3 C/ F$ M+ G; t1 ^: `1 p& E
* @# d  N- m' b& {Flash现已成为MCU的标配，Flash的特性在决定了MCU的一些功能，如代码大小、执行效率、FDU等。了解一款MCU的Flash显得很重要，这里测试一下G071的Flash。
先看看和F0存在的不同。flash的大小就没必要深究了，主要的区别如下：
7 B% m3 U4 U" Q
6 V! ~7 q: J3 M4 Q5 [! V' \5 J5 B' n1.指令缓存。Flash控制器含有一个8字节的预取指缓冲器和一个16字节的指令缓存。
& j  F1 Q; \# i3 `: _# s2.OTP区域。所谓的OTP，也就是one time programming，这个区域可以按双字方式写入数据，而且只能写一次，如果写入的数据有一个bit不为0，则以后这个区域就不可更改了，可用于存取非擦写的用户数据。
3.快速编程。官方给出的数据是22ms的擦除时间和写入每双字时间为82us。
4.PCROP。这个是proprietary code readout protection的缩写，用于保护代码，其代码只能用来执行，而不能被读取或写入。至于Securable Memory，则是安全储存器，该区域不能被非安全区域外访问，
5.ECC。ECC是Error Correction and Checking，即错误检查和纠正。能检查2 bits的错误，并能纠正1 bit翻转错误。

' v9 U; d) n% o7 x再看看Flash的组织。见下图：
8 K, m% p/ M1 e. y( z. V5 q$ q
Flash主要分为两块，分别是主块和信息块。主块就是常规使用的Flash，通常也是我们程序的入口地址，这一块可以随便使用。
而信息块则包含了系统储存器，OTP区域和选项字节，Flash的操作方式按下图：
" z  o4 c) R" Z4 K  i
! O8 @) ?$ I0 E  X* i编程需要一次写入8字节，也就是粒度为64bits（实际上是72bits，还有8bits的ECC）快速编程为256字节（仅支持Main Memory），快速编程因为不检查所写入的地址，因此比标准编程快了约37%。擦除可按2KB的页或者整个擦除（128KB），但花费的时间相当。

在选项字节的配置上，和F0系列没有差别（或者我还没有发现）。
! S9 }0 f! i1 q
& N$ e3 _" I; O9 O以下Flash编程测试代码：
4 ]( a, \5 U- h; y/ E

1. int main(void)
   - v! h' b5 Z  q! B# D
2. {
   
3.     uint16_t i;
   
4.     HAL_Init();
   7 g  W$ {7 H6 z' X
5.     SystemClock_Config();
   4 O( t( ~+ X+ Y* F' G0 M+ ^2 H
6.     MX_GPIO_Init();
   
7.     HAL_FLASH_Unlock();   
   
8.     EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
   
9.     EraseInitStruct.Page        = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR);
   % B' \0 h, w) ]# [
10.     EraseInitStruct.NbPages     = 1;
    
11.     HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError);
    
12.     //8*256=2KB,1 page   
    8 z, i* D) t' N: Y% u( z9 e% Y
13.     for(i=0;i<0x100;i++)
    
14.         HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, FLASH_USER_START_ADDR+i*8, 0xefcdab8967452301);
    
15.     HAL_FLASH_Lock();
    
16.     while (1)
    6 M+ h5 ^6 \5 E# J" b% A5 g
17.     {
    # v( \) b- \5 A0 d5 l, \
18. 
    2 e+ B. v7 L8 t, w" ?
19.     }
    
20. }

复制代码

效果嘛，就是把一页的数据都改写为0x012345678abcdef这种模式，因为ARM核是Little-Endian的，所以低字节在前，高字节在后：

不得不说，有ST Link Utility就是好，直接Dump Flash。
此外，可以看到刚好改写数据是1页：

, N( F# w3 i5 n0 Q4 a2 z因为0x2000-0x1800=0x800，也就是1 Page的大小。
  Y; A8 i1 a& u1 o


3 o  T, f5 B1 \, p% R7 ~. F! c' `
+ Z8 F) _+ p1 ^  ^8 l

hujjj 发表于 2019-1-16 22:38
3 K$ Q( p6 Q0 z% e# l$ b! R6 x另外还有页设置的函数GetPage()是在哪个文件中定义的？我在编译时提示未定义。 ...

啊，这个没复制进去。
一行代码：
$ u9 Z- z" D4 f4 K/ l' t

1. static uint32_t GetPage(uint32_t Addr)
   
2. {
     W* E5 v! V, N. i7 e3 \
3.   return (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;;
   
4. }

复制代码

五哥1 发表于 2019-1-17 18:57
1 J$ v5 C: k# T( [$ C: o/ x. k: m! C得一开发板，能换主控吗？|我爱单片机 - 数码之家 http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2641715
这个文章中 ...

$ A1 L$ L" L7 {0 s& w/ A这命名方式不太符合ST家的风格，而且目前从官网看，也就只有G070，G071，G081三个大系列。

hujjj 发表于 2019-1-16 22:25
2 _- U8 r$ u9 p) F- E感谢楼主分享！请教楼主HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD函数的这个参数怎么设置？另外要读 ...

6 |+ G! Z+ e0 }1 A& F这个可以参考HAL库的文档，我都是调用的HAL库函数

感谢楼主分享！请教楼主HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD函数的这个参数怎么设置？另外要读取指定地址的数据该如何写代码？

谢谢！
5 M- c2 a. K. o+ C; i

7 W* t7 Q& y* Q1 t6 y, x
另外还有页设置的函数GetPage()是在哪个文件中定义的？我在编译时提示未定义。
这个问题已经解决了，编译通过了。
% U5 |6 s- z2 y% O0 |; U1 K. Z5 ^- O

听说，有最新的STLINK 是用STM32G系列的芯片的

勤劳的楼主 啊

五哥1 发表于 2019-1-17 08:35
听说，有最新的STLINK 是用STM32G系列的芯片的

额，这个还没见到过，不过一般用的好像都是F103C8T6

楼主厉害
感谢分享

这个分析的仔细啊！！！

MrJiu 发表于 2019-1-17 14:01
这个分析的仔细啊！！！

7 ^7 i. T4 J5 d6 A! l4 m  k5 E大佬过奖了~

toofree 发表于 2019-1-17 12:17
; ^8 [( K$ I# i% C2 n  q/ P  i楼主厉害
' g7 L. q9 R2 T( U, j, \感谢分享

! U' l" s5 w( r- d1 C) B过奖了，学了点皮毛

多谢分享

得一开发板，能换主控吗？|我爱单片机 - 数码之家 http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2641715
  |5 I0 ^0 X: ^# M+ H这个文章中的，一位买了STLINK 主控是stm32gc102cb
* W/ m+ P6 R  l2 ]) B! g