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远离深坑、STM32G031K8T6,不知道后面是否会优化修正?

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Hans.he 提问时间:2021-9-22 16:40 /
主要问题:STM32G031K8程序打断点在STARTUP.S文件中,停在断点处就出现FLASH_CR寄存中的CFGBSY置位为1,导致操作flash错误。而且按照手册说明该位的置位和复位均由硬件决定。所以外部完全无法操作。导致G系列的flash是无法操作的。本人认为是芯片的设计问题,已经排除芯片坏掉,除非整个批次均有问题因为已经换过5片MCU以验证问题。(按照断点处的情况 即整个代码只执行了一句话)。
主要情况如下:IDE为MDK-KEIL-V5.36,工具是STM32G031-Nucleo-32。参考例程是官方例程STM32Cube_FW_G0_V1.5.0\Projects\NUCLEO-G031K8\Examples_LL\GPIO\GPIO_InfiniteLedToggling_Init中的例程MDk例程(当然也做过自己的工程测试,结局一样)(为啥采用GPIO工程例程而不是操作flash工程来说明芯片有情况,是因为用flash工程一样出现该情况)。具体测试情况如下面图片,毕竟有图有真相。
不知道大家是否有碰到过,请远离深坑!
微信图片_20210922163242.png
收藏 评论0 发布时间:2021-9-22 16:40

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