STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  2 S7 B4 j# P4 j( M

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   ) k) t: L% [# E
2. 
   , u0 I1 _& A. h7 k
3. #define  TITLE_SIZE    80
   4 Q: l. A1 b7 w, W' [
4. #define  TITLE_KEY     1
   7 n4 O7 @1 P' Z% T& ?: k( d
5. #define  POINT_KEY     2
   9 D5 {: X8 i, v+ X) v; d& ?
6. 
   
7. typedef  struct  {
   
8.         float  x ;
   
9.         float  y ;
   3 i9 `" p/ i! k( s* j5 B. N: z
10.         float  z ;
    
11. }  Point ;
    
12. 
    % P3 `. d6 o+ H- ?2 l2 ~
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    " ]0 H  f/ }# r  |  W( p$ J
14. Point  point ;

复制代码

$ @, }& H5 `* L1 L; Y

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   8 u+ C0 e) |( _) l0 _0 `
2. 
   
3. 
   
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   
5. 
   * o7 e! }$ p$ F* m
6. 
   ' Y. c: ?3 \1 }2 G+ x
7. EE_Init ( ) ;
   ' D/ ^8 a: |1 X
8. 
   0 C  W; ?$ a) C) J
9. 
   
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    
12. 
    9 d; ]7 c( Y7 S, z! r4 P$ S
13. 
    " K/ \* Q( |$ A2 V6 r/ T
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

复制代码

7 m/ m: i  Z4 r4 d3 F% j# e

　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

复制代码

# \: a* X6 s# n/ R
" g$ t4 i5 |+ v: Z
" P/ ~# y. ^4 ~& F0 [4 f