STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  0 B0 D; L" u1 E, d" C, Y0 p( D: J. l

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   
2. 
   $ [' t0 I+ U/ k2 a6 b4 `5 d0 G
3. #define  TITLE_SIZE    80
   
4. #define  TITLE_KEY     1
   : C( f1 H4 F; J6 [/ ?  W6 P
5. #define  POINT_KEY     2
   * R7 h# N  l+ w* A- o# R( K
6. 
   # P6 N2 o3 S7 M3 ]! K- q0 F/ _
7. typedef  struct  {
   
8.         float  x ;
   
9.         float  y ;
   0 e# h% M: l& @4 w$ Y3 \
10.         float  z ;
    # x  U  D+ d2 e4 f) U
11. }  Point ;
    
12. 
    ! \5 V( ?9 w( p4 _
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    
14. Point  point ;

复制代码

% k+ n. e, I; h

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   3 L- \  y6 e9 i5 p% X& y
2. 
   
3. 
   
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   
5. 
     n  L2 l, {, P7 U3 Q
6. 
   
7. EE_Init ( ) ;
   / H1 p* o1 R8 u  j- q2 Q5 a
8. 
   1 f% j+ d, Q2 T
9. 
   
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    : z3 ~3 Y0 U. U) u2 x, Q& w. ]% V# G
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    
12. 
    
13. 
    7 X# r& S: u, l2 w8 Q
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

复制代码

" B" D% V/ n' q) j8 k

　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

% ^9 k, Q% u0 t! Y% J7 `

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

复制代码

7 m3 l. f; n* N: V! R! ]
$ ]4 Y  J2 r! {1 e( E  ^* t
- Y! @) y. [* n