STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   # F2 R+ r7 w- N2 J
2. 
   
3. #define  TITLE_SIZE    80
   
4. #define  TITLE_KEY     1
   
5. #define  POINT_KEY     2
   
6. 
   8 E/ Y6 Z' N# R( Y' _! [
7. typedef  struct  {
   
8.         float  x ;
   
9.         float  y ;
   
10.         float  z ;
    6 z( v+ S* |; m
11. }  Point ;
    
12. 
    $ y, Q$ {# z  |" ~6 u. F
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    ( C/ J4 `4 h. ~2 M+ \+ B
14. Point  point ;

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2 _) l: U& K5 ?

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   ! v$ U% v" n+ e  N0 O* v. ~
2. 
   4 o. L' Q$ s- n( n' n1 Y
3. 
   
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   
5. 
   # Q6 ]9 X% B/ \9 W* l7 [
6. 
   
7. EE_Init ( ) ;
   
8. 
   
9. 
   
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    . l6 e2 s$ k) v2 [$ p9 j( d6 E
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    
12. 
    
13. 
    $ ]$ r5 y7 i* }; ~; y
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

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2 q' l+ d6 P+ {8 ^

　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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8 r& t! J( r! Z$ _% Q

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