STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   3 e- |! w- r6 t. l2 b4 ^$ ?
2. 
   : y+ h7 y7 h4 J* i0 O7 r* R6 c
3. #define  TITLE_SIZE    80
   
4. #define  TITLE_KEY     1
   
5. #define  POINT_KEY     2
   # q) U7 X8 t* h. a( i
6. 
   0 P1 C5 e% m! S* R
7. typedef  struct  {
   
8.         float  x ;
   
9.         float  y ;
   
10.         float  z ;
    
11. }  Point ;
    + X2 H$ I+ j5 I6 k
12. 
    ! _0 C+ E3 Q" P0 _/ J
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    & k& A2 F5 l& n. V6 ]
14. Point  point ;

复制代码

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   " H1 s" B5 x$ i/ c
2. 
   / F& k) J3 w& j- r$ T
3. 
   ( y+ K8 a; a, W9 t0 Q. f
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   
5. 
   
6. 
   + m$ \+ ]3 F: y/ N
7. EE_Init ( ) ;
   
8. 
   
9. 
   - M4 b7 w2 D* y0 Y% @
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    ' I0 F0 e8 ?, O9 c/ F
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    " o# Q" s3 ]3 g1 R: I6 N2 j' |& T
12. 
    , d0 N0 s: F+ S" d
13. 
    
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

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　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

9 _4 d+ H* x/ J5 v3 W# }( m! r

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

复制代码

0 F& N. _7 O$ G& `: s% h