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本帖最后由 toofree 于 2019-3-12 00:46 编辑 【STM8-SO8-DISCO】——9、测试EEPROM 本贴实验以样例程序“STM8S_StdPeriph_Lib\Project\STM8S_StdPeriph_Examples\FLASH\FLASH_DataProgram”为原型，将块编程写改为了字节写。5 ^ L7 H J8 \. X 从数据手册得知，STM8S001J3只有128字节的EEPROM。 
EEPROM起始地址（基地址）0x4000。 
在main.c主程序中，修改添加EEPROM基地址宏定义，GPIO宏定义。测试数组GBuffer[128]定义。时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数声明。 
7 t4 \3 l8 M- g8 I- h 16M系统时钟、GPIO配置LED和KEY、Flash配置解锁EEPROM。FLASH_SetProgrammingTime()函数作用暂时没去研究，保留。8 f8 M+ I; O% \7 | 
+ w% D5 w- ?& i: A" s- P 主函数main()中，有事没事加上5S开机延时，调用时钟配置、GPIO配置、Flash配置函数。 
' x. I, _& G; F$ R8 M3 C+ F 读取当前全部EEPROM内容到数组GBuffer[]； [. V; ?! l/ x2 x1 p 当第个数组元素为0x00时设置dir=1，否则设置为0； 当dir为0时，即GBuffer[0]不等于0x00时，依次递加写入EEPROM数据从0x00到0x7F；当dir为1时，依次写入EEPROM数据从0x80到0xFF； 再次读取全部EEPROM内容到数组GBuffer[]，观察数据是否正确。" a* H7 F' [3 b9 y5 } 并增加设置两处断点。 
编译、下载和调试运行。并打开变量观察窗口，打开内存窗口选择查看EEPROM数据。% R$ f( ^# Q. t7 y0 n 
( j: G* X: _5 |: c8 X 全速运行，5S钟后，跑到第一处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x00到0x7F，是上一次程序运行是写入的数据。8 f' O9 `4 b+ H 
0 [8 V' v2 g$ ^7 x5 R5 K; k 全速运行跑到第二处断点，查看EEPROM和数组GBuffer[]内容，依次全部为0x80到0xFF。取消第二处断点，程序全速运行，看到LED灯在闪烁。 
1 C3 C, D. o- l, W" d3 i 停止程序，将调试复位后，重新打断点调试运行。: P$ d. f" A, B0 B 此次看到的现象，在第一处断点处数据为0x80到0xFF；第二处断点处数据为0x00到0x7F。每次数据都会交换。 ( W( { q M2 R( m 中间也测试过FLASH_EraseByte()函数，然而对于EEPROM读写来说，没啥作用，只是往地址中写0x00。对于EEPROM来说，不需要擦除操作，因为是“真EEPROM”。, K1 e6 c2 H7 _ Y+ j4 R 4 i- k& s9 K8 v q 至此，EEPROM字节读写测试结束。 / B! v3 l" k) D- J' \% z8 l6 a. E 3 r8 ?* G4 K+ E 本贴测试工程附上：, O9 m+ _! d! E3 i3 f" J) J4 i$ I1 X 
STM8S_StdPeriph_Flash_EEPROM.rar
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STMCU-管管
回答时间：2019-3-22 17:51:38
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