STM32G071评测：Flash

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STM1024 发布时间：2019-1-16 20:42

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本帖最后由 stm1024 于 2019-1-18 11:15 编辑

Flash现已成为MCU的标配，Flash的特性在决定了MCU的一些功能，如代码大小、执行效率、FDU等。了解一款MCU的Flash显得很重要，这里测试一下G071的Flash。
先看看和F0存在的不同。flash的大小就没必要深究了，主要的区别如下：

1.指令缓存。Flash控制器含有一个8字节的预取指缓冲器和一个16字节的指令缓存。
2.OTP区域。所谓的OTP，也就是one time programming，这个区域可以按双字方式写入数据，而且只能写一次，如果写入的数据有一个bit不为0，则以后这个区域就不可更改了，可用于存取非擦写的用户数据。
3.快速编程。官方给出的数据是22ms的擦除时间和写入每双字时间为82us。
4.PCROP。这个是proprietary code readout protection的缩写，用于保护代码，其代码只能用来执行，而不能被读取或写入。至于Securable Memory，则是安全储存器，该区域不能被非安全区域外访问，
5.ECC。ECC是Error Correction and Checking，即错误检查和纠正。能检查2 bits的错误，并能纠正1 bit翻转错误。

再看看Flash的组织。见下图：

Flash主要分为两块，分别是主块和信息块。主块就是常规使用的Flash，通常也是我们程序的入口地址，这一块可以随便使用。
而信息块则包含了系统储存器，OTP区域和选项字节，Flash的操作方式按下图：

编程需要一次写入8字节，也就是粒度为64bits（实际上是72bits，还有8bits的ECC）快速编程为256字节（仅支持Main Memory），快速编程因为不检查所写入的地址，因此比标准编程快了约37%。擦除可按2KB的页或者整个擦除（128KB），但花费的时间相当。

在选项字节的配置上，和F0系列没有差别（或者我还没有发现）。

以下Flash编程测试代码：

int main(void)) t( G! `& ^5 D
{" `0 o) l: y% ]. E$ v) }$ w
uint16_t i;
; V! W( D2 p" C. ]5 M9 K+ } m9 r5 W
HAL_Init();8 \; }- m! O& o# Z( b0 |, F* m6 P! e
SystemClock_Config();9 @4 j( j! q" m+ D
MX_GPIO_Init();+ J# m5 J0 K. [: Y
HAL_FLASH_Unlock(); ' N) x$ Y. _8 K4 B8 U) a# n
EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
1 U# b1 G6 a+ k. A" s9 ?! _
EraseInitStruct.Page = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR);' P2 } w0 V& Q4 _( k, I. b
EraseInitStruct.NbPages = 1;
& c: g! H* t! h: c# [
HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError);
' L5 E" k; Y$ q/ y
//8*256=2KB,1 page
5 C7 h7 b3 V7 g7 F2 N- F2 G% x
for(i=0;i<0x100;i++)- @- |7 H. M& x( i" b
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, FLASH_USER_START_ADDR+i*8, 0xefcdab8967452301);
+ g0 ~( u7 f* D
HAL_FLASH_Lock();8 W) R* R3 B7 l# k4 ^2 g2 q
while (1)
. H3 w. U& l( l. ], N
{
+ o# o2 ?6 o% {9 \
1 A5 K" j. x+ x) K; z
}& b9 H% R, i9 {+ K, X0 w" K% P% \( n
}