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L4+系列有OCTOSPI接口，支持HyperBus总线的NorFlash和SDRAM器件。看了Hyper RAM的手册（ISSI的IS66WVH8M8BLL），里面有求一个事务的时间不能超过4us，否则RAM内部自刷新来不及执行，L4+的手册里也讲到了这块，相关寄存器是DCR3和DCR4，但是看了官方开发板 STM32L4R9I-EVAL的程序，里面根本就没有配置一个事务的最长时间，DCR3和DCR4都没配置，这是怎么回事？按照手册说明，不配置的话读写时间超过这个时间会有问题。不知道例程里没配置是什么原因？ L4+的手册描述： 
ISSI的IS66WVH8M8BLL手册描述： 
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小白求助！STM32L476使用VREF、VBAT采集模块电压，计算出的VBAT值偏大
各位大佬们多提提宝贵建议定位根本原因，跪谢。STM32L452 在未知情况下打开了读保护RDP？MCU无法运行，只有解除读保护后重新烧录固件
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嘉立创和淘宝买的STM32L496芯片丝印不一样，能告诉我这两个丝印有什么区别吗？
STM32L433VCT6 进入STOP模式2之后，功耗依然和正常运行模式没有差别，请教大神
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