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ST推出250V MDmesh M9超结MOSFET,AI服务器/UPS电源效率再升级

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攻城狮Melo 发布时间:2026-7-21 15:15

兼具高效率与高功率密度,传承经实践验证的可靠性

MDmesh M9系列的最新产品阵容现扩展至250V,其低导通损耗、优化的栅极电荷以及稳健的安全工作区的特性非常适合于36–80V总线系统中的同步整流级和直流电源转换的应用。

率先推出的两款器件STP25N018M9(TO-220封装)与STB25N018M9(D²PAK封装)典型导通电阻R~ds~~(on)~ 低至15mΩ,在严苛的直流电源转换应用中实现了开关性能与电压裕量的出色平衡。

image.png

三大设计优势支柱

低导通损耗与开关损耗

  • 低典型导通电阻R~ds(on)~ 与优化的栅极电荷
  • 损耗更低,热量产生更少

出色的稳健性

  • 即使在较高工作温度下,参数依然稳定
  • 宽安全工作区(SOA),降低失效风险

广泛适用于36-80V总线系统

  • 服务器与数据中心PSU
  • 隔离及非隔离式DC-DC转换器
  • 不间断电源(UPS)
  • 低压电机驱动器与逆变器

两款器件,加速您的下一个设计

STP25N018M9(TO‑220封装)

N沟道250V、MDmesh M9功率MOSFET,适合评估、实验室工作以及需要通孔式组装的电路设计。

image.png

STB25N018M9(D²PAK封装)

N沟道250V、MDmesh M9功率MOSFET,表面贴装选项,适用于紧凑、高密度的布局。

image.png

点击阅读原文,了解更多相关信息。

链接:https://www.st.com.cn/content/st_com/zh/campaigns/250v-mdmesh-m9-power-mosfets-for-compact-robust-server-and-ups-power-supply-units-mcptd.html

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半导体是智能工业的关键推动因素,ST在工厂自动化和工业应用产品的设计和制造方面拥有30多年的经验,通过产品和解决方案帮助开发人员解决设计挑战,ST帮助打造未来工厂。


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