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在N6的参考手册中有,flash启动需要BOOT0=0 BOOT1=0
在N6DK板的原理图(MB1939)中,可以看到BOOT开关的1-2连接是高电平
而在N6的GPIO例程的readme中却描述了BOOT1 1-3连接即拉低,是开发模式。这似乎与参考手册BOOT1=1为开发模式是相反的。readme中flash模式要求BOOT1 BOOT0都1-2连接即拉高,这也和参考手册是相反的。 实际上按照readme操作确实是正确的操作,但是为什么和参考手册的描述是反的呢?
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VS Code中令人抓瞎的波浪号
无法解决打不开文件的问题,只好将代码写在main.c文件中
【2026.10.31】每日签到:STM32H735G-DK评测.TouchGFX在LCD—text中显示动态字符
【2026.11.1】每日签到:STM32H735G-DK评测.接收串口字符并显示在LCD—text中
如何解决cannot open source file的问题?
STM32C543RC开发板通过UART2实现唤醒操作
调试完成了官方warkup_from_stop例程中的串口通讯
有没有在STM32C542RC开发板上实现CoreMark测试的教程?
尝试进行STM32C542RC开发板的低功耗实验
STM32C542RC开发板启用PWM后对串口通讯造成影响
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看了一下板子,初步判断是因为这个拨动开关的引脚数码标识与原理图数码标识反了。
多半是器件规格书上的顺序不一致。
但是我手上的板子在开关处表明了一边L 和 一边 H。 按照这个设置就好了。
写文档的人验证后核对板子丝印写的。 但是原理上还是手册上原理。
按实际来吧,拿个万用表量一下
人无完人
总会有勘误的,
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实际测量波动开关与原理图描述的高低电平是一致的。只是功能与参考手册描述的功能是反的