VIPerGaN 100W转换器发布，面向高能效家电应用

意法半导体推出两款100 W VIPerGaN高压转换器，将宽带隙节能技术扩展至家用电器、楼宇与家庭自动化、智能照明以及电视和充电器等消费类产品。

新推出的转换器包括VIPerGaN100W（漏极电流限值3.5 A）和VIPerGaN100WB（漏极电流限值4.2 A，可处理高达125 W的短时峰值功率）。这一额外的灵活性使设计人员无需在为包含感性负载（如电磁阀或电机）的设备（例如咖啡机、小型家电和空调）设计电源电路时留取过大裕量。两款转换器均兼容85 V至265 V的通用交流输入电压范围，并可在185 V供电电压下输出100 W功率。

每款转换器中集成的700 V氮化镓 (GaN) 功率晶体管确保了器件的耐用性与可靠性，其导通电阻 (RDS(on)) 极低，典型值仅为0.27 mΩ，有助于实现出色的热性能。这些5 mm x 6 mm的QFN器件还集成了反激式转换器及GaN栅极驱动器，省去了设计人员精细调整栅极电阻与电感以优化开关性能的麻烦。

另一方面，利用GaN功率晶体管所支持的高开关频率，电路设计人员可以使用更小的无源元件，从而实现卓越的能效与功率密度。作为例证，意法半导体已基于VIPERGAN100W开发出EVLVIPGAN100WP参考设计，用于100W USB Type-C Power Delivery 3.0适配器。该参考设计提供从5 V/3.0 A到20 V/5.0 A的五种输出设置，采用次级侧调节与光耦反馈，峰值效率超过92%，功率密度达到24 W/in^3^。

VIPerGaN100W和VIPerGaN100WB均包含一个工作于准谐振模式并实现零电压开关的反激式转换器。其灵活电源管理功能可限制开关频率，以确保在整个负载范围内获得最佳效率，包括轻载时的频率回折和中载时的谷底跳跃。在谷底跳跃模式下，意法半导体专有的谷底锁定技术可稳定跳过的谷底数量，避免音频频率范围内的变化，从而确保在所有负载下均能安静运行。空载时的突发模式操作可将功耗降至30 mW以下。

此外，线电压前馈可增强每周期能量的控制精度，在输入电压波动时稳定输出功率。动态消隐时间则可限制开关频率的变化，从而最小化开关损耗。两款转换器均集成了输入与输出过压保护、过温保护、欠压关断保护及欠压恢复保护功能。

VIPerGaN100W和VIPerGaN100WB进一步丰富了意法半导体的VIPerGaN集成转换器系列，现已于在线商城和分销商处开售，订购1000片的起售价为单片1.25美元。

更多信息请访问体验先进的700 V GaN转换器带来的安静电源系统。

其他资源

• 产品概述 - VIPERGAN100W
• 数据手册 - VIPERGAN100W
• 产品概述 - VIPERGAN100WB
• 数据手册 - VIPERGAN100WB
• 产品概述 - EVLVIPGAN100WP
• 数据简报 - EVLVIPGAN100WP
• 产品宣传页 - 采用700 V GaN HEMT的高压转换器
• 应用笔记 - 基于VIPERGAN100W的100 W USB Power Delivery适配器参考设计