ST25R3911B与ST25R3916B硬件和程序均不一样，建议按照ST25R3916B的开发资料进行开发。可参考开发板：X-NUCLEO-NFC08A1 - NFC card reader expansion board based on ST25R3916B for STM32 and STM8 Nucleos - STMicroelectronics
从这个链接https://www.st.com/zh/embedded-software/stsw-st25sdk001.html#get-software获得的邮件下载地址，从邮件点过去提示错误页面，刚刚尝试登陆了也还是无法下载。今年三月份的时候还可以下载的，最近发现无法下载了。
要达到比较远的读卡距离，需要较高的发射功率，较高的天线Q值以及合适的接收灵敏度设置。 1.可以提高发射功率，0x27h设置为00，匹配电阻从50ohm调整到10ohm。 2.两个匹配电路的串联电阻一个是0ohm，一个是10R，增大这个电阻会降低Q值从而减少读卡距离。 3.可以尝试调整0Ch和0Dh到不同的接收灵敏度值看测试结果。 4.更换为性能更强的ST25R3916B。
NFC tap iOS软件开发包下载地址：https://www.st.com/en/embedded-software/stsw-st25ios001.html#documentation 开发包用户手册下载地址：https://www.st.com/resource/en/user_manual/um2274-ios-nfc-application-for-st25-products-stmicroelectronics.pdf 如果需要进一步客户支持，请联系代理商或者ST本地销售或市场团队。
1.ST25R3916B完全符合EMVCo 3.1a的模拟和数字认证要求。 2.ST25R3916B-EMVCO 开发套件可以完全符合EMVco 3.1a L1 认证需求，具体介绍请见https://www.st.com/en/evaluation-tools/st25r3916b-emvco.html 3.ST25R3917B也可以通过EMVCo 3.1a认证测试。
需要具体分析读卡器与标签天线大小与系统设计。读卡器VDD采用5V供电可以增大发射功率，注意接收端不要超，具体可以看一下数据手册和天线调试AN4974。一味的提高发射功率不一定能增加通信距离，还要接收性能要考虑，可以试试ST25R3916B, 同样是5V供电，新产品性能更好。
谢谢回复,一般情况下3920方案的电感唤醒距离最远能做到多少?在用相同卡片的情况下是不是读卡距离越远唤醒距离也会越远?我发现Rx两端的两个串联分压电容对唤醒距离有影响,但并不是芯片端口分得的电压越大唤醒距离越远,在硬件调试时没发现规律.
芯片本身可以应用，如果是苹果机，需要申请Apple的MFI授权，才能取得实现的相关技术（开发文档说明）。如果是Android，NDEF没有定义类似功能，要开发私有APP。NFC可以用于调出APP（NDEFAAR）和存放数据
ST的HSM只提供bin文件格式，如已通过官方渠道获得，不需要授权。ETAS和Vector有开发完整的HSM软件包，可咨询当地代理商和ST销售
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