
L4+系列有OCTOSPI接口,支持HyperBus总线的NorFlash和SDRAM器件。看了Hyper RAM的手册(ISSI的IS66WVH8M8BLL),里面有求一个事务的时间不能超过4us,否则RAM内部自刷新来不及执行,L4+的手册里也讲到了这块,相关寄存器是DCR3和DCR4,但是看了官方开发板 STM32L4R9I-EVAL的程序,里面根本就没有配置一个事务的最长时间,DCR3和DCR4都没配置,这是怎么回事?按照手册说明,不配置的话读写时间超过这个时间会有问题。不知道例程里没配置是什么原因? L4+的手册描述: ![]() ISSI的IS66WVH8M8BLL手册描述: ![]() |
STM32L433 驱动LCD断码屏,怎么单独让某个数字闪烁
STM32L433 使用LCD控制器驱动段码屏,有什么LCD降低功耗的方法吗?
STM32L433VCT6 LCD复用引脚如何分配?(同一个引脚同一个复用功能里还有三类引脚)
STM32驱动段码屏,有一个14段数字,有4个段位没有显示
STM32L431偶发串口乱码问题。
ADC差分采样
请问大佬们,L433进入stop2模式还有874uA的电流,有什么排查的办法吗?
ST25R3916有快速读取吗?
STM32L476 Flash擦除失败问题
STM32L562-DK板中居然有个电流测量模块
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