STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   
2. 
   & W. A  P9 N+ G; F7 j3 U( W1 M
3. #define  TITLE_SIZE    80
   8 V- k1 L) C+ i) w& N
4. #define  TITLE_KEY     1
   4 r* Z5 o# N0 R
5. #define  POINT_KEY     2
   2 I* Q$ r, I2 Z, D, I
6. 
   
7. typedef  struct  {
   
8.         float  x ;
   
9.         float  y ;
   0 J8 {' r# c, k9 Z
10.         float  z ;
    7 W: Q) M2 j' Z. G& K5 O
11. }  Point ;
    
12. 
    
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    
14. Point  point ;

复制代码

; g; F: S" g. p5 Z

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   " w* d1 d! g5 O/ ]( G- o$ r
2. 
   2 `( h% v0 z) v2 r
3. 
     V3 d# c% ]8 W% [5 n
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   & w6 i% b- ?2 @
5. 
   9 n$ b( J! D2 S$ Q# `
6. 
   ( E9 b- i6 ]# v) r
7. EE_Init ( ) ;
   
8. 
   3 K- f- V2 z' R# ^. V
9. 
   
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    5 K8 A- X2 ]$ E, c& c
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    : E8 f/ X" I* I7 L8 M
12. 
    
13. 
    ; |  M( S0 W5 r6 @  i/ u: c: m3 `
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    / J. d+ z! B: i8 ?$ d
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

复制代码

8 k: j$ D$ R* L. V& r
3 `( s5 u2 v( F; n( _0 h/ @( a$ i

　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

6 H- Z/ f2 w/ p* P( Y

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

复制代码