STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   9 c8 M% T  x* U# J
2. 
   - d' V* O9 N) @6 ~4 b, C8 a+ T8 k! D
3. #define  TITLE_SIZE    80
   4 W* X" G' y9 _: F
4. #define  TITLE_KEY     1
   5 P+ a+ j/ C9 Z5 \1 X
5. #define  POINT_KEY     2
     y- V: r' |! X
6. 
   
7. typedef  struct  {
   : p# N  i% @0 i- i, g) l4 l
8.         float  x ;
   
9.         float  y ;
   * W, `) _% A7 M) j
10.         float  z ;
    6 w3 H# ?8 `( z6 O
11. }  Point ;
    
12. 
    
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    
14. Point  point ;

复制代码

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   / f8 |2 z/ v( S+ Q
2. 
   , J/ j6 M! q/ G) L+ z5 I! w7 y
3. 
   
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   
5. 
   2 O' V2 L' {: K
6. 
   
7. EE_Init ( ) ;
   
8. 
   - u+ ~& J/ G  w( b! G$ \2 S
9. 
   , |& w3 I- v; M: u
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    
12. 
    
13. 
    , K. q" e' }1 Q
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    3 l1 Q  V* C% j7 T; T, t, o
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

复制代码

& n- Z3 N! P; H5 j
; F  S1 ^( Y5 o# `! `5 F( Z# b1 B

　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

6 I( E9 c& n1 M% M7 x( u/ I6 U

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

复制代码

: i) c% f- e' L: b  D9 Y' ?

3 A, Y) z3 T1 I( _3 g  k