8 j% ?2 ^# ^; E  M! U$ b/ C
Flash现已成为MCU的标配，Flash的特性在决定了MCU的一些功能，如代码大小、执行效率、FDU等。了解一款MCU的Flash显得很重要，这里测试一下G071的Flash。
先看看和F0存在的不同。flash的大小就没必要深究了，主要的区别如下：

1.指令缓存。Flash控制器含有一个8字节的预取指缓冲器和一个16字节的指令缓存。
2 Y& d/ U! D& B- L, ]- B2.OTP区域。所谓的OTP，也就是one time programming，这个区域可以按双字方式写入数据，而且只能写一次，如果写入的数据有一个bit不为0，则以后这个区域就不可更改了，可用于存取非擦写的用户数据。
3.快速编程。官方给出的数据是22ms的擦除时间和写入每双字时间为82us。
4.PCROP。这个是proprietary code readout protection的缩写，用于保护代码，其代码只能用来执行，而不能被读取或写入。至于Securable Memory，则是安全储存器，该区域不能被非安全区域外访问，
$ a. u8 m" W5 @) R1 h9 u5.ECC。ECC是Error Correction and Checking，即错误检查和纠正。能检查2 bits的错误，并能纠正1 bit翻转错误。

( A( y* s, R2 X: \再看看Flash的组织。见下图：

Flash主要分为两块，分别是主块和信息块。主块就是常规使用的Flash，通常也是我们程序的入口地址，这一块可以随便使用。
而信息块则包含了系统储存器，OTP区域和选项字节，Flash的操作方式按下图：

编程需要一次写入8字节，也就是粒度为64bits（实际上是72bits，还有8bits的ECC）快速编程为256字节（仅支持Main Memory），快速编程因为不检查所写入的地址，因此比标准编程快了约37%。擦除可按2KB的页或者整个擦除（128KB），但花费的时间相当。

; M8 z8 Z* @6 F* r在选项字节的配置上，和F0系列没有差别（或者我还没有发现）。
& w1 b! E' T( b" C+ ?  s4 `4 |+ Z
' Q3 [( d5 h5 H' y5 C( g8 _以下Flash编程测试代码：

1. int main(void)
   
2. {
   + P8 @) Q* a- O+ ?% x5 }4 w$ q- r9 b
3.     uint16_t i;
   ' X' v# o* S& A
4.     HAL_Init();
   
5.     SystemClock_Config();
   ; T+ s' [% Q6 O
6.     MX_GPIO_Init();
   
7.     HAL_FLASH_Unlock();   
   
8.     EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
   
9.     EraseInitStruct.Page        = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR);
   + ^; [3 W7 @4 s2 P3 c
10.     EraseInitStruct.NbPages     = 1;
    7 X, V  `: ~* o4 F) P" Y. \4 u
11.     HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError);
    
12.     //8*256=2KB,1 page   
    + e! Y3 @6 k/ o) M; w  E+ }9 t
13.     for(i=0;i<0x100;i++)
    
14.         HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, FLASH_USER_START_ADDR+i*8, 0xefcdab8967452301);
    6 M8 Q$ L" r' K9 W
15.     HAL_FLASH_Lock();
    ) \: `1 K6 o( B4 ^: _( |+ c
16.     while (1)
    1 `: t3 ]. D9 l1 H5 ~
17.     {
    + w+ X+ g+ ~) N0 T- x3 j4 @
18. 
    ! Z7 f' Y7 E: H! _4 h7 U  T
19.     }
    7 |+ V! q& y% D! [
20. }

复制代码

效果嘛，就是把一页的数据都改写为0x012345678abcdef这种模式，因为ARM核是Little-Endian的，所以低字节在前，高字节在后：

+ x9 B0 M) n, C5 V不得不说，有ST Link Utility就是好，直接Dump Flash。
此外，可以看到刚好改写数据是1页：

因为0x2000-0x1800=0x800，也就是1 Page的大小。


1 `1 M' T& T" ?6 c% ]9 L/ s( R
6 w6 r' n7 A! d# @$ [) R1 _" e
- v5 l; g0 ^* z; i4 ~& Z3 ]

hujjj 发表于 2019-1-16 22:38
另外还有页设置的函数GetPage()是在哪个文件中定义的？我在编译时提示未定义。 ...

& ]" W% q. c, o! X7 O啊，这个没复制进去。
/ Q$ |3 c+ w3 Z7 y9 E一行代码：
# k! {* q+ t/ K  o9 S9 E

1. static uint32_t GetPage(uint32_t Addr)
   2 w6 F2 T* A$ o" u) l: U
2. {
   
3.   return (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;;
   + V  g9 l+ ~; a/ c; q5 }+ M3 w0 U
4. }

复制代码

五哥1 发表于 2019-1-17 18:57
得一开发板，能换主控吗？|我爱单片机 - 数码之家 http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2641715
8 j" a  A7 B; H$ Y这个文章中 ...

这命名方式不太符合ST家的风格，而且目前从官网看，也就只有G070，G071，G081三个大系列。

hujjj 发表于 2019-1-16 22:25
感谢楼主分享！请教楼主HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD函数的这个参数怎么设置？另外要读 ...

- ^/ u! y8 k  o1 b这个可以参考HAL库的文档，我都是调用的HAL库函数

感谢楼主分享！请教楼主HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD函数的这个参数怎么设置？另外要读取指定地址的数据该如何写代码？
2 L1 M2 r( k. e
谢谢！

* G4 R2 a: [; _( B$ n/ r另外还有页设置的函数GetPage()是在哪个文件中定义的？我在编译时提示未定义。
6 f( u6 @8 ?) k4 C. }4 ]这个问题已经解决了，编译通过了。

听说，有最新的STLINK 是用STM32G系列的芯片的

勤劳的楼主 啊

五哥1 发表于 2019-1-17 08:35
听说，有最新的STLINK 是用STM32G系列的芯片的

额，这个还没见到过，不过一般用的好像都是F103C8T6

楼主厉害
, m% h+ f+ o$ i感谢分享

这个分析的仔细啊！！！

MrJiu 发表于 2019-1-17 14:01
" f0 B& E  Q3 J0 h这个分析的仔细啊！！！

4 R5 c6 N1 y( Q6 I% \# Y大佬过奖了~

toofree 发表于 2019-1-17 12:17
- t2 W/ ]! K; `) v- `楼主厉害
感谢分享

过奖了，学了点皮毛

多谢分享

得一开发板，能换主控吗？|我爱单片机 - 数码之家 http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2641715
0 A' R1 P$ B1 k# ?. V# K- |这个文章中的，一位买了STLINK 主控是stm32gc102cb