STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  7 j/ e, |: V# q& }

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   2 L8 O8 b/ @' Z! t
2. 
   1 o. C0 F6 s: x# Y4 \+ t
3. #define  TITLE_SIZE    80
   , Z, b! _  r3 h$ n3 v# M
4. #define  TITLE_KEY     1
   
5. #define  POINT_KEY     2
   
6. 
   5 B/ [3 a' @0 E
7. typedef  struct  {
   
8.         float  x ;
   
9.         float  y ;
   ( F7 ?: f' }; E; c4 |
10.         float  z ;
    3 q# b4 h; ^% @2 Y, j5 v' v
11. }  Point ;
    
12. 
    # c8 {" H9 m* c5 a% y
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    
14. Point  point ;

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9 w  ?- J; ^, t+ b# h0 B

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   1 G* Q9 A# c/ B, A( @# d/ h
2. 
   # G' t+ o$ Q" j* Z$ `
3. 
     t( d) i& P4 H
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   
5. 
   
6. 
   1 y7 k; B2 x/ J3 G, j* F+ h
7. EE_Init ( ) ;
   
8. 
   " F! b3 |# ~. \0 ^# R
9. 
   
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    9 _9 i$ O/ R$ l8 u1 S; p
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    ' F( r9 R* p$ x3 q+ O' |/ P2 j
12. 
    " Q8 t/ r! s3 O' r3 S, o
13. 
    
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    " Z+ W6 T5 ]0 A4 q. y8 l6 P
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

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　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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