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在N6的参考手册中有,flash启动需要BOOT0=0 BOOT1=0
在N6DK板的原理图(MB1939)中,可以看到BOOT开关的1-2连接是高电平
而在N6的GPIO例程的readme中却描述了BOOT1 1-3连接即拉低,是开发模式。这似乎与参考手册BOOT1=1为开发模式是相反的。readme中flash模式要求BOOT1 BOOT0都1-2连接即拉高,这也和参考手册是相反的。 实际上按照readme操作确实是正确的操作,但是为什么和参考手册的描述是反的呢?
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在PWM实验中为什么实际占空比会与设置相差那么大?
STM32C542RC开发板PWM实验——编译通过但回调函数未调用
STM32C542RC开发板PWM实验取得初步进展
STM32C542RC开发板PWM实验终于完成
STM32C542RC开发板PWM范例测试仍未成功
终于找到了STM32C542RC开发板的官方实例
STM32C542RC开发板PWM实验有关配置的求助
STM32C542RC开发板PWM实验的继续求助
【2026.09.27】每日签到:[STM32H735G-DK评测]一、移植Coremark跑个分
STM32C542RC开发板的串口DMA发送实验出错(已解决)
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看了一下板子,初步判断是因为这个拨动开关的引脚数码标识与原理图数码标识反了。
多半是器件规格书上的顺序不一致。
但是我手上的板子在开关处表明了一边L 和 一边 H。 按照这个设置就好了。
写文档的人验证后核对板子丝印写的。 但是原理上还是手册上原理。
按实际来吧,拿个万用表量一下
人无完人
总会有勘误的,
实际测量波动开关与原理图描述的高低电平是一致的。只是功能与参考手册描述的功能是反的