2 H  F6 s+ W9 [2 }$ v% u9 F9 W
Flash现已成为MCU的标配，Flash的特性在决定了MCU的一些功能，如代码大小、执行效率、FDU等。了解一款MCU的Flash显得很重要，这里测试一下G071的Flash。
' k, W' f8 f3 B) V先看看和F0存在的不同。flash的大小就没必要深究了，主要的区别如下：

3 J% B4 ~5 a! a6 v# P& d$ W! l1.指令缓存。Flash控制器含有一个8字节的预取指缓冲器和一个16字节的指令缓存。
2.OTP区域。所谓的OTP，也就是one time programming，这个区域可以按双字方式写入数据，而且只能写一次，如果写入的数据有一个bit不为0，则以后这个区域就不可更改了，可用于存取非擦写的用户数据。
* s/ U& U  U9 m2 M3.快速编程。官方给出的数据是22ms的擦除时间和写入每双字时间为82us。
4.PCROP。这个是proprietary code readout protection的缩写，用于保护代码，其代码只能用来执行，而不能被读取或写入。至于Securable Memory，则是安全储存器，该区域不能被非安全区域外访问，
: I5 M3 w0 t" c2 W: I5.ECC。ECC是Error Correction and Checking，即错误检查和纠正。能检查2 bits的错误，并能纠正1 bit翻转错误。

再看看Flash的组织。见下图：

8 }* x0 i0 C1 r4 ]4 b+ ~$ {Flash主要分为两块，分别是主块和信息块。主块就是常规使用的Flash，通常也是我们程序的入口地址，这一块可以随便使用。
8 L4 x1 Z/ W  e# ~# R# G而信息块则包含了系统储存器，OTP区域和选项字节，Flash的操作方式按下图：

编程需要一次写入8字节，也就是粒度为64bits（实际上是72bits，还有8bits的ECC）快速编程为256字节（仅支持Main Memory），快速编程因为不检查所写入的地址，因此比标准编程快了约37%。擦除可按2KB的页或者整个擦除（128KB），但花费的时间相当。
3 z+ o. T% y+ a
在选项字节的配置上，和F0系列没有差别（或者我还没有发现）。

以下Flash编程测试代码：
; ~/ y7 e. o) G6 m

1. int main(void)
   
2. {
   
3.     uint16_t i;
   $ T0 g8 _5 z7 u  W0 l1 _. {4 t; [
4.     HAL_Init();
   ! Y$ X5 x$ k1 c5 e# l3 L
5.     SystemClock_Config();
   & p9 s# r# J6 |5 m& L% C' K
6.     MX_GPIO_Init();
   6 F! N3 r& o% a5 {5 G% W
7.     HAL_FLASH_Unlock();   
   $ O( v9 q2 X% q+ e. a/ }
8.     EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
   : i3 q. M- v  X4 @9 g" M  j3 d
9.     EraseInitStruct.Page        = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR);
   
10.     EraseInitStruct.NbPages     = 1;
    
11.     HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError);
    
12.     //8*256=2KB,1 page   
    
13.     for(i=0;i<0x100;i++)
    
14.         HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, FLASH_USER_START_ADDR+i*8, 0xefcdab8967452301);
    
15.     HAL_FLASH_Lock();
    ( P$ `6 I+ Y* F7 ?+ E0 {# l
16.     while (1)
    $ @0 ]# R# h, R- G- ]( d* W1 _
17.     {
    
18. 
    
19.     }
    * F% x0 J2 t$ T7 m% c: |4 J
20. }

复制代码

效果嘛，就是把一页的数据都改写为0x012345678abcdef这种模式，因为ARM核是Little-Endian的，所以低字节在前，高字节在后：

不得不说，有ST Link Utility就是好，直接Dump Flash。
) W9 p' L# j+ @此外，可以看到刚好改写数据是1页：
7 k! p& Z0 m, n, O
因为0x2000-0x1800=0x800，也就是1 Page的大小。
& z+ Q5 z& z: Z7 W( U


/ @/ L, Z1 M* q4 a( v- @

hujjj 发表于 2019-1-16 22:38
8 F" L2 V* {& U, B另外还有页设置的函数GetPage()是在哪个文件中定义的？我在编译时提示未定义。 ...

% l1 i  V  X; G啊，这个没复制进去。
0 I% ^4 u% K* w% s; Z一行代码：
2 w. h/ {( s9 l4 I. {

1. static uint32_t GetPage(uint32_t Addr)
   
2. {
   . q; b" y) M3 U6 ]( @& D
3.   return (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;;
   : r) g( h# b% ^
4. }

复制代码

五哥1 发表于 2019-1-17 18:57
得一开发板，能换主控吗？|我爱单片机 - 数码之家 http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2641715
" I$ c2 G* j3 l: R: e这个文章中 ...

这命名方式不太符合ST家的风格，而且目前从官网看，也就只有G070，G071，G081三个大系列。
! w: v+ o) |! [6 O$ o" F! c

hujjj 发表于 2019-1-16 22:25
( W) H& `0 |3 [* I5 F& R感谢楼主分享！请教楼主HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD函数的这个参数怎么设置？另外要读 ...

这个可以参考HAL库的文档，我都是调用的HAL库函数

感谢楼主分享！请教楼主HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD函数的这个参数怎么设置？另外要读取指定地址的数据该如何写代码？

谢谢！
$ h2 u! F) D4 Z  u7 s

' m" f. F$ W. o& }3 n* n另外还有页设置的函数GetPage()是在哪个文件中定义的？我在编译时提示未定义。
* A: {% m0 n  q% J这个问题已经解决了，编译通过了。

听说，有最新的STLINK 是用STM32G系列的芯片的

勤劳的楼主 啊

五哥1 发表于 2019-1-17 08:35
听说，有最新的STLINK 是用STM32G系列的芯片的

额，这个还没见到过，不过一般用的好像都是F103C8T6

楼主厉害
" h: @  T) ]* T感谢分享

这个分析的仔细啊！！！

MrJiu 发表于 2019-1-17 14:01
这个分析的仔细啊！！！

! R; a6 w- U6 _7 g0 F3 @4 h大佬过奖了~

toofree 发表于 2019-1-17 12:17
楼主厉害
感谢分享

过奖了，学了点皮毛

多谢分享

得一开发板，能换主控吗？|我爱单片机 - 数码之家 http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2641715
- w7 p* Y8 M' l. F. B9 |& Y4 y这个文章中的，一位买了STLINK 主控是stm32gc102cb