新计算gmcrit= 4.08mA/V gain= 5/5.08 不符合要求; 但是实际上没出现不起振问题; 查看文档,有一句话,如下: If the power dissipated in the crystal is higher than the value specified by the crystal manufacturer, the external resistor RExt becomes mandatory to avoid overdriving the crystal. If the power dissipated in the selected quartz is lower than the drive level specified by the crystal manufacturer, the insertion of RExt is not recommended, and its value is then 0 Ω.
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无法通过 SPI 读取 TCD1304数据
MotorControl Workbench 6.4.1 生成 FOC 项目代码后运行死机。
F407的SDIO的硬件分流问题
workbench5.3.1生成代码问题
STLink下载程序失败,Flash部分地址不能写入
求助,局部变量初始化时未赋值会导致什么后果?
TIM11,TIM13失效
局部变量初始化时未赋值会导致什么后果
在 STM32CubeIDE 中使用 RTOS 代理
如何为ram变量分配固定地址
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我是这样理解的:
如果实际电路中晶体消耗的功率超过了晶体厂家规定的最大驱动功率(drive level),须加上RExt来降低流经晶体的工作电流,减少功耗,防止晶体被“过驱动”,以免损坏或加速老化。
如果实际电路中晶体消耗的功率低于厂家规定的最小驱动功率,不建议加RExt,保证晶体获得足够的驱动能量,确保它能可靠起振和稳定工作。
CL是晶振厂家给出的,应该等于实际电路里那两个负载电容的并联值 加上 杂散电容值 。