本帖最后由 toofree 于 2019-3-12 00:46 编辑 1 T1 A. e! E( H' z; [ 【STM8-SO8-DISCO】——9、测试EEPROM - i2 j7 V" g! e5 s5 D 本贴实验以样例程序“STM8S_StdPeriph_Lib\Project\STM8S_StdPeriph_Examples\FLASH\FLASH_DataProgram”为原型,将块编程写改为了字节写。 . R. c0 F1 r; h) O" k( q) ? 从数据手册得知,STM8S001J3只有128字节的EEPROM。 * J" F. m0 |" E4 r4 P K# z& t EEPROM起始地址(基地址)0x4000。 , P$ B! N- q( r) q 在main.c主程序中,修改添加EEPROM基地址宏定义,GPIO宏定义。测试数组GBuffer[128]定义。时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数声明。. ~* R4 N- [7 s4 z2 }% o 16M系统时钟、GPIO配置LED和KEY、Flash配置解锁EEPROM。FLASH_SetProgrammingTime()函数作用暂时没去研究,保留。- ]# [6 Z5 Q. o4 P* B 主函数main()中,有事没事加上5S开机延时,调用时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数。 3 N5 i! o9 A# A. ^/ c 读取当前全部EEPROM内容到数组GBuffer[]; 当第个数组元素为0x00时设置dir=1,否则设置为0; F" A2 c' t, u# H 当dir为0时,即GBuffer[0]不等于0x00时,依次递加写入EEPROM数据从0x00到0x7F;当dir为1时,依次写入EEPROM数据从0x80到0xFF;0 g) K$ }& z* s9 A 再次读取全部EEPROM内容到数组GBuffer[],观察数据是否正确。! v* c/ V, W/ P9 e/ ?; @; y 并增加设置两处断点。 ( F- S4 f- f, f2 X7 y 编译、下载和调试运行。并打开变量观察窗口,打开内存窗口选择查看EEPROM数据。+ U. Q* \7 v, M r! ` 7 _- }2 H* L d. j0 q, y 全速运行,5S钟后,跑到第一处断点,查看EEPROM和数组GBuffer[]内容,依次全部为0x00到0x7F,是上一次程序运行是写入的数据。 全速运行跑到第二处断点,查看EEPROM和数组GBuffer[]内容,依次全部为0x80到0xFF。取消第二处断点,程序全速运行,看到LED灯在闪烁。8 w! {( _# p& Z+ u* f: A , K( W" ~7 h( X) x w# V" c, i" a& E 停止程序,将调试复位后,重新打断点调试运行。. g9 I! t3 ^+ o5 @* H9 Q 此次看到的现象,在第一处断点处数据为0x80到0xFF;第二处断点处数据为0x00到0x7F。每次数据都会交换。 7 i' G" X, J4 K/ Q 中间也测试过FLASH_EraseByte()函数,然而对于EEPROM读写来说,没啥作用,只是往地址中写0x00。对于EEPROM来说,不需要擦除操作,因为是“真EEPROM”。 6 V( o* h, Z9 `+ M 至此,EEPROM字节读写测试结束。" A3 U( c) S+ I6 S/ R' n( n* T 本贴测试工程附上: |
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