使用H74XI的SRAM扩展内存16位的数据位，执行一次写操作，观察电平发现使能了4次写使能，求解为什么？ 如何修改？

请问你的一次写操作，写的数据是多少,16位还是32位？你说的4次写使能具体哪个信号？NWE吗？要不你把那几行代码贴出来看看。

这个地方一般跟地址对齐、MPU配置有关，你可以提供下你目前的测试代码吧，贴出来我们其它人可以可以测试、研究下。