【STM8-SO8-DISCO】——9、测试EEPROM

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' q( T. h. _+ f. z$ b/ L1 a3 }2 m  本贴实验以样例程序“STM8S_StdPeriph_Lib\Project\STM8S_StdPeriph_Examples\FLASH\FLASH_DataProgram”为原型，将块编程写改为了字节写。
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* ^* I* c9 S% Q  从数据手册得知，STM8S001J3只有128字节的EEPROM。
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3 h5 h' L( q& ^0 U5 s! m2 e* v! Z
/ [5 M. G% \" a& y  EEPROM起始地址（基地址）0x4000。
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) |" j* ?3 ?* {3 T  在main.c主程序中，修改添加EEPROM基地址宏定义，GPIO宏定义。测试数组GBuffer[128]定义。时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数声明。
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8 \" o1 p, G2 S' }- ^7 r) n2 _1 N  16M系统时钟、GPIO配置LED和KEY、Flash配置解锁EEPROM。FLASH_SetProgrammingTime()函数作用暂时没去研究，保留。
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  W* h2 o  @! @3 W$ V  主函数main()中，有事没事加上5S开机延时，调用时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数。
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' i0 C. p6 Z9 X+ P  读取当前全部EEPROM内容到数组GBuffer[]；
+ a1 T2 N$ n; b7 B  当第个数组元素为0x00时设置dir=1，否则设置为0；
- O# ~: f) l' N' ~5 p1 k$ E# e  当dir为0时，即GBuffer[0]不等于0x00时，依次递加写入EEPROM数据从0x00到0x7F；当dir为1时，依次写入EEPROM数据从0x80到0xFF；
2 B5 X( t5 ?. u( S0 ?; n, j  再次读取全部EEPROM内容到数组GBuffer[]，观察数据是否正确。
  并增加设置两处断点。

) H$ r% [- i% [. u/ Q0 Y# @
  编译、下载和调试运行。并打开变量观察窗口，打开内存窗口选择查看EEPROM数据。


" W9 q) J: h8 s) G9 N  全速运行，5S钟后，跑到第一处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x00到0x7F，是上一次程序运行是写入的数据。

( r/ J( Y; p9 V* P  k
  全速运行跑到第二处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x80到0xFF。取消第二处断点，程序全速运行，看到LED灯在闪烁。


) H! ?6 q4 k, a' ~9 J  停止程序，将调试复位后，重新打断点调试运行。
  此次看到的现象，在第一处断点处数据为0x80到0xFF；第二处断点处数据为0x00到0x7F。每次数据都会交换。
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  中间也测试过FLASH_EraseByte()函数，然而对于EEPROM读写来说，没啥作用，只是往地址中写0x00。对于EEPROM来说，不需要擦除操作，因为是“真EEPROM”。

  至此，EEPROM字节读写测试结束。
3 E& G: D5 x$ g% G( W7 z& }
0 i% e' _5 h% Y/ s+ {: w0 n
  本贴测试工程附上：
* @. |- I$ D$ Y, f& e8 R+ Z2 G# U/ F   STM8S_StdPeriph_Flash_EEPROM.rar (267 KB, 下载次数: 18)

2019-3-11 01:44 上传

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