1 p! q6 b/ U9 QFlash现已成为MCU的标配，Flash的特性在决定了MCU的一些功能，如代码大小、执行效率、FDU等。了解一款MCU的Flash显得很重要，这里测试一下G071的Flash。
先看看和F0存在的不同。flash的大小就没必要深究了，主要的区别如下：
' p/ ]( v8 t3 z! |. n8 F
4 ?  k9 I1 @0 X/ e1.指令缓存。Flash控制器含有一个8字节的预取指缓冲器和一个16字节的指令缓存。
2.OTP区域。所谓的OTP，也就是one time programming，这个区域可以按双字方式写入数据，而且只能写一次，如果写入的数据有一个bit不为0，则以后这个区域就不可更改了，可用于存取非擦写的用户数据。
3.快速编程。官方给出的数据是22ms的擦除时间和写入每双字时间为82us。
% L( m9 e. V  B, r4.PCROP。这个是proprietary code readout protection的缩写，用于保护代码，其代码只能用来执行，而不能被读取或写入。至于Securable Memory，则是安全储存器，该区域不能被非安全区域外访问，
5.ECC。ECC是Error Correction and Checking，即错误检查和纠正。能检查2 bits的错误，并能纠正1 bit翻转错误。
. v4 O. S: n* X! s/ X; a- F
( G) c# V! ]& c- `再看看Flash的组织。见下图：

) d6 t% u7 K- r5 }/ W4 \5 yFlash主要分为两块，分别是主块和信息块。主块就是常规使用的Flash，通常也是我们程序的入口地址，这一块可以随便使用。
而信息块则包含了系统储存器，OTP区域和选项字节，Flash的操作方式按下图：

; t$ H" u' a( f' _+ ~6 q编程需要一次写入8字节，也就是粒度为64bits（实际上是72bits，还有8bits的ECC）快速编程为256字节（仅支持Main Memory），快速编程因为不检查所写入的地址，因此比标准编程快了约37%。擦除可按2KB的页或者整个擦除（128KB），但花费的时间相当。
4 m5 f* k- p0 U2 X
& ]- L& ?/ g% d9 Z/ J& {9 o* s- Q在选项字节的配置上，和F0系列没有差别（或者我还没有发现）。
+ ^6 a4 E4 L& g$ u0 b
) g4 f5 |- c4 `% v$ E/ D: ?以下Flash编程测试代码：

1. int main(void)
   ; Q, H$ l  ]$ ]7 n
2. {
   
3.     uint16_t i;
   
4.     HAL_Init();
   ) o, {" ]5 M) O3 p+ s
5.     SystemClock_Config();
   
6.     MX_GPIO_Init();
   7 M. G! K, [* _. @; ?: f
7.     HAL_FLASH_Unlock();   
   
8.     EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
   ) W) Y* t! g) J& g
9.     EraseInitStruct.Page        = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR);
     N, L; K7 l2 C) m# h/ u% f5 J) ?
10.     EraseInitStruct.NbPages     = 1;
    
11.     HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError);
    
12.     //8*256=2KB,1 page   
    1 J( e4 g& v/ c: j$ C& K/ l
13.     for(i=0;i<0x100;i++)
    " b7 S8 k; f' Z7 H/ Z2 A
14.         HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, FLASH_USER_START_ADDR+i*8, 0xefcdab8967452301);
    ) Z* k# R+ h! f* Q8 ^0 N2 N& V
15.     HAL_FLASH_Lock();
    6 ~% u2 q6 m% G( M$ G2 `. Y- Y
16.     while (1)
    
17.     {
      N4 M( D8 F5 y, k9 D& r! x% U1 N
18. 
    
19.     }
    
20. }

复制代码

效果嘛，就是把一页的数据都改写为0x012345678abcdef这种模式，因为ARM核是Little-Endian的，所以低字节在前，高字节在后：
, P9 f7 i3 A3 H9 T
不得不说，有ST Link Utility就是好，直接Dump Flash。
5 v8 ^' z0 Y: k- F! [此外，可以看到刚好改写数据是1页：
; _" c" \- C* v2 N- O
因为0x2000-0x1800=0x800，也就是1 Page的大小。

* V/ ^7 a# r: L7 @8 U8 i


2 \; G6 j% _6 m

hujjj 发表于 2019-1-16 22:38
另外还有页设置的函数GetPage()是在哪个文件中定义的？我在编译时提示未定义。 ...

啊，这个没复制进去。
, i% D( Y  @) U& u+ U+ x6 @7 G一行代码：

1. static uint32_t GetPage(uint32_t Addr)
   
2. {
   4 `# e2 S: m: d  L" V
3.   return (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;;
   
4. }

复制代码

五哥1 发表于 2019-1-17 18:57
得一开发板，能换主控吗？|我爱单片机 - 数码之家 http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2641715
  ]) `- N* t7 S* A7 a) s- h# L这个文章中 ...

6 A( A; [+ b. \7 L" {. ~( N这命名方式不太符合ST家的风格，而且目前从官网看，也就只有G070，G071，G081三个大系列。

hujjj 发表于 2019-1-16 22:25
( G' N& M; P$ m7 l; h感谢楼主分享！请教楼主HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD函数的这个参数怎么设置？另外要读 ...

这个可以参考HAL库的文档，我都是调用的HAL库函数

感谢楼主分享！请教楼主HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD函数的这个参数怎么设置？另外要读取指定地址的数据该如何写代码？
3 V3 o7 B) L" X) C
谢谢！

9 r) M& ?$ j, f3 N( H
另外还有页设置的函数GetPage()是在哪个文件中定义的？我在编译时提示未定义。
1 A" Z2 u0 C, D这个问题已经解决了，编译通过了。

听说，有最新的STLINK 是用STM32G系列的芯片的

勤劳的楼主 啊

五哥1 发表于 2019-1-17 08:35
6 s. b+ X2 z% O! V' X8 C" g听说，有最新的STLINK 是用STM32G系列的芯片的

' R% @- w6 e- w/ G$ v, G3 P6 Z% W3 A1 ~额，这个还没见到过，不过一般用的好像都是F103C8T6

楼主厉害
感谢分享

这个分析的仔细啊！！！

MrJiu 发表于 2019-1-17 14:01
/ X' u* ^, H- U0 v: R! _  f3 V这个分析的仔细啊！！！

大佬过奖了~

toofree 发表于 2019-1-17 12:17
* D  u% U7 r" o6 x- [# H楼主厉害
感谢分享

过奖了，学了点皮毛

多谢分享

得一开发板，能换主控吗？|我爱单片机 - 数码之家 http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2641715
这个文章中的，一位买了STLINK 主控是stm32gc102cb
2 U- o. }* U# M, v+ p