STM32G071评测：Flash

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STM1024 发布时间：2019-1-16 20:42

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本帖最后由 stm1024 于 2019-1-18 11:15 编辑

Flash现已成为MCU的标配，Flash的特性在决定了MCU的一些功能，如代码大小、执行效率、FDU等。了解一款MCU的Flash显得很重要，这里测试一下G071的Flash。
先看看和F0存在的不同。flash的大小就没必要深究了，主要的区别如下：

1.指令缓存。Flash控制器含有一个8字节的预取指缓冲器和一个16字节的指令缓存。
2.OTP区域。所谓的OTP，也就是one time programming，这个区域可以按双字方式写入数据，而且只能写一次，如果写入的数据有一个bit不为0，则以后这个区域就不可更改了，可用于存取非擦写的用户数据。
3.快速编程。官方给出的数据是22ms的擦除时间和写入每双字时间为82us。
4.PCROP。这个是proprietary code readout protection的缩写，用于保护代码，其代码只能用来执行，而不能被读取或写入。至于Securable Memory，则是安全储存器，该区域不能被非安全区域外访问，
5.ECC。ECC是Error Correction and Checking，即错误检查和纠正。能检查2 bits的错误，并能纠正1 bit翻转错误。

再看看Flash的组织。见下图：

Flash主要分为两块，分别是主块和信息块。主块就是常规使用的Flash，通常也是我们程序的入口地址，这一块可以随便使用。
而信息块则包含了系统储存器，OTP区域和选项字节，Flash的操作方式按下图：

编程需要一次写入8字节，也就是粒度为64bits（实际上是72bits，还有8bits的ECC）快速编程为256字节（仅支持Main Memory），快速编程因为不检查所写入的地址，因此比标准编程快了约37%。擦除可按2KB的页或者整个擦除（128KB），但花费的时间相当。

在选项字节的配置上，和F0系列没有差别（或者我还没有发现）。

以下Flash编程测试代码：

int main(void)- U: C; p5 {) ?1 v! r& \
{# Y, R, A* R0 U: H2 V2 f
uint16_t i;
( n) R P; m* f0 H
HAL_Init();' X+ M0 @- g7 O5 I) p* ^$ ~
SystemClock_Config();/ Y* O2 r6 n8 W2 N, x
MX_GPIO_Init();
2 b: z3 n! O% B K
HAL_FLASH_Unlock();
0 y. l' V. b# ~* Q# ?
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
/ `1 L1 H' \4 N& ~/ Z" i
EraseInitStruct.Page = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR);
; s$ K( ^( E8 y7 I
EraseInitStruct.NbPages = 1;
& ?" `+ o6 a/ p) b2 z {- q
HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError);
0 R7 g" ~: |: ~+ w1 k
//8*256=2KB,1 page
5 O5 u" L( H; m8 ?; }
for(i=0;i<0x100;i++)$ X0 U. z. c% i. D+ F3 Y
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, FLASH_USER_START_ADDR+i*8, 0xefcdab8967452301);
. Q! a* Q6 ?) T/ X+ h$ G
HAL_FLASH_Lock();
$ U% x1 [8 G! C9 L. V/ ~
while (1)9 A* X4 B% P0 q$ q. Z- I
{
: c% Y5 {2 i+ `& ] B9 e
4 C% Q. ?) z7 D: s+ Y
}
! }( P( h D5 Y) U
}